高效多晶硅中石英坩埚内高纯隔离层的致密化处理

多晶硅铸锭过程中,在石英坩埚内壁制作高纯隔离层可以阻挡石英坩埚中的杂质向硅锭中扩散,改善硅方的边部红区,但高纯隔离层会引起硅锭中氧含量的升高。本文在高纯隔离层的基础上,通过级配的方法提升高纯隔离层结构的致密性并降低硅锭中的氧含量。     

我国多晶硅铸锭坩埚的现状与发展

本文总结了我国多晶硅锭坩埚生产现状,指出熔融石英材质坩埚仅能一次性使用,可反复使用的坩埚是发展方向,介绍了国内外可反复使用坩埚的主要生产技术.     

多晶硅铸锭涂层用高纯Si3 N4微粉的研究进展与展望

本文根据国内外高纯氮化硅微粉制备的研究情况,综述了硅粉直接氮化法、硅亚胺热分解法、气相反应法等几种氮化硅粉末的主要制备方法,介绍了各种制备方法在生产多晶硅铸锭涂层用氮化硅微粉的优缺点,并从产品质量、成本等角度分析比较了各种制备方法的特点,指出了制备多晶硅铸锭用氮化硅粉末的主要发展方向.     

洁净用品在高纯多晶硅后处理过程中的重要性

高纯多晶硅是生产电子材料最为基础且最为重要的一项原料,它的纯度和金属的杂质控制有着极为严格的要求.多晶硅在由还原炉中生产出再至下游的厂家过程中经过了多种复杂工艺的处理,在每一个处理环节当中都存在被二次污染的风险.为了最大程度降低甚至是完全避免产品遭到污染,就需要通过多种工具以及装置进行干预,同时这也就给与多晶硅物品近距...     

国产防老剂OD在全钢载重子午线轮胎内衬层隔离胶中的应用

研究国产防老剂OD在全钢载重子午线轮胎内衬层隔离胶中的应用，并与进口同类产品进行对比试验。红外光谱分析表明国产防老剂OD的成分与进口同类产品相吻合，等量替代进口产品可赋予硫化胶较好的物理性能和热老化性能，改善轮胎内衬层隔离胶的接头性能。     

多晶硅生产用煤基高纯石墨性能及应用

本工作以煤焦颗粒和高温煤沥青为原料制备高纯石墨,测试并分析了其微观结构和主要物理性能,将其应用于多晶硅制备工艺的还原炉,发挥夹持硅芯、有效导电和传热作用,探索提升还原炉内生产可靠性和石墨组件复用率的措施.结果表明,高纯石墨试样结构总体较光滑,在不同尺度下局部和整体均展现出良好的结构相似性.制备的高纯石墨材料具有突出的物...     

塔顶全凝器在多晶硅尾气回收技术中的应用

在目前多晶硅生产工艺中,美国CDI尾气回收技术应用非常广泛。但是由于其分离出来的氯化氢气体中混有大量的氢气,且没有设置缓冲储罐来储存氯化氢,对后续工段的生产会造成不利影响。将其塔顶分凝器改为全凝器,降低了氯化氢中氢气的含量,增加了液态氯化氢储罐,缩小了塔的直径,降低了三氯氢硅工段产生的副产物对尾气回收工段的影响,保证了后续工段的正常生产,同时也降低了塔的投资成本。     

HONEYWELL EXPERION PKS在多晶硅生产中的应用

本公司在技改项目中使用了Honeywell更为先进的EPKS系统,通过有效利用产品搭建完整DCS,达到装置更安全可靠运行,为多晶硅行业的生产建设提供参考。     

HoneywellFTE在多晶硅连续控制中的应用

以某公司HoneywellEPKS的搭建为项目背景,介绍容错以太网在多晶硅连续控制中的应用,分析了项目实施过程中的技术要点及其注意事项。     

蒸发器在多晶硅生产处理盐类废水中的应用

对于含盐废水的处理,一直都是多晶硅企业在处理过程中需要注意且防范的操作。多晶硅企业要严格注意含盐废水的处理,并且需要针对性防范,避免因为处理不当以及防范问题不到位而导致周围的水资源受到污染,会造成一系列的资源浪费问题。薄膜蒸发器以及多效蒸发器作为有效处理废水的关键设备,对其进行研究完善有着诸多关键意义。针对含盐废水的处理和防范进行研究,分析蒸发器在多晶硅企业中处理含盐废水的应用,并针对其所存在的问题提出解决措施。     

硅晶片抛光用高纯度大粒径硅溶胶的研究

本文采用硅粉水解-胶粒整理法制备硅晶片抛光所用硅溶胶,考察了单质硅粉的加入量、反应时间、反应温度、硅溶胶底液浓度、催化剂种类及用量对硅溶胶胶粒平均粒径增长的影响,得到最佳工艺条件:单质硅粉的最佳加入量为25 g、反应时间7h、反应温度80℃、硅溶胶底液的质量浓度为8％、选稀氨水为催化剂、用量为12 mL,在此条件下可制备得到平均粒径为20 nm的硅溶胶产品.经过多次粒子生长可以制备得到适用于硅晶片抛光产业的高纯度大粒径硅溶胶.     

