电子显微镜测角台的使用及有关的数据处理

透射电镜和扫描电镜中常用的测角台有两类,即双倾台和倾转台。双倾台的两个可变参量是绕X轴的倾角φ和绕Y轴的倾角ψ;倾转台的两个可变参量是倾角φ和转角ω。本文提出了将试样由(φ_1,ψ_1)方向变到(φ_2,ψ_2)方向(用双倾台)或由(φ_1,ω_1)方向变到(φ_2,ω_2)方向(用倾转台)时旋转轴方向和转角ε的解析计算公式和作图求法,并以倾动晶体电子衍射实验为例说明测角台的使用方法。     

锁模染料激光器及其性能测量

实验装置如图1所示.置于双椭圆聚光罩内的激光染料C是由两支直管形短脉冲氙灯F(φ_内=3毫米,L≈100毫米)泵浦的;流动的若丹明6G染料池(φ_内=3毫米,L=140毫米)的两端有石英窗口,切成布儒斯特角;染料C在循环时通过由四个过滤球(过滤球网板孔径4.5～9微米),组成的过滤系统,     

有线电视系统载噪比计算的解析

有线电视系统载噪比的计算,有两种方法。一是从整体上来考虑,先对噪声系数进行叠加,求出总的噪声系数F=F_1 (F_2-1)/G_1 (F_3-1)/G_1G_2 …… F_n-1/(G_1G_2……G_(n-1))(式中 F_1、F_2……F_n 分别为各放大器的噪声系数,G_1、G_2……G_n 分别为各放大器段的增益)然后求出整个系统的载噪比。即(C/N)_(dB)=S_i-F_(dB)-2.4dB(S_i 为放大器输入电平。F_(dB)=10lgF,2.4dBμV为常温下的基础热噪)。二是从局部来考虑,先计算单台放大器的载噪比(C/N)_(dB)=S_i-F_(ndB)-2.4dB(F_(ndB)指     

单向二次谐波输出

一、基本装置和原理图1所示装置是洛克希德导弹和空间公司研制成的用于由Nd:YAG激光器的内腔倍频获得单频单向二次谐波输出。就图中几何形状和边界条件而言,对1.6和0.53微米辐射的无限平面波的非线性互作用研究结果表明,单向二次谐波总功率取决于下式:P_2 (l_c)∝4B~2l_c~2sinc~2(ΔKl_c/2)×cos~2(ΔKl_c/2+φ_2/2-φ_1)(1)式中sin CX=sin X/X,B=μ_0ω_2~2E_1~2/     

用无定型硅研制成转移效率为99.6%的CCD

最近日本东京工业大学用无定型硅研制成了转移效牢为99.6%的CCD。它是在石英衬底上制出Mo电极。然后在其上通过电弧放电等离子分解法连续形成SiON绝缘层(1700)、无定型Si∶H层(1300) SiON绝缘层(1700),再在其上制出AI电极。将下面的Mo电极与上面的AI电极交替重合排列。采用四相驱动(Mo电极为φ_2、φ_4时钟电极,Al电极为φ_1、φ_3时钟电极)。     

绝缘膜的制作与布线技术

1.绝缘膜的制作 1.1.热氧化膜 MOS晶体管的阈值电压V_t可由下式给出: V_t=((-Q_O-Q_(SS)-Q_B)/C_g)-(q/C_g)·integral from n=Midgap to φ_(FB) (N_(FS)(E)dE+φ_(MS)+2φ_(FB))式中:C_g栅绝缘层的电容     

MT8880DTMF器件与CPU的接口设计

DTMF(双音多频)信号的产生与接收是各种DTMF器件应用的基础。利用CPU对DTMF信号产生与接收器件进行管理,可以使DTMF信号产生/接收器件具有智能性,并能灵活地设置多种工作状态,这是DTMF技术应用领域的发展方向。加拿大MITEL公司生产的MT8880芯片是一种能够被CPU管理的DTMF信号产生/接收芯片,由于该芯片被设计为最适合于与MOTOROLA 6800系列单片机总线相配接,故当用Intel 8051系列单片机与之相配接时,电路就比较复杂。本文着重介绍MT8880芯片与MC6802、Intel8051以及国产浪潮0530(CPU为80286,与IBM PC/AT全兼容)微型计算机相配按时的接口电路设计,以及应注意的事项。一、MT8880与MC6802等的接口设计在MT8880与CPU的配接电路中,其内部寄存器操作时钟φ_3的状态非常重要,当MT8880内部寄存器被访问时,φ_2应处于工作状态(至少出现一次带上升沿的高电平);φ_2的工作频率为1kHz～1MHz     

