发光二极管的反偏电容和电导特性研究

发光二极管(LED)在反向偏压工作状态下的电学特性在一定程度上反映PN结中载流子的传输特性。本文对反偏状态下LED的电容电导特性进行了研究,通过在直流偏置上叠加交流小信号,得到了LED反偏电容和电导随频率变化的关系。实验结果表明,随着频率的增加,LED反偏电容减小,反偏电导增加。不同I-V特性的LED具有明显不同的反偏电容电导特性。分析认为,PN结的隧穿电流和表面漏电流是引起以上现象的主因;反偏电容和电导特性可作为对LED评价的重要参数指标,实现产品质量筛选。     

利用集成光学调制器实现ICF固体激光驱动器中激光脉冲任意整形——Ⅰ.任意整形电脉冲发生器

本文利用GaAs场效应晶体管电压控制电流和开关特性成功研制了任意整形电脉冲发生器,该整形电脉冲发生器的每个基元电路产生的基元电脉冲形状和宽度与加在栅极的触发信号相同,幅度由加在GsAs场效应晶体管上的负偏压决定,各基凶电路产生的用于叠加的基元电脉冲相互独立,使计算机控制栅极偏压进而控制整形电脉冲的形状成为可能。     

光照对锑化铟p-n结的噪声和其它一些特性的影响

研究了在T=77°K时的锑化铟p-n结在各种偏压和照度下的低频(频率=20赫-20千赫)噪声频谱。发现在无光照时,欧姆漏电流起伏是电流噪声的主要原因。只是在足够大的正偏压时,才发现空间电荷区有电导起伏。光照期间光电流的起伏对过剩噪声有很大的影响。表明在空间电荷区内产生了电流起伏,其起伏程度不仅取决于电压的偏压值,而且也取决于照度级L。还发现P-n结的其他一些特性也都以照度级为条件:二极管的光电效率随照度级L的增大而降低,并且在恒偏压下测定的p-n结正电流以及空间电荷区的等效微分电导都有增大。这种变化可解释为空间电荷区内的载流子寿命缩短了,或空间电荷区的宽度增大了。引证了一些宗数,来证明这个论点:即仅在以电流电导的特殊机理为表征的空间电荷区的某些区内,产生电导的过度起伏。     

8-羟基喹啉铝/镁结接触特性研究

在常温下测量了ＩＴＯ／８－羟基喹啉铝／Ｍｇ／Ａｇ结构的有机结型器件的电容－电压和伏安特性．它与常见的半导体结型器件特性有很大不同．在小偏压下，界面附近的空间电荷和表面层积累的载流子共同决定对器件的界面特性．在高偏压下，隧穿注入的载流子在膜层内的漂移对器件的电学特性产生主要影响．     

电子束碰撞电离半导体器件

美国无线电公司等四家公司正在研制兼有半导体长寿命特性和真空管大输出特性的新型电子器件。相对于半导体靶,在电子枪上所加的偏压为负10千伏。靶是加反向偏压的二极管,电子束未碰撞它时,只有漏电流流动;电子束碰撞它时,就有正比于电子束能量的靶电流流动,故可以用来作为放大器。     

用扫描电镜观察氧化铅靶层P-I-N结

正 氧化铅摄象管靶是一种有结光电导靶。为了保证靶的暗电流、灵敏度、分辨力等性能,这种靶应具有P-I-N结构。在靠近透明电极一面应为很薄的N型区;靶的主要部分应为电阻率较高的本征层(Ⅰ层);而在邻近自由表面处则应该是很薄的P层。为了充分发挥有结光电导靶的性能,有必要直接观察判断P-I-N结。但是由于氧化铅靶实际上是一个微晶组成的疏松层,所以观察单晶半导体结的通常方法在这里已不适用。多年来未见有报道这方面的观察结果,其原因或许就是直接观察不容易。近年来,我们试用扫描电子显     

晶界层电容器的C—V特性

本文从理论上解释了由半导体晶粒间的绝缘晶界以及晶界两侧的SI结和IS结势垒三者组成的晶界层电容,在低偏压下的C-V特性.指出了绝缘晶界和结势垒对C-V特性的不同影响,分析了高偏压下C-V和I-V特性相关性的物理本质.     

