熔渗法制备AgWC(30)触头材料

采用熔渗法制备AgWC(30)触头材料,并测量了其力学物理性能和金相组织。结果表明,熔渗法制备的AgWC(30)触头材料具有相对密度高、电阻率低、金相组织均匀等特点,与复压复烧工艺相结合,可使AgWC(30)触头材料的性能进一步提升。     

骨架制备工艺对熔渗法AgW(65)触头材料金相组织和性能的影响

采用熔渗法制备AgW(65)触头材料,对不同骨架制备工艺获得的AgW(65)触头材料的金相组织和性能进行了比较,分析了骨架制备工艺对材料金相组织和性能的影响。结果表明,采用纯W骨架坯制备的触头材料具有良好的综合性能,其具有金相组织均匀、密度高、电阻率低、硬度高的特点。     

模拟汽车继电器条件下AgW、AgSnO2触头材料的电弧侵蚀性能研究

研究了AgW和AgSnO2电触头材料的力学物理性能以及动态电气性能,分析了材料组织与性能之间的相互关系。在模拟汽车电流、电压等条件下进行了30000次的通断试验,对电触头材料的转移、粘附与熔焊、触头表面的形貌等进行了分析。     

熔渗法制造铜钨系触头中熔渗时间的确定

本文从理论上推导出了熔渗法制造铜钨系触头时熔渗时间和毛坯高度之间的关系ｈ＝ｋｔ＾１／２,并以ＣｕＷ７０为例具体说明了用实验来确定ｈ＝ｋｔ＾１／２中系数ｋ的方法。     

H2气氛熔渗CuW触头材料性能的研究

重点研究了H2气氛熔渗方法制造的高压开关Cuw触头材料的物理机械性能,分析了影响材料性能的因素。测试了材料的密度、硬度、电导率、抗弯强度、抗拉强度、延伸率和冲击韧性,结果显示：H2气氛熔渗Cuw触头材料具有良好的物理机械性能,符合GB／T8320、ASTM B702标准和用户对Cuw触头的性能要求。特别是Cuw70合金具有较好的综合性能,能够满足高压开关GIS的技术要求。金相组织分析和对断口形貌的扫描电镜分析发现,H2气氛熔渗的Cuw触头材料金相组织均匀致密、孔隙少、无夹杂物,W颗粒大小分布均匀并被Cu均匀包覆。相对密度高、金相组织均匀、孔隙少、无夹杂物是H2气氛熔渗Cuw触头材料性能良好的主要原因。     

钨粉粒径对熔渗法制备的CuW触头材料硬度的影响

本文研究了钨粉粒径对熔渗法制备CuW触头材料硬度的影响。结果表明：钨粉粒径过大时,会降低CuW触头材料的硬度;钨粉粒径过细小时,易在CuW触头材料中产生铜的富集;钨粉粒径5－7μm比较合适。     

高压真空断路器用熔渗法CuMoCr触头材料的制备工艺

介绍了高压真空断路器用熔渗法CuMoCr触头材料的制备工艺。研究了原材料预处理温度对Cu粉、Mo粉含氧量的影响,以及Cu粉与MoCr粉的混合比例对熔渗后坯件体积变化的影响,并对结果进行了分析。     

熔渗法CuW触头材料W骨架压坯密度理论计算公式的研究

从理论上推导出熔渗法CuW触头材料W骨架压坯密度的理论计算公式和CuW合金化学成分与W骨架压坯密度的关系公式,分析并提出了W骨架压坯密度的控制范围。用化学分析方法测定了CuW合金的化学成分,用分析天平测试了CuW合金的密度。结果显示：熔渗方法制造的CuW触头材料,使用压坯密度理论计算公式确定的W骨架压坯,熔渗Cu后CuW合金实际化学成分与成分设定值吻合很好,CuW合金实际密度与密度设定值也吻合很好,并符合GB／T8320标准和用户的使用要求。实验证明,用熔渗法CuW触头材料W骨架压坯密度的理论计算公式,能正确地计算出W骨架压坯的密度,是一种合理的计算方法．对CuW触头材料的制造具有指导意义。     

AgW(65)触头材料断口高温高湿交变试验性能研究

采用不同介质进行球磨工序并研究在高温高湿环境下材料断面成分及物相的变化,探究球磨分散介质对材料抗氧化性能的影响.通过高温高湿交变试验前后AgW(65)电接触材料断面形貌以及成分物相对比,发现相对去离子水,采用乙醇作为球磨分散介质时,AgW(65)电接触材料中的W颗粒在高温高湿环境下表现出良好的耐腐蚀性能.     

