双极晶体管的1/f噪声参数fL和γ的测量提取——噪声电流谱测量法

晶体管低频噪声主要是1/f噪声,其参数f_L和γ的测出,不仅对低频低噪声设计,而且对于研究半导体噪声机理以及应用它来分析半导体内部缺陷或表面清洁处理情况都有着重要意义。本文给出了双极晶体管的1/f噪声参数的测量方法、系统及实例,获得了已有噪声测量系统所不能给出的参数。     

确定BBOS对称序列左右界顶点子集的一个通项公式

根据本文作者之一(1991)提出的S_BOS相邻逻辑对称序列的性质,给出确定S_BOS对称序列左右界两顶点子集的一个通项公式。这对于利用“对跳定界搜索”法快速实现S_BOS对称序列,提供了一个选择定界范围和实用算法的依据。     

模拟电路故障诊断L1估计及其神经网络解法

基于精确罚函数法,提出了新的求解L₁范致问题最优解的神经网络方法,它避免了Kennedy和Chua(1988)网络罚因子较大时性态变坏问题。对Bandler(1982)提出的模拟电路故障诊断L₁范数法进行了改进,将线性约束L₁问题转化为非线性约束L₁问题,并用新的神经网络方法求解,计算量小。模拟实验表明,所提神经网络方法和改进的模拟电路故障诊断L₁范数方法是可行的。     

SBOS相邻逻辑对称序列构造与实现方法

本文基于布尔序集相邻逻辑对称关系的二分枝树T_BOS结构模型的研究,从中找出布尔序集相邻逻辑对称序列S_BOS关系的内在规律,进而提出用S_BOS构造的新方法,来实现N维布尔序集唯一相邻的逻辑路径问题。文中介绍了“对跳定界搜索”方法,对工程应用有着实际意义。     

“与密钥模2~n加运算”的差分性质研究

“与密钥K模2n加”－Y=X+Kmod2ⁿ是密码算法中一个常用的基本编码环节,在SAFER++,RC6 Phelix等算法中有广泛的应用。该文对Y=X+Kmod2ⁿ进行了差分分析,首次给出了当差分转移概率取最大值1,次大值1-1/2^n-2,次小值1/2^n-2以及1/2时,输入差,输出差及密钥的结构特点和计数公式。     

TiO2陶瓷晶界层电容器的研究

本文对TiO₂陶瓷晶界层电容器进行了较为系统的研究。用液相喷雾干燥法制备含Nb⁵⁺,Ba²⁺微量杂质的TiO₂超细原料粉末,研究了TiO₂陶瓷的电性能与烧结温度和测试条件的关系,阐述了TiO₂晶界层电容器的形成机制。     

开槽耦合型H01οH0nο模式变换器

本文叙述了一种新型的开槽耦合型H₀₁^οH_0n^ο 模式变换器的设计原理、制作技术以及在8mm波段的实测结果。它显示了宽带特性。在32-37GHz的频带内,输入驻波比低于1.1;变换损耗低于1dB;杂模H₀₁^ο幅度低于－15dB。     

α-Fe2O3薄膜的制备、结构和气敏特性

采用等离子增强化学气相淀积工艺(PECVD)制备出了Fe₂O₃薄膜。用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了薄膜的结构、表面形貌和粒度。研究了薄膜对乙醇、液化石油气、煤气和氢气的敏感特性。结果表明所研制的薄膜对乙醇有较高灵敏度,其检测下限可达1ppm,而对液化石油气、煤气和氢气不太敏感,具有优良的选择性。     

基于Uh门的三值触发器和时序电路设计

本文根据基于模代数的各种三值触发器的次态方程,提出用U_h通用门实现各种三值触发器。在此基础上,利用U_h门阵列实现三值时序电路。     

封闭循环TEA CO2激光器用催化剂的实验研究

在不同的催化剂和不同温度的条件下,用磁氧分析仪监测了封离型TEA C0₂激光器中O₂含量随时间或脉冲次数的变化。对实验现象进行了分析。对几种催化剂的特性给出了详细的比较。     

模2n加整体逼近模2加产生的噪声函数的概率分布研究

该文证明了模2n加变换以6种不同的方式整体逼近模2加时产生的噪声函数取值概率的数值分布相同,给出了6种噪声函数的概率分布之间的相互转化关系,并给出了6种整体逼近所产生的噪声函数的取值概率的计算公式以及概率值平方和的计算公式,并修正了三元模2加整体逼近模2n加时所产生的噪声函数取值概率的平方和的计算公式。这些结论在区分攻击中有一定的应用价值。     

基于lk范数的SAR复图像域正则化方法分析及改进

正则化方法通过增加先验信息约束实现合成孔径雷达(SAR)图像的超分辨和噪声抑制,为目标识别提供了更高质量的图像信息。该文通过对基于lk范数的SAR复图像域正则化方法迭代过程的分析,揭示其增强分辨率的内在机理,并针对原有方法在不同强度散射点条件下分辨率提高不一致的问题,提出采用可变的正则化参数对其进行改进。仿真数据和MSTAR实测数据的实验结果证实了改进方法的有效性。     

集成运算放大器同相和反相形式的E_n-I_n噪声分析和比较

本文通过分析和比较同相和反相放大器E_n-I_n噪声的特点,给出了若干新结果。本文方法在低噪声运放电路设计和运放噪声参数提取中都具有十分重要的意义。     

Low-frequency low-noise circuits design using an E n-In model

In view of the limitations of a R _n-G_n model in the low frequency range and the defects of an E _n-I_n model in common use now, this paper builds a complete E _n-I_n model according to the theory of random harmonic. The parameters for the low-noise design such as the equivalent input noisy voltage E _ns, the optimum source impedance Z _sopt and the minimum noise figure F _min can be calculated accurately by using this E _n-I_n model because it considers the coherence between the noise sources fully. Moreover, this paper points out that it will cause the maximum 30% miscalculation when neglecting the effects of the correlation coefficient γ. Using the series-series circuits as an example, this paper discusses the methods for the E _n-I_n noise analysis of electronic circuits preliminarily and demonstrates its correctness through the comparison between the simulated and measured results of the minimum noise figure F _min of a single current series negative feedback circuit.     

氧分压影响SnO2气敏传感器响应的机理

本文报道了一种SnO₂气敏传感器敏感机理的新模型。SnO₂晶粒表面势垒由3个过程控制:(1)氧吸附(作电子受主)和脱附,(2)还原性气体吸附(作电子施主)和脱附,(3)表面氧化还原反应。据此可以很好地解释实验中发现的氧分压对气敏传感器响应的影响。     

砷化镓气相外延中Zn的行为和微光材料的制备

在Ga-AsCl_3-H_2系统中用金属Zn为掺杂剂,研究了气相外延GaAs时Zn的掺入和行为。GaAs中Zn的分配系数和空穴浓度分别为10和大于10~(20)cm~(-3),它们都比掺Cd的GaAs大2—3个数量级。这保证了用以制备光阴极材料所需的高空穴浓度的P-GaAs。结合掺Zn和掺s,已重复制得界面良好的P-n结构材料。     

一种提高红外焦平面阵列盲元检测精度的方法

针对红外成像系统在条纹噪声和非均匀性噪声干扰下盲元检测精度差的问题,提出了一种将小波滤波和“3σ”原则相结合的盲元检测新方法。首先用小波变换对含有条纹噪声和非均匀性噪声的图像进行预处理,再用“3σ”原则对其进行盲元检测。仿真结果表明该方法消除了噪声对盲元检测的影响,有效地解决了“3σ”原则检测精度低的问题。