三相逆变器中IGBT的几种驱动电路的分析

对几种三相逆变器中常用的IGBT驱动专用集成电路进行了详细的分析，对TLP250、EXB8系列和M579系列进行了深入的讨论，给出了它们的电气特性参数和内部功能方框图，还给出了它们的典型应用电路。讨论了它们的使用要点及注意事项。对每种驱动芯片进行了IGBT的驱动实验，通过有关的波形验证了它们的特点。最后得出结论：IGBT驱动集成电路的发展趋势是集过流保护、驱动信号放大功能、能够外接电源且具有很强抗干扰能力等于一体的复合型电路。     

一种IGBT驱动模块设计

提出了大功率IGBT驱动模块具体研制方案,构建了驱动模块功能框图,完成了模块的设计,结合电路介绍了模块功能的实现方法。此驱动器具有良好的驱动性能和完善的保护功能,具有高可靠性、高共模抑制比、高隔离电压、自带驱动电源、驱动功率大等特点。最后对驱动电路进行仿真分析,并对模块样机进行测试。仿真与测试结果证明,本文提出的高压隔离型驱动方法和驱动模块实现方案具有良好的驱动与保护性能、可靠性高。     

1700V沟道和软穿通IGBT配套的高性能CAL HD二极管

IGBT是现代逆变器的主功率器件，续流二极管是其不可缺少的搭档。     

IGBT驱动集成电路的保护特性研究

本文阐述了ＩＧＢＴ驱动集成电路的过流保护原理,着重了ＩＧＢＴ保护电路的设计思路。     

一种IGBT的实用驱动电路

给出了一种ＩＧＢＴ的驱动电路,采用脉冲变压器耦合隔离与高频调制技术,驱动侧无需单独电源,传递信号的占空化可在大范围变化。     

一种用于大功率IGBT的驱动电路

对大功率IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor,绝缘栅双极型晶体管）的开关特性、驱动波形、驱动功率、布线等方面进行了分析和讨论,介绍了一种用于大功率IGBT的驱动电路。     

1140V链式STATCOM IGBT尖峰抑制与驱动电路设计

针对大功率链式STATCOM中的IGBT模块关断时产生的尖峰问题,本文首先对IGBT尖峰产生机理进行了详细的分析,在此基础上提出了低杂散电感和简化缓冲电路的设计.通过合适的器件选取和叠层母线的设计应用来降低回路中的杂散电感,再加上简化的缓冲电路,能够有效地抑制尖峰电压,保证IGBT工作在安全工作区内,减少系统损耗.给出...     

一种脉冲变压器隔离的IGBT驱动电路的设计研究

本文着重分析了变压器隔离驱动的技术特点,讨论了保护电路的基本要求,给出了一个具有保护功能的IGBT驱动电路和关键参数设计。分析及试验表明,该驱动电路简单、适用、可靠。     

一种IGBT专用驱动电源模块的设计方案

介绍了一款针对IGBT的使用特点而设计的开关电源,专为IGBT驱动芯片供电。重点分析了IGBT工作的特点,及对供电电源的特殊要求,以及如何设计一款适用于IGBT工作系统的电源模块,并给出了实测参数。     

IGBT驱动和保护问题

对于变频器IGBT驱动保护问题来说,驱动就是使IGBT按需要工作,即使之导通和关断,IGBT是一个双极型电压控制的全控型电力电子开关,只需在栅射极间加一个所需电压或反电压就可以。但由于IGBT驱动、保护方式直接关系列IGBT寿命、输出波形畸变率,甚至包括系统可靠性与稳定性,这样就不那么简单并且需要深入研究。IGBT的驱动电路很多,分立元件搭成的驱动电路简单且廉价;专用集成驱动电路保护功能完善、性能稳定,但价格稍贵些。现在一般都选用商品化的驱动集成电路或模块作为驱动保护器件,     

一种基于EXB841的IGBT驱动与保护电路设计

叙述了绝缘栅双极型晶体管IGBT对驱动和保护电路的要求以及设计其驱动和保护电路时应注意的问题。以EXB841为例,介绍了一种实用的功率IGBT驱动和保护电路。该电路具有很好的性能。     

