聚中性红/铁氰化镍/碳纳米管修饰电极的制备及其电催化过氧化氢的特性

采用循环伏安法在碳纳米管(CNTs)修饰的玻碳电极上合成聚中性红(PNR)/铁氰化镍(NiHCF)颗粒,并分别采用扫描电镜(SEM)、傅里叶红外(FTIR)、循环伏安法(CV)和计时安培电流法(CA)等方法考察了复合膜的微观形貌、结构和电化学催化性能。结果表明,复合膜为三维多孔有序的网络状结构,PNR和NiHCF以纳米颗粒形式存在并沿CNTs均匀分布。PNR/NiHCF/CNTs复合膜对过氧化氢(H2O2)表现出了优异的电催化性能并显示出了良好的协同效应。该复合膜电极对H2O2的催化还原电流与其浓度在6.25×10-6~3×10-3之间呈良好的线性关系,线性相关系数R=0.9989,检出限为1×10-7mol/L,同时具有较高的灵敏度1 455.9 mA·L/(mol·cm2),并且复合膜有良好的稳定性和重现性,可实际应用于H2O2传感器。     

碳纳米管/铁氰化镍/聚苯胺杂化膜对抗坏血酸的电催化氧化

采用循环伏安一步共聚法在碳纳米管修饰的铂基体上制备了立方体的铁氰化镍/聚苯胺/碳纳米管杂化膜;采用循环伏安法和计时电流法测试了杂化膜对抗坏血酸的电催化氧化性能;通过扫描电子显微镜(SEM)观察了杂化膜电极的表观形貌。结果表明,该电极对抗坏血酸具有较高的电催化氧化活性;在0.1 mol/L PBS和0.1 mol/L KNO3的溶液中,该杂化膜电极对抗坏血酸的催化氧化电流与其浓度在1×10-5～1.4×10-4mol/L呈良好的线性关系,相关性系数R=0.996 6,检出限为6.09×10-6mol/L,同时具有较高的灵敏度754.8 mA.M-1.cm-2,并采用计时电流法对抗坏血酸催化氧化的扩散系数和催化速率常数进行了研究。     

电沉积非晶态镍—磷合金镀层的性能及其应用

用电沉积方法研制了一种新型的Ni—P(含P9～11％Wt)合金镀层，通过X谢线检定其结构为非晶态，大量的性能试验表明，此镀层具有较优异的物理化学性能，可广泛应用于各种腐蚀性介质中，延长了使用寿命，经济效益显著。     

铜上采用镍过渡层化学气相沉积金刚石薄膜的研究

采用镍过渡层研究了铜基片上金刚石薄膜的化学气相沉积．镍过渡层与铜基底间在高温退火条件下形成的铜镍共晶体明显地增强了金刚石薄膜与铜基片之间的结合力．用扫描电子显微镜和激光Ｒａｍａｎ谱研究了薄膜的形貌和质量;采用高温氢等离子体退火工艺在基片表面形成的铜镍碳氢共晶体上抑制了无定形碳和石墨的形成,有利于金刚石薄膜的生长．金刚石薄膜的均匀性受到共晶体的均匀性的影响．     

镍-铁-磷/金刚石复合沉积工艺与性能研究

以三元合金为基体的复合电沉积层综合了一般耐磨镀层的性能和所镶嵌的固体微粒的性能.为开发新型多元非晶态合金耐磨复合沉积层,以复合沉积层耐磨减摩性为主要衡量指标并综合考虑其他性能指标,用正交试验法进行了镍-铁-磷/金刚石复合电沉积工艺与性能的研究.结果表明,在试验所采用的复合电沉积工艺控制范围内,可获得金刚石微粒弥散分布的镍-铁-磷/金刚石复合电沉积层,通过调整沉积工艺参数,能得到不同金刚石微粒复合量的复合电沉积层;在镀态下该复合沉积层(基质)呈非晶态结构;较佳综合性能复合层的电沉积工艺参数为:镀液中金刚石微粒(0.5～1.0 μm)含量6 g/L;NaH2PO2·H2O含量2 g/L;FeSO4·7H2O含量70 g/L,其对制备具有良好摩擦学特性的镍-铁-磷/金刚石复合沉积层具有重要的参考价值.     

