超微粒氧化铁的制备与气敏性能的研究

本文采用PCVD法制备了纳米级的超微粒氧化铁气敏材料.用这种材料制备的气敏元件具有工作温度低、灵敏度高、响应速度快、稳定性好等优点.不需掺杂,改变工作温度和热处理温度便可获得对酒精蒸汽和C_2H_2气体具有选择性的气敏元件.这种材料像SnO_2,ZnO气敏材料一样,在205℃左右出现电导极值.超微粒α-Fe_2O_3的气敏机制属表面控制型.     

ZnO系半导体陶瓷气敏传感器的进展

本文综述了ZnO系气敏半导体材料的发展慨况,讨论了元件的结构与气敏效应的关系,评述了解释ZnO系气敏材料性质的敏感机理,探讨了目前存在的问题及今后的发展方向。     

La1—xSrxCo1—yFeyO3系厚膜酒敏材料的研究

为改善ZnO系、SnO_2系和Fe_2O系等酒敏材料的气敏选择性和稳定性,人们开始研制ABO_3型酒敏材料,因为它们能表现出良好的稳定性和选择性.敏感元件厚膜化工艺简单,操作易于控制,元件性能一致性好;能促使器件向小型化和集成化发展;结构设计更加灵活,因之厚膜化具有重要意义.1 La_(1-x)Sr_xCo(1-y)Fe_yO_3厚膜的制造工艺     

Sn-Zn-Cu复合氧化物气敏元件的制备与性能

从环境材料的理念出发,以SnO2,ZnO和CuO 3种物质为原料,直接混合烧结制得6种不同成分比例的Sn-Zn-Cu复合氧化物气敏元件。对这6种气敏元件进行性能测试,结果发现:SnO2∶ZnO∶CuO摩尔比为1∶1∶1的气敏元件对丁烷有较高的灵敏度、较好的选择性和响应恢复性能,具有应用开发的价值。     

磁控溅射纳米SnO_2薄膜的气敏特性

采用磁控溅射制备SnO2薄膜气敏元件,测试了气敏元件的性能,研究了SnO2薄膜气敏元件薄膜厚度、元件加热功率和环境温度和湿度对元件的影响,气敏元件具有很好的灵敏度和选择性特性,对其敏感机理进行了探讨。     

Fe2O3/ZnO复合氧化物气敏元件的制备与性能

以Fe2O3和ZnO为原料,直接混合烧结制得7种不同烧结温度和原料配比的Fe2O3/ZnO复合氧化物元件,并对其进行气敏性能测试,结果发现:不同烧结温度和原料配比的Fe2O3/ZnO复合氧化物元件对不同的气体有不同的气敏性,烧结温度为800℃,Fe2O3∶ZnO摩尔比为0.5∶1的气敏元件对硫化氢具有较好的气敏综合性能.     

QM-Y1型ZnSnO_3气敏元件的研究

<正> 半导体气敏元件是一种“气-电”转换元件,目前进入实用阶段的有SnO_3系列、ZnO系列及Fe_2O_3系列。除Zn_3SnO_4的气敏性质有报导外,以ZnSnO_3为主体材料的气敏元件则至今未见文献和专利报导。本文研究了ZnSnO_3     

有限元方法在微结构气敏传感器设计中的应用

微结构气敏传感器是利用微电子,微机械和薄膜等技术制作的新一代的气敏元件。本文报道有凶方法在膜片型微结构气敏传感器设计中的应用。结果表明,有限元方法可用于模拟膜片上的温度分布和器件功耗,对器件结构有很好的指导作用。     

对H_2S气敏元件特性的改进

以ZnO为基体材料制作的H_2S气敏元件比SnO_2元件对H_2S气体的选择性和响应恢复特性有明显的改善。这为元件的实用化创造了有利的条件。     

钇,锶,钴复合氧化物气敏性质的研究

本文制备了钇、锶、钴复合氧化物,测量了 X 线分析,电子扫描显微镜分析以及它们的孔隙度、结晶粒度的大小。作成了气敏元件,测量了气敏元件的特性曲线,并讨论了它们的作用机理。一前言钙钛矿型 ABO_3型气体敏感材料,是继 SnO_2、ZnO 等敏感材料之后深入研究的一种