CuCr真空触头材料电特性的改善

对深冷处理引起的铜铬真空触头材料的组织变化进行了研究。深冷处理使铜铬触头材料组织细化,尤其是合金材料中铬相细化明显,结晶的合金组织有助于改善铜铬触头材料的电性能。     

真空熔铸的铜铬碲触头材料及其性能研究

介绍了采用真空熔铸方法制造的铜铬碲触头材料及其性能,测试结果表明,它是一种性能优良的新型真空灭弧室触头材料。     

影响铜铬触头材料耐压特性的因素

本文研究了Cr粉晶体状态、Cr粉尺寸、Cr粉含量以及添加元素对真空灭弧室铜铬触头材料耐压特性的影响,找出了改善固相烧结法制备的铜铬触头材料耐压特性的方法。     

真空灭弧室制造技术的发展

目前用于真空开关的触头材料大概有3种：半难熔金属＋良导体,如铜铬（CuCr）合金;熔融金属＋良导体,如铜钨合金;铜合金,如铜铋等。在中压真空开关中,铜铬被认为是最佳的触头材料,它结合了触头材料中最关键的电性能于一身,即优良的导电性,高的开断电流能力,良好的抗电弧熔蚀性和很好的抗表面熔焊能力以及截流值小等。     

铜铬触头材料再结晶过程的研究

一引言铜铬触头材料具有开断能力大，耐压高，抗电蚀和抗熔焊性好等优点，已被广泛应用于真空灭弧室中，铜铬触头作为真空灭弧室的关键部件，除了其它理化性能指标之外，还要求它具有高的电导率和适当的硬度；此外，在真空灭弧室的长期运行中，铜铬触头的显微组织结构及电导率和硬度会有一些变化，这与它在不同的温度条件下的再结晶有关。因此．有必要研究铜铬触头材料的再结晶过程，以便在生产中控制其电导率和硬度，以及更深刻地认识其在真空灭弧室里的运行机制。研究金属和合金的再结晶过程有多种方法，直接的方法有金相和电子显微术，X…     

专利选登

铝热还原-电磁铸造法制备铜铬合金触头材料／公开号：CN1743477／公开日：2006．03．08／申请人：东北大学铝热还原-电磁铸造法制备铜铬合金触头材料。以CuO、Cr2O3为原料。Al粉为还原剂，配料时加入适量CaF2等物质，还可加入Ni、Co元素。将反应混合物混合均匀。放入自蔓延反应     

两种新的Cu-Cr合金触头材料

介绍两种新的触头材料──真空熔铸的Ｃｕ—２５Ｃｒ合金材料和激光熔凝的Ｃｕ—５０Ｃｒ表面合金。用这两种材料做触头的真空灭弧室在３８ｋＶ、２５ｋＡ和３１．５ｋＡ下的开断性能优异。     

真空断路器选用CuCr25触头材料比CuCr50触头材料优越的分析

一、前言真空灭弧室的小型化是国际上研究真空开关甚感兴趣的课题之一。据报道国内外除从事改进真空灭弧室的电极结构为目标外,还同时以开发新的触头材料的途径来解决真空灭弧室的小型化。在触头材料方面,目前研     

采用全武合金触头材料真空断路器灭弧室的绝缘特性

真空绝缘性能决定着真空灭弧室的设计及成本,在真空断路器向高电压等级发展的背景下真空绝缘性能研究显得尤为重要。触头材料是影响真空绝缘性能的重要因素之一,因此新型触头材料真空绝缘性能的研究成为真空绝缘研究领域的热点。基于以上分析,研究了一种新型触头材料—全武合金的真空绝缘性能,并将它与真空灭弧室常用触头材料CuCr25和CuCr50的绝缘性能进行了对比。首先对3种触头材料的真空灭弧室试品用升降法进行了雷电冲击试验,结果表明3种触头材料击穿电压的概率分布均符合Weibull分布,在触头开距为2～10mm范围内其50%击穿电压的关系为CuCr50>全武合金>CuCr25;然后对3种触头材料用升压法进行了工频击穿试验,结果表明当开距为1m,升压速度为3kV/s时,3种触头材料绝缘强度的关系为CuCr50≈全武合金≈Cu-Cr25;最后对比了工频升压速度对全武合金绝缘特性的影响,结果表明当升压速度从3kV/s降为1.5kV/s时,击穿电压升高了1.6倍。     

真空灭弧室CuCr触头材料发射率研究

真空灭弧室触头温度是影响其开断能力的重要因素之一,非接触式温度测量手段以其反应时间快,测量范围宽,测量精度高,不干扰等离子体分布等优点被应用于真空灭弧室触头温度测量中。触头材料发射率是材料本身的物性参数之一,也是非接触式温度测量中推算温度所需的基本参数之一,只有在测得材料发射率的情况下才能根据光谱强度推算出材料表面温度。本研究的目标是测量得到真空灭弧室6种常用触头材料Cu、CuCr(25)、CuCr(30)、CuCr(40)、CuCr(45)、CuCr(50)的发射率。利用黑体辐射参考源在中温黑体炉中进行光谱测量,检测波长范围从5~20μm,加热温度为400~800℃。得到测量波长在5~7μm范围内为发射率测量值最稳定,适合用于触头温度非接触式测量。测得5~7μm波长范围内上述6种触头材料在800℃时的发射率值分别为0.50、0.58、0.56、0.52,0.48和0.41。触头材料发射率随着材料表面粗糙程度的增加而增加;随着温度的上升触头材料发射率随之增加;铜铬合金触头的发射率会随着铬组分比例增加而下降。     