化学包覆法AgNi（10）触头材料的电弧侵蚀特性

用化学镀的方法在Ni粉末表面镀一层Ag,制备AgNi（10）电触头材料,探讨了Ag、Ni的界面对AgNi（10）触头材料的电弧侵蚀影响。结果表明,材料的抗电弧侵蚀能力明显提高。     

电触头节银技术的对比分析

分析了中、大容量交流接触器节银触头、断路器节银触头、无银背触头、铆接式元件触头、铆钉型触头的节银模式和节银效果。针对铆接式元件,提出了节银实施方案,同时比较了各种铆钉型触头的节银效果,以达到在保证电器产品可靠性前提下降低成本的目的。     

CuNi电触点材料的直流电弧侵蚀研究

研究了CuNi电触点材料在直流阻性负载条件下的电弧侵蚀特性、材料转移以及接触电阻。结果表明,CuNi电触点材料在电流I<14A时,材料由阴极向阳极转移;电流I≥14A时,材料由阳极向阴极转移。触点电弧侵蚀后的表面形貌发生明显变化,接触电阻值有不同程度的波动。     

铜石墨10电砂触头材料研究

采用传统粉末冶金工艺研制电器开关主触头用石墨10电触头材料。对酮石墨10电触头材料的制造工艺参数进行了初步研究与分析。     

机械合金化法制备CuW(85)电接触材料工艺研究

探索了机械合金化制备铜钨复合粉末、冷等静压成型、氢气气氛烧结制备CuW(85)电接触材料的工艺。对所制备的材料进行显微组织观察和性能测试,分析了不同工艺对材料性能的影响。     

新工艺制备AgZnO电接触材料的组织与性能研究

采用气体雾化-烧结内氧化-热锻(atomization-internal oxidation-foring,缩写为AIOF)工艺制备AgZnO触头材料。用X射线衍射、金相显微镜和扫描电镜等研究了气体雾化法制备AgZn合金粉的粒度、形貌及成分,分析了AIOF工艺制备的AgZnO触头材料的相组成、显微组织和物理性能,并探讨了AgZn合金粉末压坯烧结内氧化的过程。结果表明:气体雾化法制备的AgZn合金粉末中,粒度小于125μm的粉末占总量的82%,颗粒多数为不规则形状;AIOF工艺制备的AgZnO材料组织均匀,电阻率为1.87μΩ.cm,相对密度为98%,硬度HV为102.8,其性能优于传统粉末冶金法制备的材料。AgZn合金粉末压坯烧结内氧化开始在粉末颗粒边界进行,然后逐渐深入颗粒内的晶界和晶粒内部,且ZnO的长大也首先发生在颗粒边界,因此颗粒边界上的ZnO比较粗。     

AgSnO2电触头材料制备技术工业化可行性分析

介绍了高能球磨法、反应合成法、水热合成法及化学镀法制备AgSnO2电触头材料的工艺和研究现状,并对其工业化进行了可行性分析。     

钼铜真空开关触头材料渗铜工艺的优化

采用粉末冶金法压制、烧结和熔渗工艺制备钼铜真空开关触头材料,时而会出现钼基体表面氧化黄斑点和渗铜分布不均或钼晶粒间铜相填充不均现象。为了提高钼渗铜工艺效果,在常规钼渗铜工艺基础上,低温熔渗增加一段还原温度、时间梯度段。结果表明,通过优化改进钼渗铜工艺后,钼铜触头产品质量得到了有效控制。     

铜基新型电接触材料电性能分析

用熔铸法和粉末冶金法制备了CuNiZrY铜基电接触材料。通过电接触实验,得到了两种不同方法制备的铜基触头的材料转移和接触电阻数据,并进行了电接触性能分析;同时利用扫描电镜和EDAX能谱分析对铜基触头材料进行了电侵蚀形貌观察及区域元素分析。     

基于AgW触点材料的大功率继电器触点间的电动斥力

讨论了大功率继电器所用的AgW触点间的电动斥力,通过对AgW触点间电动斥力的理论计算,得到电动斥力与W含量的关系曲线。曲线表明,随着W含量的增加,电动斥力变大,但该力与触点间的接触压力相比则小得多,可以忽略。在进行大功率继电器设计时,该结论对估算触点间的电动斥力有指导意义。