用边界条件实现契伦可夫辐射式倍频的相匹配

我们证明,波导的辐射式倍频不能自动实现相匹配。但是可用改变边界条件实现相匹配。相匹配要求2k_(1z)(2ω)-2φ_(12)(2ω)=2mπ。而倍频驱动场与传输基波保持同相,具有相位函数Ψ(ω)=2k_(1z)(ω)W-2φ_(10)(φ)-2φ_(12)(ω)。由此得到:     

二阶跟踪环路的计算和最佳接收机的设计

本文介绍宇宙通信二进制编码数据检测用的最佳接收机的设计。分析包括两个主要部分:第一,具有超前-滞后环路滤波器的二阶锁相环路相位误差分布ρ(φ)的计算, F(S)=(1 т_2S)/(1 т_1S);第二,能够检测数据信号的最佳判断单元的设计。佛克一普兰克方法是唯一可用于推导相位误差分布的方法。相位误差分布是表示最佳判断函数的重要公式。为了设计最佳判断电路,使误差总概率最小,必须完成相似系数的测试。所得的主要结果是:(1)ρ(φ)取决于噪声功率频谱高度,而不取决于噪声带宽;(2)甚至在较小的φ值时采用调制也使ρ(φ)值减小;(3)当不存在调制时,时间常数т_1不影响ρ(φ);(4)时间常数т_2必须适当地选择,使т_2《1和т_2《т_1;(5)对于跟踪用途,E≤0.15和E《D〔参看(11)〕;(6)最佳接收机结构示于图6。     

输出频率差的电路

图中所示电路的输出脉冲重复频率等于两个输入脉冲重复频率F_0,F_1之差,这里F_1相似文献   

级联网络的噪声系数简化计算

在计算噪声系数或等效噪声温度时,利用本文中方便的列线图就消除了从分贝到功率比值的冗长变挣。当两个频率宽度B相同的部件级联时,其合成的噪声系数由下面已知的简单关系式给定: F_(12)=F_1+F_2-1/G_1 (1)式中F_1和F_2分别是部件1和2的噪声系数,G_1是部件1的增益,F_(12)是合成的噪声系数。当直接从式(1)确定F_(12)时,量F_1、F_2和G_1通常是以dB给出,而不是按功率比值。于是     

电子能谱法研究GCr15钢注Ar~+及GCr15钢镀Ti、Cr后的Ar~+束混合

对GCr15钢注Ar~+(能量60keV、剂量φ为0.5、1.0、2.5×10~(17)Ar~+/cm~2三种)及GCr15钢镀Ti、Cr后的Ar~+束混合(能量60keV、剂量φ为0.5、1.0、2.0×10~(17)Ar~+/cm~2各三种)样品进行了俄歇(AES)及俄歇剖面(AES—PRO)分析。结果表明:(1)样品表面含C层随φ增加而增厚;(2)混合元素Ti、Cr成分的Auger峰一峰高与O峰一峰高之比随φ增加而增加。如混合初期Ti:O≈1:2(原子百分比),而当φ达到2.0×10~(17)Ar~+cm~2/时,Ti:0≈1:1,这种计量比的变化将导致样品表层物相和结构的变化;(3)AES—PRO分析中,未见到样品表层中Ar成分典型分布的存在。对上述观象进行了简要讨论。     

液相扩散系数与浓度的新关联方程和实验考察

用液相扩散新型金属膜池考察了含有长链分子的五个二元体系在25℃时不同浓度的扩散系数,得出了扩散系数与浓度的经验关联多项式的参数拟合值.推导了二元液相扩散系数与浓度的新关联方程:D_(AB)η/V=(D°_(BA)η_A/V_A)~(φA)(D°_(AB)η_B/V_B)~(φB)β用上列方程及其他用于比较的方程对23种体系(207点)进行了预估计算,其总平均百分偏差如下:结果表明,在无拟合参数的方程中,本文所提方程(22)的总平均百分偏差为最小.     

在强CO_2激光作用下CCIF_2CCIF_2的离解及其与氢的反应

压力为50Torr的OClF_2CClF_2在脉冲CO_2激光作用下,主要以C—C键断裂的方式发生离解,其主要产物是C_2F_4、C_3F_6、CCl_2F_2和CClF_3。当用GO_2激光照射100 Torr的CClF_2 CClF_2和H_2的混合气体(1:1)时,在焦点区发现有橙黄色发光,并观察到C_2分子的Swan谱带。此时的主要产物是C_2F_4、C_3F_6、HCl和HF。     

附录——折射限角的推导

设一橢园柱体带有两个位于焦线上的半径为Υ_0的园柱体。为使(θ_1 θ_2)为最小值。要求Cos(θ_1 θ_2)为最大值。 展开Cos(θ_1 θ_2), Cos(θ_1 θ_2)=Cosθ_1Cosθ_2-Sinθ_1Sinθ_2 (A1) 由图7 Sinθ_2=Υ_0/2C=Υ_0/2a∈ (A2) 极座标中的橢园方程为: 1/r=1/d Cosθ (1/∈d)(A4)     

