半绝缘多晶硅膜在MOSIC中的应用

本文研究了用掺氧原子的半绝缘多晶硅(SIPOS)膜作MOSIC、特别是无阻挡沟道结构的C/MOSIC的表面钝化层。SIPOS膜是用一氧化二氮和硅烷于氮气氛中进行化学汽相反应在硅衬底表面上淀积而成的。SIPOS膜是半绝缘的,而实质上是电中性的。用3000ASIPOS和6000ASiO_2膜组成的双层系统代替无沟道阻挡结构的C/MOSIC中的厚二氧化硅层,并呈现极好的场钝化性能,即:漏-源漏泄电流小、漏击穿电压高、寄生阈值电压高。而且,用SIPOS膜钝化的硅表面在严格的偏压温度应力下显示出高的稳定性。结果表明:用SIPOS膜钝化的C/MOSIC不需要有沟道阻挡扩散区,并能在高电压下工作,从而导致较大的集成密度和较好的可靠性。     

一种新的钝化膜——半绝缘多晶硅

SIPOS膜的制备是采用SiH_4—N_2O—N_2混合气体在650℃温度下反应,在硅衬底表面生长一层钝化膜。我们清楚地看到膜的性质与氧浓度有密切的关系。此外,对SIPOS膜的物理性质和化学性质进行了测量,进一步证明了此膜是掺氧多晶硅。同时指出该膜用途极其广泛。     

高反压晶体管的关键工艺——玻璃钝化

本文较详细地介绍了高反压晶体管玻璃钝化的生产工艺。该工艺操作简单、成本低、生产出的产品一致性好，可靠性高。     

用掺氧多晶硅钝化技术制造高可靠高压晶体管

论述了 SIPOS钝化的原理、生产 SIPOS晶体管的工艺步骤 ,以及在制造过程中易出现的问题和解决方法     

用掺氧多晶硅钝化技术制造高可靠高压晶体管

论述了SIPOS钝化的原理、生产SIPOS晶体管的工艺步骤，以及在制造过程中易出现的问题和解决方法。     

高反压晶体管的关键工艺——玻璃钝化

本文较详细地介绍了高反压晶体管玻璃钝化的生产工艺。该工艺操作简单、成本低,生产出的产品一致性好,可靠性高。     

半绝缘多晶硅钝化技术研究及其应用

1 前言 半导体器件的稳定性除了与器件的制造材料、器件本身的结构有关外,在相当大的程度上还取决于对其表面的保护措施——即表面钝化。钝化是改善器件性能和提高可靠性所不可缺少的手段和重点工艺。早在五十年代,人们     

掺砷多晶硅在微波晶体管中的应用

报道了用低压化学汽相淀积生长掺砷多晶硅的实验结果。应用掺砷多晶硅作发射板材料，研制出Ｃ波段连续波输出功率大于３Ｗ的晶体管和Ｌ，Ｐ波段１００Ｗ的脉冲功率晶体管。     

钝化半导体表面的新技术—半绝缘多晶硅膜法及其应用

半导体器件及集成电路的可靠性,很大程度地依赖于半导体表面的纯化技术。因此,自晶体管发明以来,在半导体器件制造领域,为达到器件表面纯化和稳定的目的,在探索和研究纯化技术上付出了很大的努力,硅器件由于平面技术的出现,与以前的台式结构相比有了显著的进步。在平面技术中,保护器件表面是通过硅表面热氧化,生成氧化硅层来实现的。由于热氧化层有绝缘性能好、与硅表面之间通常不形成表面能级、而且稳定、结构致密又有一定机械强度等长处,故具有保护硅器件表面的优良特性。至于热氧化层中钠离子等引起的不稳定性只要在清洁环境下进行器件的制造即可得以改进。倘若在热氧化层上再复盖一层磷硅玻璃(PSG),氮化硅(Si_3N_4),三氧化二铝,则能进一步解决由钠离子等引起的不稳定性。因而,到目前为止平面工艺仍然是制造硅器     

