氮化硅抗反射膜MIS/IL型硅太阳电池

MIS/IL型太阳电池是Haler等人在1976年提出的,其结构如图1所示。这种电池问世以后发展很快,1980年Green等人报道了转换效率高达18.3％(AM1,28℃)的实验结果,但由于SiO抗反射膜等方面的原因,电池的稳定性欠佳。 1981年,Hezel报道了用氮化硅做抗反射膜的MIS/IL型太阳电池。根据半导体表面     

高效氮化硅抗反射膜MIS/IL及MINP硅太阳电池的研制

本文报道了用常规MIS/IL及MINP硅太阳电池工艺制备的超薄SiO_2膜进行低温、低压氨处理的结果。电池的I—V特性及转换效率明显提高。在氨气中直接制备超薄Si_xO_yN_z膜获得成功。采用简单工艺,分别制出全面积转换效率为13.5％(AM1.5,100mW/cm~2,25℃,面积1.02cm~2)的MIS/IL硅太阳电池及效率为16.1％(AM1.5,100mW/cm~2,25℃,面积1.11cm~2)的MINP硅太阳电池。     

硅MIS/IL太阳电池的SiO膜与串联电阻

本文讨论了MIS/IL太阳电池的串联电阻与蒸发SiO膜厚度、膜中的固定正电荷密度、界面态密度之间的关系。分析表现,在满足抗反射要求的最小膜厚情况下,为使电池的串联电阻降低到可接受水平,必须提高蒸发SiO膜中的固定正电荷密度和降低界面态密度。     

LPCVD氮化硅作减反射膜的MIS/IL太阳电池反型层性质的研究

设计了以MIS接触作为源、漏的MNOS场效应晶体管,通过晶体管电特性的测量,考察了MIS/IL太阳电池减反射膜(LPCVD氮化硅)中由于电荷存贮效应引起正电荷密度增大时反型层参数(薄层电阻R_(?),有效迁移率μ_(eff))的变化。利用建立的模型用计算机分析了这些变化对电池输出特性的影响,结果表明电荷存贮效应可以有效地提高电池的转换效率。     

PECVD氮化硅抗反射膜的研究

采用PEGVD氮化硅作为硅PN结太阳电池的单层抗反射膜,可使光电转换效率增加38％,短路电流增益平均达42％。利用PECVD氮化硅的Si/N元素成份比随工艺条件可变的特点,进行了多层非均质氮化硅抗反射膜的研究,在可见光谱范围内其表面反射率为4.5％。     

MIS／IL硅太阳电池耐紫外辐射性能的研究

通过比较蒸发铯和浸渍铯在ＭＩＳ／ＩＬ硅太阳电池中所引入的铯量、固定正电荷量、界面态密度和对太阳电池表面面电阻的影响，以及测量上述诸量和太阳电池的主要参数经紫外辐照后的变化，并从表面能带的角度分析了引入铯对太阳电池的紫外辐射稳定性的影响，解释了在ＭＩＳ／ＩＬ硅太阳电池中引入铯使该器件耐紫外辐射性能提高的原因。     

工作状态对MIS/IL太阳电池反型层电荷的影响

在一定输出电流及光照条件下,数值求解半导体器件基本方程,获得输出电压和反型层电荷面密度等参数。结果表明,反型层电荷与工作状态有关,即:当输出电压为某一最佳值时,反型层电荷面密度达到最大,相应的薄层电阻最小,因而合理设定太阳电池的输出电压,可改善与薄层电阻相关的电池性能。     

等离子体增强CVD氮化硅作硅太阳电池的减反射膜

本文报道了用等离子体增强化学气相淀积(简称PECVD)氮化硅作硅太阳电池减反射膜的实验结果。利用红外吸收光谱、俄歇电子能谱、椭圆偏振仪及C—V测试等分析方法研究了氮化硅膜的成份和性能。利用氮化硅膜的折射率随淀积工艺可变这一特点,淀积了具有不同折射率的多层氮化硅膜。实验表明,采用PECVD氮化硅膜作硅太阳电池的减反射膜,电池转换效率提高了38％,四层氮化硅减反射膜的平均反射率低于5％(波长范围400—1100nm)。     

喷涂沉积导电氧化物/硅异质结太阳电池和紫外光辐照试验

一、前言 在适当条件下沉积的铟锡氧化物(ITO)是一种简并的具有低电阻率的n型半导体,它在可见光区具有较高的透过率,除了作为透明导电膜外,还可以作为太阳电池的异质结材料。 J.Dubow等人和J.Shewchun用离子束溅射沉积在p型单晶硅上制备的ITO/Si异质结     

硅太阳电池用UV/IR截止滤光膜系设计

根据光学薄膜原理,编制出计算机程序。在太阳电池封装玻璃的上、下表面分别设计出红外(IR)截止的带通滤光膜系A|[1.05(LMHML)](LMHML)6[1.15(LMHML)]1.15L| G和紫外(UV)截止的带通滤光膜系G|H/2LH/2|7s。透射曲线表明:这两种带通滤光膜系对于不同波长的光有着很好的选择性透射,IR截止滤光膜系能够使波长大于1120nm的大部分光在到达电池表面前就被反射,UV截止滤光膜系能够使得波长小于350nm的光在到达电池表面前几乎全部被反射掉。同时,350nm<λ<1120nm的光的入射几乎不受影响,加权平均透射率为97.49%。     