纳米硅薄膜的低压化学气相沉积和电学性能研究

利用普通低压化学气相沉积技术在玻璃衬底上制备了大面积的纳米硅薄膜。不同温度下薄膜暗电导率的测试研究表明 ,薄膜的室温暗电导率随成膜温度的升高而增加 ,相应的电导激活能降低。热激活隧道击空机制可以较好地解释纳米硅薄膜特殊的电学性能。原位后续热处理研究表明 ,延长热处理时间以及采用低温成膜、高温后续退火的热处理方法均能有效提高其室温暗电导率。     

化学沉积法制备Ni—Cu—P／CNTs复合涂层及其表征

利用化学沉积法在45^#钢基体上成功制备出Ni—Cu-P／CNTs复合涂层，为了降低碳纳米管的长径比以及提高在镀液中的分散性，对其硝酸纯化、15min球磨处理，研究了沉积液组成对Ni-Cu-P／CNTs复合涂层沉积速率的影响，通过TEM、SEM和EDS表征了复合涂层的表面形貌和微观结构。结果表明：碳纳米管的分散性良好，在复合涂层中分布均匀，复合涂层在400℃热处理后结构更加致密，EDS表明复合涂层中碳纳米管的质量分数达到3．68％。     

化学沉积CoNiP薄膜的磁性及其在传感器中的应用研究

采用化学湿法沉积制备了Co-Ni-P磁性薄膜,研究了工艺条件对其磁性的影响,并对其作为磁旋转编码器磁鼓记录介质的记录特性进行了分析。研究结果表明,薄膜矫顽力和矩形比随施镀时间增加而下降。当施镀时间为3min时,Co-Ni-P薄膜矫顽力可达42506.4A/m,矩形比为0.55。X射线衍射及扫描电镜结果表明,随施镀时间增加,薄膜矫顽力下降,晶粒尺寸变大,并发生明显的择优取向。将化学沉积Co-Ni-P薄膜应用于磁旋转编码器的磁鼓记录介质,记录特性测试结果表明,输出信号良好,脉冲计数完整,波形良好,可完整写入2048对磁极。化学沉积Co-Ni-P磁性薄膜适合于高精度、高分辨率的磁旋转编码器的磁鼓记录材料。     

化学气相沉积技术在锂离子电池电极材料中的应用

化学气相沉积(CVD)是近年来发展起来的制备各种无机复合材料的一种新技术.简要介绍了CVD技术的原理和特点,分析了目前研究的各种锂离子电池正负极材料存在的问题,重点介绍了CVD技术在解决这些问题上的应用进展.     

化学沉淀法制备电极用纳米β-Ni(OH)_2粉体材料

通过化学沉淀法成功制备了电极用纳米B-氢氧化镍粉体。用TEM及XRD时样品进行分析,结果表明,所得产物为球形或椭球形,粒径在2～20nm之间,平均粒径为10nm左右,晶型为β型的纳米晶粒。实验得出了制备纳米氢氧化镍粉体的温度、氨水浓度与pH值的最佳参数。     

金属有机物化学气相沉积法沉积镍膜的影响因素

为了获得高速沉积镍膜的工艺参数，以羰基镍[Ni(CO)4]为前驱体，用金属有机物化学气相沉积法进行试验，以SEM，DSC，XRD测试分析技术探讨了载气、温度和羰基镍的摩尔分数对沉积速率的影响；也探讨了温度及羰基镍的摩尔分数对镍膜微观形貌的影响。结果表明，以氩气为载气比氦气为载气更容易获得高沉积速率；在沉积温度为150℃左右可获得沉积速率较快、微观形貌较好的薄膜；随羰基镍摩尔分数的增加，沉积速率也明显增大，同时薄膜的微观形貌也变得较为粗大，但达到30％之后，沉积速率增速减缓。     

PECVD法低温制备二氧化硅薄膜(英文)

针对金属层间介质以及MEMS等对氧化硅薄膜的需求,介绍了采用等离子增强型化学气相沉积(PECVD)技术,以SiH4和N2O为反应气体,低温制备SiO2薄膜的方法.利用椭偏仪和应力测试系统对制得的SiO2薄膜的厚度、折射率、均匀性以及应力等性能指标进行了测试,探讨了射频功率、反应腔室压力、气体流量比等关键工艺参数对SiO2薄膜性能的影响.结果表明:SiO2薄膜的折射率主要由N2O/SiH4的流量比决定,而薄膜均匀性主要受电极间距以及反应腔室压力的影响.通过优化工艺参数,在低温260℃下制备了折射率为1.45～1.52、均匀性为±0.64%、应力在-350～-16MPa可控的SiO2薄膜.采用该方法制备的SiO2薄膜均匀性好、结构致密、沉积速率快、沉积温度低且应力可控,可广泛应用于集成电路以及MEMS器件中.     