高反压大功率晶体管烧结工艺的改革

本文在分析了3DA58型高反压大功率晶体管,因采用金-锑(Au:Sb=99％:1％)合金真空烧结而造成“微等离子体击穿”之后,提出了一种采用“化学镀镍法”,在管芯背面淀积镍磷合金,同时使用锡-铅-银软焊料,把管芯烧焊在刻有槽或凹坑的F-2管座上,使管芯和     

多晶硅工艺在超高频晶体管中的应用

试验使用ＬＰＣＶＤ多晶硅薄膜工艺，以掺杂多晶硅发射极结构取代传统的泡发射极Ｔｉ－Ａｌ结构，用于超高频晶体管生产中，改善了器件性能，提高了成品率和可靠性。     

半绝缘多晶硅SIPOS工艺与应用

反向击穿电压较高的半导体器件,一般采用台面玻璃钝化工艺,但这种工艺有不少弊端。因此人们一直努力使高耐压半导体器件工艺平面化,而在这当中表面钝化工艺的选择与应用是个关键。半绝缘多晶硅(SIPOS)的开发几乎与高压平面器件工艺的研究同步。但是由于SIPOS工艺具有一定的难度,普遍应用尚有待时日。文章简要介绍了我们在SIPOS工艺试验与应用方面所做的一些工作。     

3DK405型高频高速高反压开关功率晶体管的研制

３ＤＫ４０５型高频高速反压ＮＰＮ开关功率晶体管研制成功，集电极最大耗散功率ＰＣＭ≥２００Ｗ，集电极最大电流ＩＣＭ≥３０Ａ，双结反向击穿电压ＢＶｃｅｏ≥４５０Ｖ，特征频率ｆＴ≥８０ＭＨＺ，下降时间ｔｆ≤０．１ｕｓ，居国内领先技术水平。     

半绝缘多晶硅薄膜的制备与应用

本文对ＬＰＣＶＤ半绝缘多晶硅（ＳＩＰＯＳ）薄膜工艺进行了研究，分析和讨论了工艺参数对薄膜淀积过程以及性能的影响。并较详细介绍了ＳＩＰＯＳ薄膜在高压功率器件领域的应用。     

半绝缘多晶硅在大功率开关管3DK106中的应用

介绍了掺氧半绝缘多晶硅（Ｏ－ＳＩＰＯＳ）及掺氮半绝缘多晶硅（Ｎ－ＳＩＰＯＳ）薄膜的制备方法、生长条件及其在高可靠大功率开关三极管３ＤＫ１０６中的应用，以及主要电参数的测试结果，并且对本工艺所带来的特点进行了初步分析。     

掺氧多晶硅薄膜的组分分析

本文用红外吸收谱和统计理论分析低压CVD生长的半绝缘多晶硅(SIPOS)薄膜的组分.SIPOS 薄膜包含SiO 和SiO_2以及它们之间的硅氧化物.而且随着膜中氧浓度的增加,其SiO_2的比例也增加.     

半绝缘多晶硅在高可靠大功率硅开关三极管中的应用

介绍了掺氧半绝缘多晶硅（Ｏ一ＳＩＰＯｓ）及掺氮半绝缘多晶硅（Ｎ一ＳＩＰＯＳ）薄膜的制备方法，生长条件及其在高可靠大功率开关三极管３ＤＫ１０６中的应用，以及主要电参数的测试结果，并且对本工艺所带来的特点进行了初步分析。     

注入多晶硅扩散在双极晶体管中的应用

研制了利用注入多晶硅扩散的一种新的掺杂方法。该方法在低噪声 npn 晶体管的制作中用于基区扩散,其特性有极显著改善。消除了脉动噪声,在10赫下噪声系数为3.5～4.0分贝。得到了极好的平坦的h_(FE)与集电极电流关系。