用单分子膜诱导化学沉积银膜

在气／液界面上形成硬脂酸单分子膜及硬脂酸／十八醇混合单分子膜，利用硬脂酸单分子的诱导作用，在硬脂酸单分子膜上化学沉积了金属银纳米膜，在硬脂酸／十八醇混合单分子膜上沉积了微观炙网状的银膜。采用SEM和TEM测试银膜的微观物理结构，并对膜的外观进行了表征，研究了不同亲水端基和沉积时间对银膜生长的影响，沉积时间控制在3h之间，可得到100nm以下厚度的银膜，采用界面双电层理论初步探讨了单分子膜上化学积银的生长机制，分析了多孔网状银膜的成因，认为界面双电层是银膜沉积的必要条件，提出了一种制备银膜的新方法，此法的优点在于能主动控制银膜表面微观结构。     

在单分子膜上电沉积金属银膜

以在气／液界面和气／固界面上形成的硬脂酸单分子膜为基底电沉积金属银薄膜，改变电沉积条件。得到了具有不同微观结构，光亮，细致的纳米金属银薄膜，当底相硝酸银溶液的PH值低于7时，在气／液界面没有银膜形成，只在银丝的尖端生成成棕黑色的粉末；提高镀液的PH值有利于银的沉积，且硬脂酸分子排列得越紧密，成膜越好，随着槽电压的升高，银膜的沉积速度渐增大，其微观结构从树叶状逐渐向鹿角状变化。根据电沉积银薄膜的规律，分析了在单分子膜上电沉积银的生长机制，认为单分子膜及其界面的双电层结构是沉积银膜的必要条件。     

自组装单分子膜的末端基团对化学气相沉积铜薄膜的影响

利用化学气相沉积(CVD)的方法在自组装单分子膜(SAMs)修饰的SiO2表面沉积铜薄膜,并对得到的铜薄膜的性质进行表征与分析.通过比较研究发现:在沉积过程中,SAMs的末端基团作为铜沉积的反应位点,末端基团与铜之间的相互作用力越强,则铜在基材表面的沉积与附着能力越强,而且SAMs阻挡铜原子扩散进入硅内部的效果越好.而SAMs的生长取向也会对铜沉积时的晶型产生影响.     

电化学沉积纳米金属多层膜简述

总结了近年来国内外纳米多层膜的研究现状,列举了纳米多层膜的力学性能、磁性能、电化学性能及光学性能,分析了纳米多层膜的发展趋势.     

半导体CdTe薄膜电化学沉积研究

本文研究半导体ＣｄＴｅ薄膜在ＩＴＯ透明导电玻璃基底上的电化学沉积。分析了电化学沉膜过程以及反应机理，对不同电参数下沉积膜进行了性能表征，研究了温度、沉积电压等参数对膜性能的影响，探讨了制备颗粒细小、均匀性好并具有一定择优取向的ＣｄＴｅ薄膜的方法。     

化学气相沉积制备纳米结构碳化钨薄膜

采用氟化钨(WF6)和甲烷(CH4)为前驱体,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备具有纳米结构的碳化钨薄膜。采用SEM、XRD、EDS等方法表征了碳化钨薄膜的形貌、晶体结构和化学组成。通过表征,表明在前驱体混合气体中的甲烷与氟化钨气体的流量比(碳钨比)为20、基底温度为800℃的条件下得到的碳化钨薄膜是由直径为20～35nm的圆球状纳米晶构成。通过分析影响薄膜的晶体结构、化学组成的因素后,认为要得到具有纳米晶结构的碳化钨薄膜,主要应控制前驱体气体中的碳钨比以及基底温度。     

CuS纳米粒子/分子沉积膜的制备及其摩擦学性能研究

利用分子沉积技术制备了PDDA/PAA分子沉积膜,然后在膜中原位反应生长了CuS纳米粒子,紫外-可见分光光度计、XPS及原子力显微镜（AFM）分析表明,CuS纳米粒子在膜中分布均匀,团聚现象不明显,纳米粒子的粒径随原位反应时间的增加而增加,AFM的力学测试表明,该膜具有良好的减摩抗磨性能。     

电沉积纳米ZnO薄膜

在硝酸锌溶液中电沉积ZnO，通过正交试验方法研究槽液浓度、pH值以及电流密度对纳米ZnO薄膜电沉积的作用。用XRD分析了纳米ZnO的组织、结构与成分，SEM获得了纳米ZnO的表面形貌。     

化学气相沉积法制备超纳米金刚石薄膜

采用微波等离子体化学气相沉积法,利用CH4、SiO2和Ar的混合气体在单晶硅片基底上制备出高质量的超纳米金刚石薄膜.表征结果显示,制备的薄膜致密而均匀,晶粒平均尺寸约7.47nm,表面粗糙度约15.72nm,并且其金刚石相的物相纯度相对较高,是质量优异的超纳米金刚石薄膜材料.     

纳米硅薄膜的低压化学气相沉积和电学性能研究

利用普通低压化学气相沉积技术在玻璃衬底上制备了大面积的纳米硅薄膜。不同温度下薄膜暗电导率的测试研究表明，薄膜的室温暗电导率随成膜温度的升高而增加，相应的电导激活能降低。热激活隧道击空机制可以较好地解释纳米硅薄膜特殊的电学性能。原位后续热处理研究表明，延长热处理时间以及采用低温成膜、高温后续退火的热处理方法均能有效提高其室温暗电导率。     

化学镀Ni-P-SiC复合镀层的研究进展

综述了近年来国内外在Ni-P-SiC复合镀方面的研究进展,重点论述了SiC微粒的预处理、分散方式、SiC浓度、pH值、温度等工艺参数对镀速、复合镀层中粒子分布及含量的影响,讨论了复合镀层的硬度、耐磨性和耐蚀性能,最后指出了Ni-P-SiC复合镀应用中存在的问题和未来发展的方向.     