重庆光电技术研究所部分新产品简介

GT5560T型InGaAs/InP APD一工作原理该器件是一种反偏置工作器件。在高反偏压作用下器件“拉通”,光照下吸收区所产生的光生载流子越过异质结在倍增高电场加速下,高速撞击半导体材料晶格产生新的电子-空穴对,这种过程不断重复,产生雪崩倍增,从而获得放大的信号电流。二结构及特点     

基于CPLD的面阵CCD驱动电路设计

在透射电子显微镜相机的研制中,针对SONY行间转移面阵CCD ICX285AL图像传感器,设计了一款基于CPLD的面阵CCD驱动电路。以Altera公司的CPLD芯片EPM570T100作为时序发生器产生CCD驱动信号和相关双采样控制信号,并搭建了驱动器电路和直流偏压电路。在QuartusⅡ13.1开发环境下利用Verilog HDL语言编程,并利用Model Sim SE 10.1进行仿真测试。实验结果表明,以CPLD为核心的驱动电路能够产生符合CCD要求的驱动脉冲和偏置电压,可稳定地输出CCD视频信号。     

晶体管电路讲座(二)

二、半导体三极管低频小信号网络特性半导体三极管在电路中使用时可以有三种不同的联接方式即:共基极、共发射极及共收集极.见图14.无论那种电路联接,在正常工作时都必须使发射结处于正向偏压,收集结处于反向偏压.由于电路的联接形式不同,它们的静态特性也略有不同,见图15.从三种联接形式的电路工作情况,不难了解它们的特性.     

高分辨率SS型摄像管伪信号的成因及防止

本文研究了高分辨率SS型摄像管伪信号产生的原因。认为由靶返回的电子束轰击栅极G_2产生反射电子束,再轰击靶面形成伪信号。消除伪信号可在栅极G_2上设计偏转反射束R_2的电极板,也可在栅极G_2前增加反射R_2的电极板。     

异质结谷间转移电子器件在8mm波段输出320mW

<正>当能带结构不同的半导体材料组成异质结构时,体材料的周期性势场受到破坏,产生了有趣的能带混合效应。如果把直接带隙半导体同间接带隙半导体组成异质结构,那么,在适当的偏压作用下就能把某一能谷的入射电子转换成另一能谷的输出电子,产生异质结谷间转移电子效应。利用这一效应设计成新的异质结谷间转移电子器件。首先在n~+-GaAs衬底上用MBE     

毫微秒脉冲发生器的光启动开关

由于光启动半导体开关能在千伏电平快速开关,因此,近年来,它们越来越受到人们的关注。根据这个实际装置设计的脉冲发生器在很高脉冲重复频率(大于100kHz)时能够产生极窄的脉宽(小于2ns)在今后高分辨率毫米波系统中,这种脉冲发生器将很有用途,可调制栅控管。如长区管和行波管。本文利用钕-钇铝石榴石和砷化镓激光器阐述了纯硅的开关特性。把半导体试样放到50Ω的传输线上,末端是50Ω负载。对于采样的各种光输入和偏压电平测量了增大的电导率(代表开关效率)、上升时间和恢复时间。脉冲偏压允许使用高压(达3kV)。用载流子传送模型说明了测量结果。总的说来,结果证明光启动半导体很适于高速调制器的应用。     

