用于金刚石沉积的一种简单微波等离子体源

我们描述一各上简单的为等离子体辅助化学气相沉积金刚石薄膜而建造的微波等离子体源。用700W 民用微波炉磁控管，把微波功率输进一个用水冷却的圆柱形不锈钢真空容器中。把放进容器中的甲烷／氢气混合气，通过微波激发来产生一个界面清晰、不与容器壁发生相互作用 的等离子体球。它在容器中的位置，可以通过轴向电场分布的冷腔计算来预测。该容器有几个不改变共振条件的诊断口。金刚石沉积在各种基片上。其片位于等离子体球下而在石墨盖顶的石英支架上。本文介绍和讨论了某些结果。     

用于微波等离子体沉积金刚石薄膜的UHV反应器的设计

已建造了一个ＵＨＶ兼容沉只系统，用地通过２．４５ＧＨｚ微波等离子体化学气相沉积生长金刚石薄膜。这个系统包括一个负载锁定装置和一个球形沉积室。在该室中加热的１００ｍｍ直径的基处处一暴露于反应等离子体环境，设计设置了一些孔，以便利用椭圆率测量术，发光光谱测定法，质谱测定法和激光反射测定法进行原位监测。也可以供后面附加的如ＸＰＳ的分析室之用。     

多晶硅薄膜等离子体增强化学气相沉积低温制备工艺

采用电子回旋共振等离子增强化学气相沉积(ECR-PECvD)方法,以SiH4和H2为气源,在普通玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.利用XRD、Raman光谱和TEM研究了衬底温度、氢气流量和微波功率对多晶硅薄膜结构的影响.结果表明,制得的多晶硅薄膜多以(220)取向择优生长,少数条件下会呈现(111)择优取向.当衬底温度为300℃、H2流速为25 mL/min、微波功率为600 W时,多晶硅薄膜结晶状态最好,且呈最佳的(220)取向.     

磁过滤等离子体沉积和注入技术

利用阴极真空弧放电技术能够产生高密度的金属等离子体。经过90度的磁过滤器，可以除去金属等离子体中的大颗粒微粒，从而为制备高质量的、致密的各种薄膜提供了一种全新的技术。利用该技术制备薄膜具有非常广泛的应用。本文介绍了阴极真空弧放电技术的应用，以及磁过滤等离子体沉积和注入装置及其应用。