Volatility Diagrams for Silica, Silicon Nitride, and Silicon Carbide and Their Application to High-Temperature Decomposition and Oxidation

Volatility diagrams—isothermal plots showing the partial pressures of two gaseous species in equilibrium with the several condensed phases possible in a system—are discussed for the Si-O and Si-N systems, and extended to the Si-N-O and Si-C-O systems, in which the important ceramic constituents SiO₂, Si₃N₄, Si₂N₂O, and SiC appear as stable phases. Their use in understanding the passiveactive oxidation transitions for Si, Si₃N₄, and SiC are demonstrated.     

铵盐钙盐除杂制备高纯二氧化硅

以磷肥生产过程中的副产物氟硅酸为原料制备高纯二氧化硅.氟硅酸与氨水反应,得到氟硅酸铵溶液,加入铵盐沉淀钙镁离子,再加入钙盐沉淀铝铁离子,静置后过滤得到净化的氟硅酸铵溶液;将净化液氟硅酸铵与氨水反应生成二氧化硅沉淀,经过滤、热洗、干燥、煅烧,得到高纯二氧化硅.样品SiO2符合国标要求.实验表明,以氟硅酸制备高纯二氧化硅工艺可行.工艺特点是将低附加值的氟硅酸转化为高附加值的高纯SiO2,铵盐钙盐除杂适宜,反应步骤少、过程简单、操作条件温和.     

Dense SiC Coatings as Barrier Layer on Graphite Heat Elements in Furnaces for Smelting Silicon in Photovoltaic Industry

This study puts forward an application of a dense SiC coating of graphite heat elements as a barrier layer to prevent the spoilage of the purity of photovoltaic Si elements by impurities of the graphite. The SiC barrier performance in high‐temperature vacuum environment has been analyzed measuring the mass loss of graphite with/without coating of 5, 20, 30 μm 1200, 1400, and 1600°C. A thickness of 20 μm showed to be the best choice and could reduce the weight loss by more than 90%. The adhesion strength of samples decreased with the increase in heat treatment temperature.     

磷肥副产含硅化合物制取高纯二氧化硅的研究综述

高纯二氧化硅属于高性能无机硅材料,已广泛应用于许多高新技术领域。本文简要介绍了国内外磷肥副产物制取高纯二氧化硅的研究情况,着重论述了由氟硅酸和氟硅酸钠制备高纯二氧化硅的具体工艺,并对磷肥副产物制取高纯二氧化硅的前景进行了扼要展望。     

硅微粉在粉末涂料中的应用研究

本文通过添加硅微粉来部分替代钛白粉,制得的复合粉体以应用于粉末涂料中,从而提高了漆膜的硬度,耐热等性能.主要考察了喷涂电压、固化温度和固化时间施工工艺,测试了不同配比的复合粉体(硅微粉:钛白粉为0:1、1:1、2:1、3:1、1:0)粉末涂料漆膜的白度、光泽度、硬度、耐冲击力以及耐热性等性能.结果表明,研究中粉末涂料最佳施工工艺条件为:喷涂电压70 kV、固化温度180℃、固化时间20 min.硅微粉的添加提高了漆膜的硬度,铅笔硬度由3H达到5H;漆膜的抗冲击力高于50 kg·cm;同时也提高了漆膜的耐热性,涂膜的TP由433.19℃上升到440.76℃;漆膜的光泽度有所降低,由78％降到66％;白度由88.5％降到39％.当硅微粉与钛白粉的配比为1:1时,漆膜综合性能最好,铅笔硬度为4H、耐冲击力高于50 kg· cm、光泽度达到75％、白度达到82％.复合微粉的粉末涂料,基本性能保持不变,降低了涂料的生产成本,为制备高硬度和耐冲击涂料提供了依据.     

催化剂对以硅溶胶为硅源合成碳化硅晶须的影响

以硅溶胶和炭黑为原料,金属硅、三氧化二铁和硅铁合金为催化剂,采用碳热还原法合成碳化硅晶须,通过XRD及SEM对合成产物的物相及形貌进行分析,探讨了合成温度、催化剂种类、催化剂加入量对合成碳化硅晶须的影响.结果表明:在原料中加入催化剂,合成碳化硅晶须的最佳温度为1550℃;以Si-Fe合金为催化剂合成碳化硅晶须的效果明显好于以Fe2O3和金属硅为催化剂合成效果;Si-Fe合金加入量(占SiO2质量分数)为1％时,晶须生成率高,成直线形,长度10 ～ 50μm,直径0.1 ～0.3 μm.     

Modified Tape Casting Method for Ceramic Joining: Application to Joining of Silicon Carbide

A simple modified tape casting procedure has been developed for application to ceramic joining when the joining materials are in powder form. The method involves preparation of a slurry from the powder, solvent, and thermoplastic binder, and then casting directly onto the joining surface using a moving doctor blade. Handling of the tape prior to joining is not necessary: therefore, binder content is minimized, plasticizers are not required, and viscosity is controlled by solvent content. The utility of this technique for producing joints with thin, uniform interlayers is demonstrated for silicon carbide materials joined with TiC + Ni and SiC + Si.     

Transient Simulation on the Growth of Mono-like Silicon Ingot in DS Process Using Crucible with Plano-Concave Bottom for PV Applications

Silicon - Two-dimensional numerical simulation on axisymmetric directional solidification furnace has been carried out to investigate the growth of mono-like silicon ingot. The silicon ingots were...