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Ca2SnO4:Eu3+的固相反应形成机理及发光性质研究 总被引:5,自引:0,他引:5
利用高温固相反应法合成了Ca2-xEuxSnO4发光粉末样品,采用X射线衍射技术和荧光光谱等测试手段对样品的固相反应形成机理及光谱特性进行了研究.对于CaCO3和SNO2(2:1)混合粉料,在1250℃进行固相反应时将优先反应生成不稳定的中间相CaSnO3,该相再与CaO继续反应生成最后稳定的目标相Ca2SnO4.Ca2-xEuxSnO4样品在240-360nm范围内存在着Eu^3+-O^2-电荷迁移吸收带,随着Eu^3+掺杂浓度(x=0.01-0.15)的增加,吸收带峰位从274nm红移至292nm附近.Ca2SnO4:Eu^3+发光体的发射以电偶极跃迁^2Do-^7F2为主导地位,在紫外光激发下产生强的红光发射.在Ca2SnO4基质中,Eu^3+离子的多声子弛豫过程几率小,当Eu^3+掺杂浓度较低时,可以观察到来自于Eu^3+较高激发态能级^5D2和^5D1上的辐射跃迁.Eu^3+离子在同构的Ca2SnO4和Sr2CeO4基质中的发射光谱形状类似,但Ca2SnO4:Eu^3+的红光发射强度远大于Sr2CeO4:Eu^3+. 相似文献
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采用高温固相反应法制备了Eu^3+掺杂BaCeO3发光粉。分别用X射线粉末衍射、荧光光谱分析等手段研究了发光粉的晶体结构以及光致发光性能。XRD结果表明,Eu^3+掺杂浓度达到6%(原子分数)时,仍然能够形成纯相的固溶体BaCe1-xEuxO3。荧光光谱检测结果表明,BaCe1-xEuxO3发光粉的激发光谱由强度很大的宽激发带(230-370nm)和锐线谱(峰值位于397和466nm)组成,其中宽激发带源于O2^-—Ce^4+电荷转移,锐线谱属于Eu^3+的f-f跃迁吸收。BaCe1-xEuxO3的发射谱除了常见的^5D0→^7Fj(J=0-4)跃迁发射外,还有来自较高能级激发态^5D1的跃迁^5D1^7→Fj(J=1,2);随着Eu^3+掺杂浓度的提高,其发光强度也逐渐增强,当掺杂浓度达到15%时,出现浓度猝灭现象。 相似文献
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采用燃烧法在550℃合成了红色纳米发光材料ZnAl2O4:Eu^3+,并用X射线粉末衍射对其结构进行了表征。XRD分析证实样品具有尖晶石结构的ZnAl2O4相。测定了样品的激发光谱和发射光谱,光谱数据表明:对应于Eu^3+的。^5D0→^7F2跃迁的发射强度。^5D0→^7F0,1,3,4跃迁的发射强度,ZnAl2O4:Eu^3+ 形成红色发光材料,推测是由于基质结构的不对称性,Eu^3+在基质ZnAl2O4中占据非对称中心的格位所致。并考察了不同退火温度处理后,样品Eu^3+的^5D0→^7Fj跃迁辐射变化情况。 相似文献
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采用复合沉淀法制备了具有良好烧结活性的纳米级Y1.34Gd0.60Eu0.06O3粉体.经850℃/2h煅烧后,得到晶粒尺寸为30-40nm,且基本无团聚的Y1.34Gd0.60Eu0.06O3发光粉体,粉体比表面积为23m^2/g.该粉体经过适当的干压和等静压成型后,于1800℃以上温度烧结6h,可以获得Y1.34Gd0.60Eu0.06O3透明陶瓷.获得的透明陶瓷材料在波长250nm的紫外光激发下发射出较强的红光,发射主峰位于610nm,对应于掺杂Eu^3+的^5D0-^7F2跃迁. 相似文献
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掺铒氧氟碲酸盐玻璃的上转换发光研究 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了掺铒氧氟碲酸盐玻璃的吸收光谱和上转换发光光谱,分析了Er^3 离子在氧氟碲酸盐玻璃中的上转换发光机理.结果表明:通过975nm的激光二极管(LD)激发,在室温下同时观察到强烈的绿光(524和545nm)和红光(655nm),分别是由于Er^3 离子^2H11/2→I15/2,^4S3/2→I15/2,和^4F9/2→I15/2跃迁.随PbF2含量增加,绿光的发光强度增加趋势较小,而红光的发光强度增加趋势大于绿光.上转换发光机理主要涉及能量转移和激发态吸收,强烈的绿光和红光激发都是由于双光子吸收过程. 相似文献
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高密度发光材料γ-Bi2WO6:Pr3+的发光性质研究 总被引:6,自引:0,他引:6
