倍频激光薄膜——1.06微米高透与0.53微米高反膜

在λ/4多层膜上增加一层附加层,获得了1.06微米波长高透和0.53微米波长高反,其主要结果:1.06微米,T>99.3％;0.53微米,R>99.6％。     

供红外应用的高级碲镉汞光电二极管

本文讨论美国霍尼威尔公司新发展的四种碲镉汞光电二极管:1.2.06微米碲镉汞雪崩光电二极管;2.10.6微米碲镉汞光电二极管;3.R_0A乘积为0.7欧-厘米~2的高D~＊碲镉汞光电二极管(10.6微米);4.半导体致冷10.6微米光混频器。2.06微米雪崩光电二极管是为Q开关的掺钬氟化锂钇(Ho:YLF)激光器发展的。这种器件的雪崩增益为9～36。10.6微米光电二极管的平均量子效率为30％。制备了单元为250微米×250微米的五元线列,其单     

光学薄膜技术鉴定成果汇编

编号WAR03双波段增透膜研制单位西安应用光学研究所鉴定日期1981年11月。技术指标1.在λ=5000～7000埃,R<%;对λ=1.06微米,R<0.7%;2.理化性能满足国标1318-77要求。编号IBF01 红外测湿滤光片研制单位上海技术物理所鉴定日期1983年10月。技术指标中心波长λ_0=1.78±0.01微米;1.94±0.01微米;通带半宽度Δλ_h=0.05±0.01微米;0.05±0.01微米;峰值透射率T_0≥76%;≥76%;截止区透射率T_c≤0.5%;     

电磁控制的亚微米微位移机构

<正>亚微米微位移机构是现代精密机械与精密仪器的共同基础。近年来随着科学技术的发展,尤其是微电子技术的飞跃进步,将精密机械与精密仪器的精度提高了一个数量级,即由微米级的精度提高到亚微米级,因此作为精度补偿及微调机构的亚微米微位移技术,得到了迅速的发展和广泛地应用。目前亚微米微位移技术日趋成熟,实现亚微米微位移的方法很多,本文着重讨论电磁驱动原理,位移机构设计中的问题以及利用该原理设计研制的亚微米微位移机构的实验结果。 电磁驱动原理     

松下公司开拓了生产16MDRAM的成功之路

<正> 最近,日本松下电子工业公司宣告了他们开发成功的一台用于生产16MDRAM的KrF准分子激光片子步进机。这台机器被用于制作采用单层抗蚀剂工艺的0.4微米线宽的电路图形,理论上可实现0.3微米的分辨率。新研制的KrF准分子激光片子步进机采用了一种单色光透镜,可透过波长为248.3微米±0.008微米     

低阈值1.5微米波长InGaAsP/InP隐埋双异质结结构激光器

<正> 最近日本 NTT 武藏野通研所制出目前最低阈值的1.5微米波长 InGaAsP/InP 隐埋双异质结结构激光器。首先使用低温液相外延防回熔技术在 InP(100)衬底上生长掺锡的4.5微米厚的 InP 层,继之生长0.2微米厚的未掺杂的 InGaAsP 有源层(生长温度为602℃),再生长掺锌的3微米厚的 InP 层,最后生长掺锌的1微米厚的 InGaAsP 帽层(禁带宽度 E_g=0.95电子伏);淀积 SiO_2,沿<110>方向用射频溅射光刻技术刻出二氧化硅条,台面刻蚀直到 n 型 InP 层;二次液相外延掺锌 p 型 InP 层(2.5微米厚)和 n 型 InP     

向微米、亚微米进军——日本超大规模集成电路制造设备一瞥

<正> 从某种意义上说,集成电路制造设备就是物化了的集成电路制造技术。本文拟从设备的角度介绍日本超大规模集成电路(VLSI)制造技术的一些近况。目前,日本集成电路企业生产的64KRAM(线宽3～2微米)占世界产量的80％,不少企业又计划在一、两年内开始生产256KRAM(线宽1.5微米)、同时,正在研制中的VLSI的线宽已突破(小于)1微米而进入亚微米的阶段。因此,实现微米,亚微米级微细加工是日本集成电路制造技术面临的中心课题。电子束曝光是突破光波波长的局限,实现亚微米级图形加工的一个基本手段。但是,由于目前的电子束曝光机的加工速度慢,不适于     