Co-Se化合物薄膜的电沉积制备与表征

采用电沉积方法在SnO2玻璃基底上制备了Co-Se化合物薄膜.研究了薄膜形成的电化学机理和电沉积工艺对薄膜组成与形貌的影响,并表征了薄膜的结构与光学性质.结果表明:Co2+受预沉积Se的表面诱导还原或直接与H2SeO3的六电子还原反应产物H2Se发生反应形成Co-Se化合物;沉积电位、沉积温度和pH值均显著影响电沉积Co-Se化合物薄膜的形貌与成分;在沉积电位为?0.5V(vs SCE)、沉积温度为50℃和pH值为2.0时可制备出表面致密平整且呈六方晶型结构的富硒CoSe薄膜,其光吸收系数达到1×105 cm?1,直接带隙宽度为(1.53±0.01)eV,接近单结太阳电池光吸收层材料的理论最佳值.     

用膜相渗透化学镀法制备NiCo/PTFE磁性复合膜

为促进金属粒子在膜孔中生成,采用膜相渗透和化学镀结合的方法,研究了化学镀NiCo/PTFE磁性复合膜的工艺.在正交试验结果基础上探讨了主盐离子浓度比、NaOH浓度、N2H4浓度、反应温度和反应时间对NiCo/PTFE复合膜中金属含量和磁性能的影响.本工艺最佳配方为:0.14 mol/L CoCl2·6H2O,0.06 mol/L NiCl2·6H2O,0.90 mol/L NaOH,0.45 mol/L C4H4O6KNa·4H2O,0.45 mol/L N2H4·H2O;最佳参数为:70～75℃,75 min.结果表明,相对于传统的双面金属化处理,引入膜相渗透的单面活化有助于镍钴金属粒子在膜孔内原位生成.     

壳聚糖/淀粉/ZnO复合膜的制备与性能

目的以壳聚糖和玉米淀粉为主要成膜基质,以纳米ZnO为添加剂,研究复合膜的相关结构和性能。方法采用溶液共混法将壳聚糖溶液、淀粉糊化液及纳米ZnO质均混合,然后流延成膜,分析壳聚糖/淀粉的质量比和纳米ZnO的含量对复合膜力学性能、水蒸气透过率(WVP)的影响,并通过红外光谱、扫描电镜、X射线衍射和热重分析对复合膜的相关结构进行表征。结果当壳聚糖/淀粉质量比为1∶1,纳米ZnO质量分数为9%时,所得膜在各自体系中的性能较佳。结论壳聚糖和淀粉二者之间具有较好的相容性,纳米ZnO的加入能增强复合膜的力学性能,降低其水蒸气透过率,并提高复合膜的热稳定性。     

用离子束辅助沉积和计算机控制系统制备纳米薄膜复合材料

研制成功了一台计算机控制系统 ,用来改进用于纳米复合薄膜制备的离子束辅助沉积技术。计算机、石英晶体振荡器和模糊控制器使系统可以准确地调节沉积速率 ,提高生产效率 ,确保各种纳米复合薄膜如多层和纳米晶薄膜的质量     

Nanostructured Sulfide Composite Coating Prepared by Atmospheric Plasma Spraying

Nanostructured FeS-SiC coating was deposited by atmospheric plasma spraying (APS). The microstructure and phase composition of the coating were characterized with SEM and XRD, respectively. In addition, the size distribution of the reconstituted powders and the porosity of the coating have been measured. It was found that the reconstitiuted powers with sizes in the range of 20 to 80 μm had excellent flowability and were suitable for plasma spraying process. The assprayed FeS-SiC composite coating exhibited a bimodal distribution with small grains (30～80nm) and large grains (100～200nm). The coating was mainly composed of FeS and SiC, a small quantity of Fe1-x S and oxide were also found. The porosity of the coating was approximately 19 %.     

VO_2(M/R)复合薄膜的研究进展

VO2(M/R)薄膜相变前后的红外透过率、电阻率变化显著,在光学、电学开关等领域极具应用潜力。VO2(M/R)复合薄膜能克服纯相材料本身的不足,还可以引入新的性能和结构。综述了VO2(M/R)复合薄膜的特点和主要性能,总结了薄膜的复合方式,讨论了复合薄膜制备中存在的问题,并结合近年的相变机理、制备工艺、复合方式等报道展望了VO2(M/R)复合薄膜的研究发展前景。     

快速电沉积法制备镍基金刚石复合镀层EI北大核心CSCD

为解决镍基金刚石复合电沉积过程中普遍存在镀层沉积速率慢、镀层内应力大的问题,本工作以新型高速Ni镀液为基础,考查了镀液中去应力添加剂含量、工艺参数,以及金刚石含量对镀层内应力影响的规律,并对复合镀层的微观形貌进行了表征。优选出了可以在30A/dm2的高阴极电流密度下快速电沉积低应力镍基金刚石复合镀层的镀液组成及工艺条件。结果表明：当镀液组成为十二烷基硫酸钠0.5g/L,乙酸铵3g/L,柠檬酸三钠1.5g/L,金刚石微粒浓度30g/L;施镀条件为pH值3~4,温度50℃时,制得的复合镀层内应力最低。