X波段微型片式T/R组件的设计方法

片式T/R组件是一种新集成形态的微波集成产品,由于采用了基板立体堆叠的三维立体集成方法,具有小、薄、轻的特点,主要应用于星载相控阵天线以及共形相控阵、智能蒙皮等新型电子系统.以X波段微型片式T/R组件设计研究为例,对此类新形态微波集成产品的实现方式进行了阐述.该组件通过采用基板立体堆叠的三维立体集成方法,能在20 mm...     

一种数字T/R组件设计

数字T/R组件是雷达的重要组成部分,数字T/R组件的好坏直接影响到了雷达的整个性能。本文从采样时钟、接收变频等关键点提出了一套技术方案,实现波形还原理想化、接收变频软件化、波形产生理想化、时钟传输简洁化、功放电路高效化,达到数字T/R组件高性能、小型化的目的。     

S波段八通道数字T/R组件研究与设计

研究了一种S波段相控阵雷达数字T/R组件,讨论了组件结构总体布局及装配工艺设计,并对八单元T/R组件设计中存在的散热、电磁兼容等关键技术进行了重点阐述,提出了具体解决措施.研制出的八单元数字T/R组件输出功率达到50 W,同时实现了组件小型化,性能指标达到电信及结构总体的设计要求.     

一种毫米波瓦式T/R组件专用芯片架构

毫米波有源相控阵瓦式T/R组件工作频率高、波长短、单通道布局空间小,对T/R组件芯片级和子阵级集成设计提出不小挑战。相比而言,芯片级一次集成在提高集成密度、降低组件成本方面具有明显优势。文中根据瓦式T/R组件的布局特点,在芯片级集成层面,提出一种可灵活扩展、兼顾不同半导体工艺优势、功能划分合理的专用芯片集成架构。该架构在满足链路指标的前提下,可实现单通道芯片数量占比3/4只、面积占用不到3.7mm² ,显著提高了芯片级集成密度和功能密度,降低了T/R组件单通道实现成本,适用于毫米波频段任意规模的相控阵天线的高效扩展集成。     

L波段8通道宽带数字T/R组件技术

研究了一种L波段8通道宽带数字T/R组件设计技术.组件具有瞬时带宽宽和发射功率大的特点,可以产生带宽为100 MHz的线性调频信号(LFM),单通道输出功率可达50 W.该组件集成了8个独立的收发通道,上下变频都采用一次变频,简化了电路设计,控制组件的体积、重量和成本,取得了良好的效果.通过对研制样件的测试,设计性能达到要求,其通道间相位长期稳定性即同频点相位差RMS达到发射小于2.5°,接收小于0.7°的指标.利用2个样件构建了16单元数字线阵试验平台,给出了发射和接收方向图.     

一种新型Ku频段瓦式T/R组件的研制

介绍了一种基于非接触式垂直互连、大功率高密度集成芯片组和低成本高密度混合电路的Ku频段半双工瓦式高发射功率T／R组件的集成方案。研制了16通道T/R组件原理样机,体积为36 mm×36 mm×21 mm,质量为65 g。每个信道的发射功率大于7 W,幅度一致性均方根误差（RMS）优于0.5 dB,相位一致性RMS优于4°。对比相似功能单通道发射功率仅0.5 W的砖式TR组件,其体积缩减一半以上,质量缩减2/3以上。     

一种大功率X波段T/R组件的设计

本文设计了一种大功率 T/R 组件,对其原理和方案进行了阐述,并对发射峰值功率、 接收增益和噪声系数等主要指标进行了计算。单通道可实现发射峰值功率 45.6 dBm,接收增益约 30 dB,噪声系数略大于 3 dB,为大功率 T/R 组件的设计提供一种参考。     

数字T/R组件测试方法研究

随着雷达技术的飞速发展,数字T/R组件逐渐取代模拟T/R组件广泛运用于各种相控阵雷达中。由于数字T/R组件功能强大,电路复杂,需要测试的参数比模拟T/R组件多,测试方法也发生了根本性的改变。文中介绍了数字T/R组件测试系统的组成和工作原理,提出了数字T/R组件核心参数的测试方法,并针对工程中遇到的实际问题提供了解决方案,实际应用表明这些方法的测试效率和分析精度可以满足数字T/R组件测试要求。     

一种新颖的Ka频段T/R组件立体混合集成封装

介绍了一种新颖的Ka频段T/R组件立体混合集成封装.针对Ka频段T/R组件高频率和高密度的特点,提出了一种新颖的多层组装和双面密封的立体电路结构,采用软基片、FR-4等简单成熟工艺,实现了Ka频段M- MCM的混合集成.该封装具有集成度高、散热性好和可靠性高等特点,能够应用于Ka频段二维有源相控阵T/R子阵的工程研制.     

雷达数字T/ R组件自动测试系统设计

数字T/R组件是数字有源相控阵雷达的核心,各种参数的自动化测试至关重要,文中介绍了一种雷达数字T/R组件性能参数自动测试系统,包括设备组成、软件设计、测试方法和流程等,可自动测试数字T/R组件各类参数.该系统已用于多部数字有源相控阵雷达的调试,大大缩短了雷达系统的调试周期,完善雷达性能测试技术.     