一种适用于桥式变换器的IGBT高频驱动电路

针对IGBT对驱动电路的要求，提出并分析了一种廉价的、适用于桥式变换器的IGBT高频驱动电路，给出了设计时需要注意的问题。该驱动电路不但工作频率高、实现容易，还可克服常用IGBT驱动器的缺点。     

IGBT的驱动与保护电路研究

对电力电子功率器件IGBT的开关特性、驱动波形、功率、布线、隔离等方面的要求和保护方法进行了分析和讨论 ,介绍了IGBT的几种基本驱动电路和一种典型的集成驱动电路的应用     

压接式IGBT模块的开关特性测试与分析

随着柔性直流输电技术朝着更高电压等级、更大系统容量方向的发展,作为其中关键设备的换流阀和混合式直流断路器对大容量IGBT器件的封装特性和电气性能提出了更高要求。与焊接式IGBT相比,压接式IGBT具有功率等级更高、开关速度更快、易于串联等优点,成为柔性直流输电的优选器件。为系统掌握压接式IGBT模块的应用特性,设计了基于双脉冲测试原理的压接式IGBT模块开关特性的测试平台。基于测试结果,分析了不同压接力、负载参数和结温条件对压接式IGBT模块开关特性的影响规律;并从器件封装特性和半导体物理层面、初步探讨了压接式IGBT模块开关特性的变化机理,为其在大功率电力变换领域的推广和应用提供参考。     

针对高压IGBT的改进瞬态模型

为准确表征绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的物理特性,在典型IGBT开关瞬态模型的基础上提出一种改进的高压IGBT瞬态模型。首先基于半导体物理理论,对典型IGBT开关瞬态的建模过程进行了简要分析和推导,并在此基础上针对高压IGBT的宽基区结构特点,考虑基区载流子复合过程对IGBT开关瞬态的影响,建立了一种改进的高压IGBT瞬态模型。最后将建立的模型在Saber仿真软件中实现,并在25℃和125℃工况下进行了双脉冲仿真,以一种3 300 V/1 200 A IGBT模块为例搭建测试电路,对改进的瞬态模型进行实验验证。实验结果表明：提出的改进模型将25℃下IGBT关断时间的误差由26.5%降低至1.5%,关断损耗的误差由60.93%降低至8.92%;该模型将125℃下IGBT关断时间的误差由14.5%降低到4%,关断损耗的误差由61.68%降低到11.35%。研究结果为IGBT的应用设计提供了更为准确的仿真模型。     

PFN充电高压电源的IGBT驱动电路设计

介绍了用于速调管调制器逆变恒流高压充电电源的IGBT驱动电路设计,以及IGBT驱动器2SD315A模块的原理和保护电路设计方法,并进行了实验,给出了有关的实验波形。实验结果表明合理地计算选择电路参数,驱动电路具有可靠的过流保护功能。     

IGBT集成驱动模块的应用研究

详细的介绍了一种ＩＧＢＴ集成驱动模块Ｍ５７９６２ＡＬ的工作原理和特性以及短路保护的特点,重点讨论了在实际应用中的注意事项,并给出了有关的实验波形。     

电动汽车用大功率IGBT模块封装技术

绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)模块是电动汽车的核心部件,针对电动汽车应用环境特点,设计一款大功率IGBT模块封装方案,从功率芯片、直接覆铜(direct bonded copper,DBC)基板、功率电极、控制电极及环氧树脂层等多个方面介绍该方案的特点。实验测试结果证明,该封装设计方案样品特性良好,满足了电动汽车应用的要求。     

大电流高频IGBT用M57962L驱动能力解决方案研究

本文介绍了M57962L对IGBT开关器件的驱动与保护原理,并为SKM600GB126D1200V/600A型号的IGBT设计了专用驱动保护电路。针对异步电机用逆变器进行了实验测试,重点分析并解决了M57962L在大电流高频IGBT驱动应用中遇到的问题。