清华大学1982年电子物理与器件学科硕士研究生入学试题及题解

试题名称:电磁场理论 一、填充下列各题: 1.电磁场方程(Maxwoll方程)的瞬时值微分形式是:(1):(2):(3)___;(4)_。 又:在场不随时间变化的条件下,以上方程成为:(1);(2)…:(3)—;(4)_。 2.在两媒质分界面处电磁场的边界条件是:(1);(2);(3);(4)_。 又:在理想导体表面上电磁场的边界条件是:(1);(2):(3)_;(4)_。 3.静电场可以用一个标量势(位)函数完整地描述,其理由可以用一个方程来表示,这个方程是:_。 又:用语言描述就是:_。 因此,泊松方程讲价-一p/。。就完整地代表了静电场E(E.一7必的下列两个基本方程:(1)一(2) 4.任意电磁场可以用一个标量…     

亚毫微秒GaAlAs双异质结激光器

当双异质结连续激光器加上大于阈值的阶跃脉冲时,激光器的光脉冲前沿便产生张驰振荡,振荡频率f_r为:f_r=1/(2π)[1/τ_(ph)τ_s(I/I_(th)-1)-I~2/(4τ_s~2I_(th)~2)]~(1/2)式中I为注入激光器的峰值电流;I_(th)为阈值电流;τ_(ph)为光子寿命;τ_s为载流子自发复合寿命.当I/I_(th)=2,τ_s=2毫微秒,τ_(ph)=1.2微微秒时,f_r=4千兆周;当I/I_(th)更大时,f_r更高.我们用一个峰值电流     

圆截面单模圆柱螺旋光纤中的场

本文运用空间曲线的本地正交曲线坐标系—Tang氏坐标系上严格的Maxwell方程和弱导边界条件,得出了圆截面单模圆柱螺旋光纤中标量场的耦合方程组,在采用了场和传播常数的摄动展开后得到: (1) 螺旋光纤的场保持一种准线偏振态,偏振方向相对于Serret-Frenet标架以接近于(-τ)的旋转率旋转(τ为光纤中心线的挠度); (2) 上述准线偏振态随传播距离。S而周期性地由1变为略小于1;在给定的S处,出射偏振态随入射偏振角φ而周期性地变化,其周期为π/2。 上述结论与已发表的液芯光纤实验结果完全一致。     

铀酰离子光化学研究(Ⅰ)——A_r~+激光对乙醇体系U(Ⅵ)—U(Ⅳ)的光化学还原

利用氩离子激光器4880激光照射UO_2(NO_3)_2—C_2H_5OH—HNO_3溶液体系,研究了在乙醇的作用下U(Ⅵ)—U(Ⅳ)的光化学还原行为。报告中计算了不同条件下光还原生成 U(Ⅳ)的量子产额,观察了各种因素对U(Ⅳ)初始生成速率和量子产额φ的影响。本实验条件下生成的U(Ⅳ)量与光照时间呈线性关系,光照时间延长则U(Ⅳ)生成速率减慢;激光功率改变对φ的影响不大。随着体系温度T的升高,φ值逐渐降低,T≥55℃,φ急剧下降,这与HNO_2量骤增有关。乙醇浓度低时,[C_2H_5OH]增加φ上升很快,[C_2H_5OH]≥1M,φ的变化很小。起始硝酸铀酰浓度对φ的影响不大。介质硝酸浓度的变化对φ的影响很大:低[HNO_3]时,随[HNO_3]提高φ明显增加;[HNO_3]～0.5M 时,φ值达到最大(～0.88);[HNO_3]继续提高,φ值降低,当[HNO_3]≥3M,φ值下降很快。φ值随[HNO_3]的变化较敏感是与 U(Ⅴ)的歧化、U(Ⅳ)的水解和氧化以及[HNO_3]较高时体系中 HNO_2的增加诸因素有关,并根据φ>0.5的事实以及低酸时 U(Ⅴ)的吸收谱推测了不同酸度区间可能的光化学反应历程。报告还提供了光还原生成 U(Ⅳ)稳定性的数据。最后讨论了提高量子产额的几个因素。     

磷化铟与氧化膜界面物理性质的研究

<正> 利用φ550型AES和ESCA与离子溅射相结合方法,研究了n型InP(100)晶面,浓度 10~(16)cm~(-3),迁移率约 2500cm~2/V·s的单晶片上低温淀积SiO_2热氧化膜和阳极氧化膜与本体InP界面区的光电子能谱随深度的变化,及其各种氧化物和俄歇信号的深度分布.在深度分析中Ar作溅射气体,离子枪工作电压为2keV,离子流密度为8μA,电子束电压为3keV,其束流为5μA.同时用椭圆偏振光测厚仪,测定了两种氧化膜的厚度和折射率及介电常数,并且还测定了它们的击穿电压,其结果列于表1.