"魔法"激光划片-MAHOH

划片工艺概述划片工艺隶属于晶圆加工的封装部分,它不仅仅是芯片封装的核心关键工序之一,而且是从圆片级的加工(即加工工艺针对整片晶圆,晶圆整片被同时加工)过渡为芯片级加工(即加工工艺针对单个芯片)的地标性工序。从功能上来看,划片工艺通过切割圆片上预留的切割划道(street),将众多的芯片相互分离开,为后续正式的芯片封装做好最后一道准备。划片工艺的发展历程在最早期,人们通过划片机(Scriber)来进行芯片的切割分离,其过程类似于今天的手工划玻璃,用金刚刀在被切割晶圆的表面刻上一道划痕,然后再通过裂片工艺使晶圆沿划痕分割成单个芯…     

ADT7100划片机的使用和维护

划片是电子器件封装工艺中重要的工艺之一,是将一整片晶圆切割成每个独立的个体,芯片切割的质量直接影响封装的质量和器件的性能。划片机有SAW类型的划片机,还有激光划片机。作者多年以来一直从事划片工艺,现对在用的ADT7100机器的结构、维修和维护作介绍,同时简单分析划片工艺。     

超薄圆片划片工艺探讨

集成电路小型化正在推动圆片向更薄的方向发展,超薄圆片的划片技术作为集成电路封装小型化的关键基础工艺技术,显得越来越重要,它直接影响产品质量和寿命。本文从超薄片划片时常见的崩裂问题出发,分析了崩裂原因,简单介绍了目前超薄圆片切割普遍采用的STEP切割工艺。另外,针对崩裂原因,还从组成划片刀的3个要素入手分析了减少崩裂的选刀方法。     

MEMS划片技术的现状与技术革新

MEMS独特的结构和特性,给划片工艺带来了巨大的挑战.介绍了传统砂轮划片技术在MEMS芯片生产中的局限性,指出了隐形激光划片技术的优越性,综述了激光划片技术在MEMS划片中的应用,对几种较成熟的先进激光划片技术进行了比较,对各自的工作原理、特点、工序作了重点阐述,并对MEMS划片技术的发展前景作了展望.     

硅片划片加工

<正> 硅片制备后经过一系列半导体工艺,制成规则排列的器件。最后采用划片工艺,将器件切割分离,供线焊封装。划片方法有划裂、激光划片、金刚石划片。古老的划裂法无法得到整齐切缝,致使高速粘片机无法准确取放,并常常伴有裂纹倾向。划裂后还要作第二步裂片,生产率低。激光划片速度很快,但是设备投资、维修费用很高,划片中     

CO2激光在陶瓷划片,切割及打孔上的应用研究

研制了一台ＣＯ２激光陶瓷划片，切割，打孔机，确定了不同厚度陶瓷片的划片、切割、打孔工艺。     

金刚刀划片过程中的崩缺问题应对方案

本文针对金刚刀划片崩缺问题,对比双刀划片和单刀划片试验,分析了崩缺产生的原因,提出了窄划片槽晶圆金刚刀划片崩缺问题的应对方案。金刚刀划片采用双刀划片降低崩缺风险优于单刀划片工艺,双刀划片刀宽度越窄有利于降低崩缺,第一刀切深1/3厚度有利于降低崩缺风险。     

晶圆切割中背面崩裂问题的分析

半导体技术不断发展,越来越多的新材料、新工艺应用在晶圆制造中。这对封装核心工序的划片工艺提出了很大挑战。在划片工艺中背面崩裂的控制是一个难点。文章主要是从工艺材料、工艺条件、划片刀以及设备四方面分析产生背面崩裂的主要因素以及优化方法。同时介绍了两种控制背面崩裂较有效的切割工艺：减少应力的开槽切割工艺和DBG工艺。     

射频激光对氧化铝陶瓷基片划片的研究

分析了RFCO2激光陶瓷基板划片的机理及工艺参数选择的原则。通过数值模拟和实验,分析了脉冲频率、脉冲宽度、划片速度、辅助气压大小、离焦量等工艺参数对激光划片质量的影响。     

602(M)型砂轮划片机的微机改造

<正> 602和602(M)型砂轮划片机是美国MAI公司八十年代初的产品,它是该公司1006型自动砂轮划片机的前身,其水平相当于日本DISCO公司的DAD—2H/5型划片机。我国半导体器件厂在八十年代初引进了大量该种划片机,如今役龄已十年有余,许多机器已从生产线上退了下来。总的说来,该机的机械部分尚能运转,而电气部分故障频繁,甚至无法正常工作。我们对机电部某元器件厂的两台由美国MAI公司搭送,且一直未开起来过的602型砂轮划片机进行了微机改造,采用MCS—51系列单片机控制,不但使机器恢复了正常工作,而且使操作更加方便,自动化程度更高,机器还具备了各种保护功能,经过在元器件厂的使用证明,对602(M)型砂轮划片机的微机改造是成功的。     

