MOS模拟平方器的应用研究

本文着重讨论了ＭＯＳ电路中由非对称源耦对组成的模拟平方器的各种应用，提出了一种新型的ＭＯＳ模拟乘法器，也探讨了模拟平方器在改善ＭＯＳ型对称源耦对线性输人范围和ＭＯＳ型Ｇｉｌｂｅｒｔ单元性能方面的应用．ＳＰＩＣＥ（模型ＬＥＶＥＬⅡ）模拟结果表明，这些电路原理正确，并且有很宽的输人范围和很高的运算精度．     

新型高灵敏度MOS图像传感器

本文叙述了一种新型高灵敏度线阵MOS图像传感器的工作原理及设计考虑。着重分析了影响器件固定图形噪声的因素及其消除方法。设计了一种高速低功耗扫描电路。最后,讨论了器件制作工艺并给出器件主要参数的测试结果。     

DSP处理器循环寻址和位翻转寻址的设计

文章介绍了DSP（digital signal processing)处理器中面向滤波，FFT，卷积、相关等算法的循环寻址和位翻转寻址方式的设计，先讨论了循环寻址和位翻转寻址的设计思想和硬件实现算法，再根据算法设计了相应的电路，并且用Cadence工具Verilog-XL进行了逻辑仿真。     

由非对称MOS源耦对组成的模拟平方器

本文在对ＭＯＳ非对称源耦对研究的基础上，提出了一种新型模拟平方器，本文给出了电路结构并进行了理论分析。ＳＰＩＣＥ模拟结果表明，在±５Ｖ电源电压，±４Ｖ的输入范围内，最大满度误差为±０．４％，－３ｄＢ带宽为３３ＭＨｚ．     

1024位6相时钟MOS图像传感器

介绍一种采用６相时钟电路的１０２４位ＭＯＳ图像传感器，其像元中心距为１５μｍ，移位寄存器采用５管动态无比电路，功耗小于０．５ｍＷ，且与位数无关。器件光敏面上沉积了ＳｉＯ２增透膜，提高了光电转换效率。给出了该器件光电参数测试结果。     

场发射示器矩阵寻址高压驱动电路的设计研究

提出了矩阵寻址方式的场发射驱动电路。设计出16级灰度显示的阴极驱动电路以及栅极驱动电路,并对其进行了性能仿真,仿真结果显示驱动电路性能优越。开发出与0.8μm标准CMOS工艺兼容的高压CMOS工艺,有效提高了驱动电路的集成度,并降低了生产成本。成功研制出用于场发射驱动电路输出端的100 V高低压电平转换电路,实验测得空载情况下电路的上升时间和下降时间分别为35,60 ns,能够满足高压驱动电路的频率要求。     

支持十位寻址和高速模式的I~2C控制器设计

设计了带AHB接口,支持十位寻址和高速模式(3.4 Mb/s)的I2 C控制器,不仅提高了数据的传输速度,还增加了可用从机的地址数量.经过功能仿真及验证,证明了设计的控制器可以正确地实现主机接收、主机发送、从机接收和从机发送等功能.     

序号预测矢量化器及其在图象编码中应用

本文提出一种序号预测矢量化器的结构，与一般矢量量化器相比，它充分利用了图象极强的二维相关特性，并采用预测的方法去除冗余码字，从而在保证译码图象质量与一般矢量化器的译码图象质量相同的前提下，压缩比可提高一倍以上。     

MOS型新型功率器件终端场分析与实验

采用二维有限元数值分析的方法，开发了用于反向偏置ｐ－ｎ结分析的模拟软件，可以模拟与ＭＯＳ型功率器件反向耐压有关的终端浅结场环、场板、ＳｉＯ２介质及界面态。为高压器件的终端研究、设计和优化提供了精确而有效的ＣＡＤ工具。此文介绍模拟所采用的物理模型和模拟方法，并以三环浅结带场板终端为例，给出部分模拟实例、结论及实验结果。     

MOS器件高温特性的解析模型和模拟

详细研究了利用解析模型模拟器件特性的方法，提出了ＭＯＳ器件高温特性的解析模型及模拟程序的结构框图。模拟结果表明，漏结泄漏电流是影响ＭＯＳ器件高温特性的主要因素。     

MOS器件的超短脉冲激光辐照效应

电荷耦合器件(CCD)的高敏感性使其易受到激光脉冲的干扰甚至损伤.在理论分析了影响MOS结构光生电荷量因素的基础上,数值仿真了MOS器件的光生电荷量以及响应电压和电流随激光脉宽和平均功率变化的关系;实验研究了CCD对不同参数激光脉冲的光电响应特性.数值仿真表明,MOS器件的光生电荷量以及峰值响应电压和电流随激光脉冲的平均功率和脉宽的增大而增大,并且响应电压和电流有拖尾现象.实验结果显示,脉冲越短,CCD的响应阈值越低.研究结论对超短脉冲激光在光电成像方面的应用具有一定的意义.     

50W CO_2激光雕刻机控制系统

介绍非金属材料表面加工的CO2激光雕刻机的基本原理其控制系统。     

列车测速仪检定装置

列车测速仪检定装置是用于对列车测速仪的检测。本文介绍了如何将计算机技术用于测量技术中 ,形成方便、灵活、准确的双路标准脉冲信号发生器     

宽温区高温MOS器件优化设计

全面介绍了27－300℃定温区高温MOs器件的优化设计考虑及用计算机模拟技术进行优化设计的方法。研究结果表明，选取代化的设计参数可使设计的MOs器件在27－300℃宽温区工作并获得最佳高温性能。     

一种新型的6H-SiC MOS器件栅介质制备工艺

采用干 O2 +CHCCl3(TCE)氧化并进干 /湿 NO退火工艺生长 6H-Si C MOS器件栅介质 ,研究了 Si O2 /Si C界面特性。结果表明 ,NO退火进一步降低了 Si O2 /Si C的界面态密度和边界陷阱密度 ,减小了高场应力下平带电压漂移 ,增强了器件可靠性 ,尤其是湿 NO退火的效果更为明显。     

新型功率器件MCT的计算机模拟

采用了合理的物理模犁和精确的数值解法，对ＭＣＴ进行了一维数值求解，得到了器件内部载流子分布和电场分布以及外部端特性。这些结果对ＭＣＴ的优化设计具有实际指导意义。     

Radiation damage effects on bipolar and MOS devices in X-Ray lithography

Radiation damage effects of bipolar and MOS transistors have been investigated using the vacuum ultraviolet (VUV) storage ring of the national synchrotron light source (NSLS). The devices under investigation were exposed to x-ray radiation and electrical measurements were performed to determine the radiation effects on device parameters. It was found for bipolar devices that the current gain is the parameter that is most sensitive to x-ray irradiation. The current gain decreases as the dose increases and the degradation reaches saturation at 1000 mJ/cm². Upon annealing in forming gas at 400° C for 30 min, the current gain recovered its pre-irradiation value and stress test did not show any reliability problem. Bothn-channel andp-channel MOS devices with polysilicon gates were investigated. Host of the relevant device parameters were measured before and after irradiation and after annealing. Upon irradiation the threshold voltage shows the most obvious shift, which was more negative in both cases. However, thep- channel devices experienced a much larger shift than then-channel ones. The transconductance of the devices also experienced a shift.     

利用现场可编程门阵列FPGA开发专用实时图像处理系统芯片

本文介绍了一个实时图像处理系统中，利用ＦＰＧＡ开发专用算法模块的范例，使人 ＦＰＧＡ的应用方法有一个较完整的认识。