中国电子新闻

首钢日电试投产0.56微米4M位动态存储器 0.56微米4M位动态存储器日前在首钢日电电子有限公司投入试生产,它标志着我国集成电路产业跨进亚微米时代。自1995年初首钢与日方开始制订新的技术升级方案,即:前工序由6英寸1.2微米技术升级为6英寸0.5微米、以4M位动态存储器为代表产品的新技术;后工序由目前封装4M位动态存储器升级为16M位动态     

波长337微米HCN激光器

据报道,苏联哈尔科夫大学研制成高频泵浦亚毫米波高稳定 HCN 激光器,主要用于等离子体研究。有两种输出波长:337和311微米。波长337微米时输出功率25毫瓦;311微米时输出功率为7毫瓦。辐射散度为0.5°,输     

平面三座标光电自动对准系统

在现代电子工业中,随着超精细结构加工水平的发展,线宽为微米甚至亚微米的几何图形的制作已逐渐进入工业实用阶段,因此,对光刻时套准精度也就相应提出更高要求,例如光刻最细线宽为1微米,对准精度则不应低于±0.2～±0.25微米,目前所用常规光学对准系统,由于最终受人眼功能的限制,难以保证上述要求。本文介绍的两种光电对准系统,可分为对轮廓成象和反射目标进行自动对准,精度均优于±0.25微米,并已用于投影光刻机中代替人眼对准,这一原理同样也能用于其他超精细加工中的检测和瞄准。     

一维ZnO纳米/微米棒的制备及光学性能研究

采用溶胶-凝胶法,以六水硝酸锌和乙二醇单甲醚为主要原料,在SiO2玻璃衬底上旋涂一层致密的ZnO籽晶,用水热法,通过对ZnO籽晶层面朝下和朝上分别制备了ZnO纳米棒和微米棒。研究了不同生长液浓度对ZnO纳米/微米棒的形貌和光学性能的影响。结果表明,ZnO纳米棒直径约在Φ(60~90)nm之间,长度约为1 600nm,微米棒直径约Φ(1~4)μm,长度约8~14μm;随着生长液浓度的增加,ZnO纳米棒越致密,而ZnO微米梭生长成ZnO微米棒;ZnO纳米/微米棒的光致发光(PL)光谱强度随着生长液浓度的增加逐渐增强     

O.16微米CMOS工艺技术

和舰科技自主创新研发的0.16微米硅片制造工艺技术在原有比较成熟的0.18微米工艺技术基础上,将半导体器件及相关绕线尺寸进行10%微缩(实际尺寸为0.162微米),大大降低了芯片的面积尺寸;且能与现有的0.18微米制造工艺相互兼容,大幅度缩短了新产品达到量产的时间,具有低成本、高效能、高良率、工艺成熟的优点;可以为客户生产更具有技术和价格竞争力的产品,并填补了国内晶圆厂在该领域的空白.     

国外文摘选(试版)

发射波长为16微米的CO2激光器包括有:光学谐振腔装置;与上述谐振腔光学耦合的CO2激发介质,该介质在第一激发态和较高的第二激发态之间产生16微米的跃迁,激励上述介质到第二激发态的装置;诱发从第二激发态到第一激发态16微米辐射跃迁的装置;选择性地减少第一激发态粒子数以保持第一激发态和第二激发态之间粒子数反转的光泵浦装置。     

ANR4型九头步进重复照相机和JUBPM50型投影光刻机

76年4月14日到24日德意志民主共和国电子、自动化和科学仪器展览会在上海展出。我们参观了叶那卡尔察尔公司展出的ANR_4型九头步进重复照相机和JUBPM50型投影光刻机,并进行了技术座谈。下面仅就这两台设备简介如下: 一、ANR4型九头步进重复照相机 (1)主要技术指标 工作台最大行程:60×60毫米; 步进重复精度:0.1微米; 累积误差:0.3微米; x、y运动方向的直线性≤0.5微米; x、y运动方向的垂直性±≤3吋; 曝光时间10～12微秒; 曝光时间内工作台移动距离:ΔS≤0.05微米;     