MoS2势垒层磁性隧道结的温度-偏压特性研究

MoS₂是一种具有特殊能带结构的二维半导体材料,当层数较少时,其带隙会随层数显著减小。因此,基于MoS₂势垒层的磁性隧道结会展现出更丰富的物理特性。文章通过理论计算分别得到了单层、双层、三层以及五层MoS₂势垒层磁性隧道结的温度-偏压相图,研究了铁磁电极半交换劈裂能对相图特性的影响。计算结果表明：单层和三层MoS₂势垒层磁性隧道结适合应用于低温器件中。其中,单层MoS₂势垒层磁性隧道结在高功率工作环境下具有优异的性能。双层MoS₂势垒层磁性隧道结的优化区域位于室温和低偏压区,因此适用于信息存储领域。五层MoS₂势垒层磁性隧道结可通过调节铁磁电极参数使其工作在较宽的功率范围内。上述研究结果为MoS₂势垒层磁性隧道结的应用奠定了坚实的理论基础。     

热电视象管网格化靶的制备和性能

热电视象管的空间分辨率可用热电靶面网格化得到有效的改善。本文描述在氘化硫酸三甘肽(DTGS)上制备高质量网格化视象管靶技术和结构的进展。网格化靶结构尺寸利用理论分析的结果进行选择。网格化靶用低能离子束铣DTGS薄靶制得。本文描述这种材料的离子束刻蚀特性,讨论了掩模材料、支撑层和信号电极的选择。仔细研究大量视象管的靶表明,成象的性能和象质之所以有差别,乃是靶的形状和刻蚀过程不一引起的。研制得到最佳的靶面制备和工艺流程,使分辨率得到有效的改进,并超过平面靶管,从而取得令人满意的图象。     

含双δ势垒铁磁/半导体/铁磁异质结隧穿电导的性质

研究了含双δ势垒的三终端铁磁/半导体/铁磁异质结隧穿电导的性质,结果表明:隧穿电导随半导体长度的增加作周期性等幅振荡,δ势垒强度、Rashba自旋轨道耦合强度、外加磁场强度及方向对隧穿电导均有不同的影响.     

PIN二极管调制器

一、前言PIN二极管是硅双扩散结由本征Ⅰ层分隔为P区和N区的一种器件,它在微波频段的行为,犹如一个电控可变电阻,外控偏压控制它的载流子浓度,使得它的阻抗随正向偏流变化而变化,变化范围可从几千欧到1欧或更小。利用PIN二极管的这种电导调制效应,就可做成各种电控装置,如开关、调制器、限幅器、电控衰减器等。采用PIN二极管调制器,调制信号不直接加到微波管上,而是加到振荡器的输出     

晶体管的放大和开关作用

晶体管有三个区-发射区、基区和集电区,三个区各引出一根电极(e、b、c);有两个PN结,发射区和基区间的PN结称为发射结,集电区和基区间的PN 结称为集电结;由两层N型半导体中间夹着一层P型半导体的称为NPN管,由两层P型半导体中间夹着一层N 型半导体的称为PNP管。本文介绍晶体管的放大作用和开关作用。     

用异质结构控制GaN阴极电子发射

从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发,研究了GaN异质结构上偏压变化时异质结电场的变化。发现异质结量子阱能把外电场屏蔽在异质界面以外。利用这种异质结量子阱的屏蔽效应,可以使外电场都降落在异质结表面来控制表面势。为了把表面电势剪裁成半导体阴极所需的陡直下降的电势结构,进一步深入研究了双势垒异质结的电场结构,发现外面的异质结能屏蔽里面异质结的势垒。利用这种双势垒异质结的屏蔽效应设计出可由偏压直接控制电子亲合势的异质结构,从而为半导体阴极开辟出一条新的研究途径。     

晶体管的放大和开关作用

晶体管有三个区-发射区、基区和集电区,三个区各引出一根电极(e、b、c);有两个PN结,发射区和基区间的PN结称为发射结,集电区和基区间的PN结称为集电结;由两层N型半导体中间夹着一层P型半导体的称为NPN管,由两层P型半导体中间夹着一层N型半导体的称为PNP管.本文介绍晶体管的放大作用和开关作用.