半导体封装领域的晶圆激光划片概述

介绍了半导体行业的发展,晶圆激光划片技术的特点、激光划片系统的组成与其在实际过程中应用。     

新一代晶圆划片技术

随着半导体及电子业技术的发展和消费市场无止境的需求,传统的划片(Dicing)技术,在许多方面已经无法满足业者的需求,代之而起的是激光划片(Laser Dicing)技术。而激光固然有某些优势,却亦有其缺陷。无论如何,激光引领划片的潮流,来势汹汹,难以抵檔。     

蓝宝石片的皮秒激光划片工艺研究

由于具有硬度高、热导低及脆性大的特点,蓝宝石材料的精细加工较为困难。对皮秒脉冲激光用于蓝宝石片划片的特点进行了分析和讨论。在此基础上,对用于红外焦平面组件封装的蓝宝石片的皮秒激光划片参数进行了研究,并得到了一系列优化参数。对于红外焦平面阵列封装中常用的厚度为0.4 mm的蓝宝石过渡电极板,在组合划片参数为P(100) X(0.01/20) Y&Z(12) Z(0.1/3)时达到了最佳划片效果。分析了激光功率参数变化对划片的影响,并对实际划片操作中的一些问题进行了探讨。     

Method of analyzing silicon groove damage using QSS‐PC,PL imaging,silicon etch rate,and visual microscopy for solar cell fabrication

This work uses a variety of tools to investigate damage caused by laser and dicing saw grooving in silicon. The tools comprise quasi steady state photoconductance decay, photoluminescence imaging, measurement of silicon etch rate in anisotropic etch solution, and visual microscopy. Shallow grooves were formed using a 532 nm Q‐switched Nd:YLF frequency doubled solid state laser and a high speed spindle dicing saw. Combined analysis of the characterization tools enabled determination of the damage radius of the grooves within the bulk of the wafer, the radius of damage in the dielectric layer laterally along the surface of the wafer, as well as the groove etching requirements to fully recover the minority carrier lifetime in the vicinity of the groove. Copyright © 2011 John Wiley & Sons, Ltd.     

半导体晶圆激光切割新技术

激光切割半导体晶圆具有切槽窄、非接触式加工和加工速度快等特点,但仍然存在材料重凝、热影响区较大和易产生裂纹等问题。为了解决这些问题,分析了问题的成因,并分别从激光器、光学系统和加工介质3个方面详细介绍了一些新型半导体晶圆激光切割技术,阐述其基本原理,分析其优缺点及主要应用和研究领域,为进一步研究和工业化应用提供了技术参考。     

晶圆划切工艺与优化

在研究晶圆划片机划切工艺的基础上,分析了划切的质量缺陷和划切质量评估矩阵,阐述了影响划切质量的诸多因素。介绍了划片刀、承载薄膜、划切模式、划切冷却水的添加剂和划切参数的选择对划切质量的影响,通过对以上5个方面的优化来达到优化工艺的目的,同时还提出了将砂轮划片和微水导激光划片相结合的新划切工艺。     

晶圆切割崩裂的成因和预防措施探讨

随着电子技术的发展,对集成电路封装工艺的要求越来越高。封装核心工序中划片工序造成的晶圆崩裂问题是一个工艺难点,也是制约封装行业发展的瓶颈之一。本文主要对晶圆崩裂的机理进行了分析,探讨了晶圆切割过程中影响其崩裂的各关键因素,从而针对性的提出了预防晶圆崩裂的有效方法。     

超高亮度发光二极管芯片切割技术

介绍了超高亮度发光二极管(UHB-LED)芯片切割工艺中砂轮切割、金刚刀划片及激光切割的应用情况、工艺原理、工艺特点和发展前景.结合生产实践,对比和分析了不同切割工艺的优缺点,针对不同切割生产工艺中存在的芯片正崩、芯片背崩、芯片脱落以及划片裂片不良等问题进行了探讨并提出了解决方法.指出激光切割技术是LED芯片切割工艺发展的必然趋势.     

创新型超薄IC封装技术

圆片薄型化工艺技术的改进,以及对小型化、便携式产品的强烈的市场需求,共同推动了封装技术的创新。文中主要论述了与超薄型集成电路封装技术相关的薄型硅集成电路应用、超薄型圆片的制造、薄型化切割技术、同平面互连技术、倒装片装配及其可靠性问题。