研究了用固相法制备的高密度发光材料γ-Bi2WO6Pr3+的结构、光致发光光谱、激发谱和γ-Bi2WO6的漫反射谱.由实验测得它的晶格参数为a=5.45A,b=16.42A,c=5.43A,密度Dx=9.53g/cm3.它的光致发光光谱主发射峰位于600、608、611、629nm,分别来自于pr3+的1D2→3H4、3P0→3H5、3P0→3H6、3P0→3F2跃迁的发射.其激发谱由位于约225~430nm范围内、最大值约在372nm的主激发带和450nm的激发峰组成;主激发带来自于基质,可能是基质的带间吸收、W-O间电荷迁移吸收和缺陷能级的吸收;450nm的激发峰来自于pr3+的3H4→3P2跃迁吸收.BWOPr3+的最佳掺杂浓度为0.8mol%左右. 相似文献
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自变频激光晶体Nd3+:GdAl3(BO3)4的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用熔盐法生长出尺寸为30mm的Nd3+:GdAl3(BO3)4优质晶体,进行了吸收光谱和荧光光谱的测定研究,计算得到晶体发射截面为σe1061.9=2.9×10-19cm2和σe1338mm=5.5×10-20cm2.采用染料激光器作为泵浦源,对晶体进行了自变频激光实验研究,在紫外可调谐(378-382nm)、绿光531nm、蓝光(436-443nm)、红光(669nm)和红外可调谐(1305-1365nm)波段实现了激光输出,输出的最大功率分别为:105μJ/脉冲、119.5μJ/脉冲、445μJ/脉冲、19μJ/脉冲和31μJ/脉冲. 相似文献
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CNT-WO3元件的氨敏性能研究 总被引:14,自引:0,他引:14
以碳纳米管(CNT)为掺杂剂制成CNT—WO3旁热式气敏元件.采用混酸氧化法对碳纳米管进行纯化,化学沉淀法制备了纳米WO3微粉,并用TEM、FT—IR、TG—DSC、XRD等方法进行了表征.测试了元件在室温条件下对NH3的气敏性能.结果表明,碳纳米管掺杂元件在室温下对NH3的灵敏度远远高于纯WO3元件,其中0.8wt%的掺杂元件对NH3具有最高的灵敏度.另外,掺杂元件还具有检测浓度低、检测范围宽、选择性好等优点,是一种较为理想的氨敏元件. 相似文献
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采用传统陶瓷烧结工艺制备了(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xLiNbO3无铅压电陶瓷,研究了陶瓷的结构、烧结特性及电性能特征.制备的(K0.5Na0.5)NbO3-LiNbO3陶瓷为单一的钙钦矿结构,室温下其相结构随LiNbO3含量增加逐渐由正交相向四方相转变,显微结构也由于LiNbO3含量的不同而表现出很大差异.与(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷相比,(K0.5Na0.5)NbO3-LiNbO3陶瓷的烧结温度降低,烧结特性得到改善.(K0.5Na0.5)NbO3-LiNbO3陶瓷表现出优越的压电性能,其中0.94(K0.5Na0.5)NbO3—0.06LiNbO3(x=0.06)陶瓷的压电常数d33达到205pC/N,机电耦合系数kp为40.3%,kt达到49.8%. 相似文献
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锂离子电池正极材料Li3V2(PO4)3的制备及性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
单斜结构的Li3V2(PO4)3是很有前途的聚阴离子型锂离子电池正极材料.将一定配比的LiOH·H2O、V2O5、H3PO4和蔗糖(C12H22O11)通过球磨均匀混合,在氮气保护下于800℃焙烧16h,通过碳热还原合成了Li3V2(PO4)3.用X射线衍射和扫描电镜分析对材料的结构和形貌进行了表征.充放电测试表明,在电压范围为3.0~4.3V和3.0~4.8V时,Li3V2(PO4)3正极材料具有较高的比容量、优良的循环性能和倍率特性.在电压范围为1.5~4.8V时,Li3V2(PO4)3正极材料具有很高的比容量,但循环性能较差. 相似文献
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受主掺杂 BaPbO3中的非化学计量比 总被引:1,自引:0,他引:1
采用高温平衡电导法测定了高温平衡电导率随氧分压(10^-12~10^5 Pa)的变化曲线,由此确定了未掺杂和Al受主掺杂BaPbO3陶瓷多晶体中的主导缺陷及其电荷补偿缺陷.同时讨论了受主掺杂浓度对材料的高温平衡电导率、高氧分压和低氧分压下主导缺陷转变点的影响,确定了受主掺杂BaPbO3缺陷行为随掺杂量的变化机理.在高氧分压下,材料表现出本征缺陷行为,Pb离子空位占主导,电荷补偿缺陷为空穴;随着氧分压的下降,材料由本征缺陷控制区域进入非本征缺陷控制区域,受主杂质取代Pb离子空位占主导;在低氧分压区域,随着氧离子空位浓度的上升,氧离子空位取代空穴,成为受主杂质的电荷补偿缺陷. 相似文献