MIS／IL p—Si太阳电池的几种低温表面钝化

对P－硅基体的MOS,MNS,MNOS3种钝化系统通过C－V特性测试和电性能分析,系统比较了不同结构及在不同的工艺条件下的介面态,介面固定正电荷和漏电流等参数。结果表明对于MIS／IL p－Si太阳电池,通过工艺优化,MNOS可以发挥良好的表面钝化和存储固定正电荷的功能。     

绒面硅太阳电池的研究

本文分析和讨论了绒面硅太阳电池的光学,电学特性,提出了用LiOH腐蚀绒面的新方法,并对腐蚀绒面的机理作了探讨。     

不同背反射结构在硅异质结太阳电池中的应用研究

该文旨在利用银纳米颗粒（Ag NPs）和SiO_x/Ag背反射结构提升硅异质结（SHJ）太阳电池在900~1200nm波段红外光谱响应。研究在SHJ太阳电池背光侧分别制备Ag、SiO_x/Ag和嵌入Ag NPs的SiO_x/Ag几种背反射结构,以最大限度提升SHJ太阳电池红外光谱响应。结果表明：SiO_x/Ag背反射结构可有效减少红外光的逃逸损失,提升太阳电池红外光谱响应,使得双面制绒SHJ太阳电池短路电流密度从37.74 mA/cm²提升到38.07 mA/cm²;但嵌入Ag NPs并不能帮助SiO_x/Ag背反射结构进一步提升双面制绒SHJ电池红外光谱响应,证明了基于其局域表面等离激元共振效应仅对陷光能力较差的平面太阳SHJ电池有一定提升。     

低能量质子辐照对背场硅太阳电池电性能影响的研究

研究了在模拟空间质子辐照环境条件下,质子能量分别为60 keV、150 keV,辐照剂量为1×1013～2×1016cm-2时,背场硅太阳电池的电性能的变化。试验表明,电池的开路电压Voc、短路电流Isc、最大输出功率Pmax随着质子能量和辐照剂量的增加出现了大幅衰降。随着能量的增大Voc和Pmax衰降幅度明显大于Isc,而随辐照剂量的增加短路电流Isc衰降幅度要比Voc和Pmax大得多,并且随着质子能量的增大短路电流,Isc与辐照剂量呈明显的线性关系。当质子能量为60keV,辐照剂量为1.2×1013cm-2时,Pmax/P。衰降到75％。通过深能级瞬态能谱X射线激发光电子能谱和红外光谱,初步分析了能量小于200 keV质子辐照导致电池电性能衰降的原因。     

MIS反型层太阳电池栅电极间距的研究

根据计算得出的ＭＩＳ／ＩＬ ｐ－Ｓｉ太阳电池的表面面电阻与固定正电荷、界面态间的关系，分析了太阳电池栅间距的尺寸范围，并实测了该电池的固定正电荷密度、界面态密度和表面面电阻及电极栅间距对其性能的影响。     

基于氮化硅基材的微结构高反射镀膜实验和模拟研究

高温透波材料在航空航天飞行器的天线罩上有着广泛应用,随着激光武器的发展,对天线罩的激光防护性能提出了更高的要求.碳化硅陶瓷材料凭借其优异的机械性能和介电性能,已经成为透波材料的研究热点.本文针对碳化硅陶瓷的激光防护需求,对其表面进行微结构设计以及镀膜处理,通过增强激光发射,提高了抗激光损伤的能力.通过设计加工出微棱镜结构,增强材料对入射光的散射,模拟结果显示不同角度的入射光均从各个方向被反射,减少了陶瓷基体对激光的吸收.实验中采用二氧化钛对陶瓷表面镀膜,大幅提高了材料对于532 nm波长激光的反射能力,反射率从不到10％提升到70％以上.     

PECVD沉积氮化硅膜的工艺研究

采用等离子体增强型化学气相沉积（PECVD）法在晶体硅太阳电池表面镀上一层氮化硅减反射膜,通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SiH₄/NH₃比、总气体流量及时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及钝化效果的影响。在温度为450℃、NH₃/SiH₄=8:1、总气体流量为4320sccm、压力为170Pa、沉积时间为720s的条件下生长出平均膜厚为75nm、折射率为2.05、少子寿命相对较高的氮化硅膜,且应用于单晶整舟为168片的管式PECVD设备,片间膜厚级差在5nm以内,而折射率级差在0.3以内,少子寿命可提高约30%。     

格栅MIS太阳电池的SiO中注入质子的研究

本文讨论了用质子注入法形成强反型层,用涂胶法解决感生反型层的稳定性问题,并对全面积MIS太阳电池的一氧化硅膜进行了质子注入实验,证明这种方法是有效的。