NIKON与Canon分别推出采用变形照明光源的新型Stepper

<正> 在92年12月2～4日于日本举办的“Semicon/Japan’92”展览会上,日本NIKON和Canon两家公司分别推出了采用变形照明光源的新型片子步进机。 NIKON公司展出的NSR-2005i9C型样机、采用了数值孔径NA为0.57的i线5倍缩小镜头,视场尺寸为22×22平方毫米(17.9×25.2mm),分辨率优于0.45微米,当采用SHRING变形照明光源后,分辨率可达0.35微米。分辨率R为0.40微米时,焦深DOF为2微米。该机的总套刻精度优于0.1微米,(|(?)|+3σ),可适用于16MDRAM的批量生产和64M DRAM的小批量试制。 Canon公司展出的FPA-2500i3型样机,采用了数值孔径NA为0.60的i线5倍缩小     

国外光学微细加工设备集锦

<正> ALS Lasertep 200机是GCA公司1988年初投放市场的第二代准分子激光分步投影曝光设备。它采用KrF准分子激光源和自行设计的Fropol—2144KrF镜头,曝光波长248毫微米,数值孔径0.44,视场尺寸15×15平方毫米,分辨率为0.4微米。其同机套刻精度0.13微米,异机套刻精度0.16微米,最大加工片径为200毫米,每小时可曝光六英寸圆片33枚。售价216万美元。     

非本征硅探测器电离能最佳值测定

红外(热)成象是电荷耦合器件应用的一个重要领域,因为电荷耦合器件提供了相当容易地与大量探测器结合的可能,因而有可能消除或减少机械扫描。在这方面非本征硅红外探测器有特殊的意义。本文理论计算出作为截止波长函数,也即作为掺杂电离能函数时非本征硅探测器的性能。发现工作于3～5微米或8～14微米波段有一个最佳电离能,它等效于截止波长并趋于短波端。在77K工作时,对3～5微米波段,最佳截止波长大约是3.6微米(0.34电子伏),对8～14微米波段大约是10微米(0.12电子伏)。计算认为,在其它条件相同情况下,使用具有最佳截止波长的杂质时,在3～5微米波段与掺铟比较,可以使M~*增加约10~4倍;在8～14微米波段与掺镓比较,可以使M~*增加大约10倍。     

新的1.62微米波长InGaAsP/InP隐埋异质结激光器

<正> 最近日本东工大成功地制备了1.62微米波长的 InGaAsP/InP 隐埋异质结激光器。器件的条宽3～5微米,腔长310～330微米,最低的室温脉冲阈值电流为25毫安,室温连续波阈值为37毫安,三倍阈值以上获得单横模工作。器件的工艺步骤是:在含有防回熔层的双异质结片子上用化学汽相淀积法形成 SiO_2膜,并用普通的光刻技术形成沿(110)方向的5～8微米宽的条,接着用 Br-CH_3OH 腐蚀2微米深,然后用4HCl-H_2O 溶液在0～1℃下选择腐蚀2分钟以去除 InP 部分(腐蚀     

中国微米/纳米技术第七届学术年会会议纪要

<正>由国家自然科学基金委员会、国家科技部、中国微米纳米技术学会、中国机械工程学会、中国仪器仪表学会主办,中国机械工程学会微纳米制造分会、东北MEMS研发联合体、大连理工大学承办的中国微米/纳米技术第七届学术年会于2005年8月13日至16日在美丽的海滨城市大连举行。参加本届会议的有来自全国各地区的261位代表,其中还有几位来自国外的特邀代表。本次学术会议开得热烈隆重,大家一致认为本次学术会议反映了我国微米/纳米技术研究的现状,表明我国微米/纳米技术研究水平在不断提高,特别是在实用化和产业化方面有明显进展。     

电子束制版的研究

采用我国制造的DB-2型电子束曝光机;以其极细的电子束斑(0.3微米),在计算机的控制下,对铬版上的抗蚀剂进行曝光。通过化学腐蚀工艺,制备了具有最细线宽1微米、套刻精度1微米的3千兆赫、5瓦和最细线宽0.7微米的6千兆赫、1瓦微波晶体管图形。文中扼要介绍了电子束曝光原理和掩模制备工艺过程,并对铬版腐蚀的化学机理进行了讨论。