非晶-晶化法制备微晶铜铬真空触头材料

本文提出了一种非晶－晶化法制备微晶铜铬触头材料的新工艺。该工艺制备的铜铬触头材料，其组织中散着几个微米大小的铬细晶颗粒。由于经过电弧熔炼过程，消除了熔渗法和烧结法制造的触头中存在的大颗粒夹杂现象。可提高触头质量及在真空开关中运行的可靠性。另外，该工艺对原料铜和铬的要求可以降低，工艺相对简单，适用于各种铬含量铜铬头触头的材料的制造，是一种高质量，低成本，便于大规模生产铜铬触头材料的新的制造工艺。     

Cu Cr Ta触头材料的开断性能分析

文章介绍了真空灭弧室触头材料的发展方向和正在开发的Cu Cr Ta触头材料的金相结构和性能分析。对Cu Cr Ta触头材料与Cu W Al Fe、Cu Cr50触头材料进行了对比开断试验。从对比开断试验结果说明Cu Cr Ta触头材料能提高现有Cu W Al Fe和Cu Cr50触头材料的1.28-1.51倍。     

电触头材料深冷处理研究

本文对铜合金、银合金等触头材料进行深冷处理时，其组织变化而引起材料在电性能方面的改善进行了研究。结果表明：深冷处理不仅使合金材料的微结构发生变化，使材料组织细化，同时可提高铜、银合金材料的电磨损及导电性等。     

大功率真空开关铜铬触头材料

近年来大功率电路断路器技术正发生飞速的发展，其中两项最显著的成就是用于高压断路（≥72kV）SF6开关和用于中压电路（5～38kV）的真空开关，两者均已成为这一领域的主流产品，对SF6高压开关，仍然使用传统材料如W—Ag、W—Cu或Cu，而真空开关则采用一种铜铬合金做为关键触头材料。作者将试图对后者进行简要的综合性评述。     

真空灭弧室触头材料的多孔骨架烧结工艺分析

本文主要分析和探讨了用浸渍法制造真空灭弧室触头材料的多孔骨架烧结工艺。文中首先阐述了多孔骨架烧结过程的特点,其次论述了多孔骨架烧结的方法和工艺,最后介绍了几种典型金属的多孔骨架烧结,并例举目前常用的CuCr触头材料从Cr粉颗粒烧结多孔骨架直至CuCr合金触头材料的制成过程。     

钨粉粒度及组成对铜钨触头抗电弧烧蚀性能的影响

铜钨合金是高压开关电器中的重要触头材料,铜钨触头的抗电弧烧蚀性能是衡量触头优劣的重要指标。本文采用熔渗法制备了三组铜钨合金,研究了钨粉粒度及组成对合金金相组织、力学物理性能及抗电弧烧蚀性能的影响,分析了影响铜钨触头抗电弧烧损性能的原因。     

大功率真空灭弧室触头材料的开发与进展

本文评述了真空灭弧室触头材料的发展。在过去的十五年里，Cu－Cr触头材料在中压大电流真空灭孤室应用中已逐步占有统治地位。文中讨论了这种材料的制造方法。其他材料，如Cu－W，Ag－WC和Cu合金只作了简要描述。在运行条件下，对真空灭弧室触头材料的使用性能也作了评论。本文论述表明，真空断路器所用的触头材料最好的还是Cu－Cr。     

城网建设与高压开关

触头材料是真空灭弧室技术进步的另一个方面。触头材料最初用的典型材料为铜铋(CuBi)合金。此材料开断能力差,且截流值高。据资料介绍,采用铜铋触头材料的真空断路器的截流水平一般为10～12A。现触头材料一般用铜铬(CuCr)触头材料,它不仅开断电流大,而且截流水平低,一般为3(实验室值)～5A(厂家保证值),而我国CuCr50触头的平均截流值仅2～2.5A,最大截流值3.2A。日本已研究出低过电压触头材料,可将截流值降至1/10。同时研究熄弧能力更强的触头材料如铜钽(CuTa)等。     

关于电弧熔炼法制造铜铬系真空触头材料的几个问题

本文从铜铬二元相图着手,对电弧熔炼法制造铜铬系真空触头材料的可操作性、应满足的设备条件及相关工艺参数的确定做了简要概述。旨在推动该技术在国内的早日应用。     

大开断电流真空灭弧室触头材料含气量允许值理论判据

本文根据真空灭弧室在开断短路电流燃弧过程中灭弧室内动态压力的变化从理论上推导出触头材料含气量、灭弧室有效容积、触头电弧侵蚀率和开断电流之间的关系,给出了大开断电流真空灭弧室触头材料含气量最大允许值的理论判据。