X波段大功率T/R组件

采用公共支路、发射支路、接收支路和电源调制及控制电路,设计制作了一种X波段大功率T/R组件。在组件中,利用低温共烧陶瓷(LTCC)基板实现了多层互连,采用Wilkinson功率合成器实现了大功率输出。在组件布局上,充分考虑腔体效应,合理安排各电路单元。在制作工艺方面,采用单元装配的方式,合理设置温度梯度。该组件在X波段9～10 GHz带宽范围内,接收支路噪声系数小于3.1 dB,接收增益为(25.7±0.2)dB,发射支路的功率增益大于30 dB,输出脉冲功率大于15W,移相均方根误差小于2°,衰减幅度均方根误差小于0.25 dB。     

数字T/R组件噪声系数测量

系统性地讨论了数字T/R 组件噪声系数的测量方法。详细分析了Y 因子法、冷源法的系统误差来源,给出了推导过程及修正方法。系统误差主要来自于环境温度对噪声源以及矩阵开关、测试电缆等陪试品的影响。定量分析了随机误差与I/Q 数据点数的关系。提出了电磁干扰环境下测量噪声系数的测试建议。提出的测量方法及修正方法可广泛应用于相控阵雷达数字T/R 组件噪声系数的测试。     

相控阵测控系统瓦式一体化T/R组件设计

T/R组件作为相控阵测控系统的核心部件,其性能好坏直接决定了相控阵测控系统的效能表现。针对传统相控阵测控系统中采用的砖式T/R组件设计存在的集成度低、尺寸大、功耗高、安装复杂、后期维护性差等问题,设计了一种新型瓦式一体化T/R组件。该型T/R组件通过多层不同功能模块的瓦片式层叠和盲插互联结构实现了T/R组件高度的集成化、良好的散热性以及优异的安装维护性能。随着相控阵测控系统的通道数越来越多,集成度越来越高,新型瓦式一体化T/R组件的工程优异性也将会更加明显。     

新一代S波段有源相控阵雷达T/R组件

设计了一种工作在S波段,频带宽度为400 MHz,平均占空≤10%;脉冲宽度≤200 μs的有源相控阵雷达T/R组件.该组件采用模块化设计思想,将功率放大模块,接收模块和电源模块整合在一块铝合金板上,通过合理的布局,优化电路结构,并采用强迫液冷的散热设计,保证了组件的性能指标满足设计要求,而且具有体积小,重量轻,结构紧凑,可靠性高的特点.     

一种宽带多通道瓦片式T/R组件的研制

介绍了一种多通道瓦片式T/R组件的研制方法和关键技术。针对组件结构尺寸紧张、工作频率高且频带宽的要求,提出了一种新的高集成T/R组件三维立体组装方法,同时采用了多功能单片微波集成电路(MMIC)芯片技术、多芯片组装(MCM)技术提高集成度。通过对组件的热设计和密封性设计,确保了组件使用的长期可靠性。成功研制出尺寸为41.8 mm×8 mm×8.2 mm、质量不超过13 g的瓦片式T/R组件,具有4个收发通道,每个通道包含6位数控移相器和6位数控衰减器。该组件集成度高、散热性好、可靠性高,较传统T/R组件在尺寸和重量上具有突破性的优势,大大减小了雷达尺寸,使其更好地满足高性能共形有源相控阵雷达的需要。     

一种机载超宽带相控阵雷达T/R组件设计

针对机载有源相控阵雷达小型化、多功能、高功率的要求,研制了一款应用于C、X、Ku波段的双通道超宽带T/R砖块组件,外观尺寸为30.0 mm×70.0 mm×8.5 mm.组件在工作频带内可以实现6位移相、6位衰减,工作带宽达到12 GHz,发射输出功率≥ 37 dBm,接收增益达到22 dB.通过对电路中无源结构进行仿真,并利用得到的仿真结果和射频芯片实现链路仿真,解决了超宽带T/R组件端口驻波较差和接收增益平坦度差且难以预估的难题.最终制造的T/R组件具有超宽带、低噪声、高功率以及良好的幅相性能.     

基于LTCC技术的X波段四通道T/R组件设计

文章介绍了一种基于LTCC技术的X波段四通道相控阵雷达T/R组件设计。详细地介绍了组件各部分电路的主要功能,无源电路设计仿真,LTCC基板设计、装配工艺。最后,给出了该组件的实测电参数,尺寸及重量。     

S波段T/R组件用GaN功率放大器链的设计(英文)

基于Si衬底AlGaN/GaN HEMT器件的功率放大器链是下一代S波段相控阵雷达T/R组件的核心部分。研制的S波段放大器链主要由驱动放大器和功率放大器组成,驱动放大器与功率放大器都是基于Si衬底AlGaN/GaN HEMT器件的混合集成电路。基于混合集成电路的放大器链获得了高的输出峰值功率和附加功率(PAE),整个放大器链输出功率在800 MHz频率范围内大于20 W,附加效率(PAE)大于50%。     

C波段高功率T/R组件设计

针对对海探测、跟踪以及成像的相控阵雷达或成像雷达而言,C波段T/R组件是其关键部件之一。介绍了一种C波段基于多芯片微波组件(MCM)技术和低温共烧陶瓷(LTCC)基板的20 WT/R组件的理论分析、设计思路和基本构成,从腔体效应、发射功率合成方式、收发支路、低温共烧陶瓷LTCC设计、微组装技术等几个层面进行了分析,并给出了最终的测试结果,该组件具有高功率、高密度、高效率等特点。