等离子增强型化学气相沉积条件对氮化硅薄膜性能的影响

等离子增强型化学气相沉积(PECVD)氮化硅技术是目前半导体器件在合金化后低温生长氮化硅的唯一方法.研究了由进口PECVD设备制备的氮化硅薄膜性质与沉积条件的关系,测定了生成膜的各种物理化学性能,详细探讨了各种沉积参数对薄膜性能的影响,提出了沉积优质氮化硅薄膜的工艺条件.     

微波等离子体化学气相沉积技术制备金刚石薄膜的研究

介绍了微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD）制备金刚石薄膜的研究情况，重点论述了该法的制备工艺对金刚石薄膜质量的影响及其制备金刚石薄膜的应用前景。     

预置镍化学气相沉积法制备定向碳纳米管(英文)

采用化学气相沉积法(CVD),在溅射了镍薄膜的硅基底上制备了定向碳纳米管薄膜。对镍薄膜的氨气预处理过程及其机理进行了研究。结果发现预处理后的岛状区域随着薄膜厚度的增加而增加,纳米粒子区域的变化则与之相反。对5nm的镍薄膜进行预处理能获得细化和均匀分布的纳米粒子,有利于定向碳纳米管的生长。碳纳米管的生长过程及其细微结构与温度有很大关系。碳源的分解、碳原子在催化剂内部的扩散以及催化剂粒子的团聚三者之间的竞争决定了碳纳米管的生长情况。本文分析了碳纳米管的顶部生长模式及该模式下催化剂粒子的形态变化。     

化学浴沉积法制备防污自洁聚偏氟乙烯膜

基于"荷叶效应"原理,利用聚偏氟乙烯(PVDF)涂膜构筑微米结构,氧等离子体诱导化学沉积法构筑纳米结构。采用接触角测量仪、原子力显微镜及X光电子能谱仪等研究了PVDF膜表面的微结构及化学组成与疏水性能的关系。结果显示,PVDF溶液涂膜后可形成直径8μm的微球,甲基三氯硅烷修饰的PVDF膜与水的接触角为157°;二甲基二氯硅烷/甲基三氯硅烷混合液修饰的PVDF膜的表面接触角为155°,滚动角2°;集灰实验证明,两种修饰方法制备的PVDF膜均具有良好的防污自洁性能。     

化学沉积法多晶硫化锌薄膜研究

本文报道在一定浓度范围的ＮＨ３－ＮＨ４ＡＣ－ＣｄＡＣ２－（ＮＨ２）２ＣＳ水溶液体系中５０～１００ｎｍ厚的器件质量硫化镉多晶薄膜的生长条件研究．透明高密度的ＣｄＳ薄膜沉积的最佳条件已经获得．ＳＥＭ分析表明硫化镉膜晶粒大小为５０～１００ｎｍ二在玻璃上和ＳｎＯ２：Ｆ／玻璃上的ＣｄＳ膜具有强的定向选择晶面．８０ｕｍ厚的硫化镉膜暗电阻率是１０３～１０４Ω·ｃｍ数量级，光电导比是１００～２００范围，光禁带宽度是２．４４ｅＶ．同时对水溶液中硫化镉成膜条件作了研究．     

热丝法沉积金刚石膜工艺参数优化的微观机理与预测

弄清化学气相沉积金刚石膜的机理对优化工艺参数具有指导意义。在前期工作中，作者辨析了氢原子、甲基和乙炔在金刚石膜沉积中的作用。本文建立了两个微观指标，即甲基浓度和氢原子与乙炔浓度的比值，分别对应生长金刚石和刻蚀非金刚石碳。通过对G-H和G-H-O反应气氛的模拟，讨论了这两个指标与灯丝温度、气源组成和气压的关系，并构建了含氧气氛生长金刚石的G-H-O三元相图。对热丝法沉积金刚石膜的工艺参数的优化选择进行了机理分析与预测。为工业化生产金刚石膜提供了参考。     

APCVD制备氮化硅薄膜的微观结构

以ＳｉＨ４和ＮＨ３作为反应气体,用常压化学气相沉积（ＡＰＣＶＤ）法在平板玻璃表面制备出了氮化硅薄膜,研究氮化硅薄膜的形貌和微观结构,研究结果表明：在６６０℃温度所获得的氮化硅薄膜为非晶态,氮化硅薄膜与平板玻璃基板之间的界有熔焊现象,结合牢固。