高浓度掺杂Ir(ppy)3和Rubrene的高效率有机发光器件

通过采用CBP主体材料中高浓度掺杂Ir(ppy)a和Rubrene,利用Ir(ppy)3敏化黄光发射的方法,制备了高性能的有机电致发光器件(OLED).器件采用的结构为:ITO/2T-NATA(20 nm)/NPBX(40 nm)/x%CBP:y%(ppy)3:z%rubrene(20 nm)/NPBX(10 nm)/DPVBi(60 nm)/Alq(60 nm)/LiF(1 nm)/Al,在该器件中限定.各功能层的厚度保持不变,当CBP、Ir(ppy)3、Rubrene各组分的比例x、y、z分别为:65%、20%、15%时,器件的性能较好,在电压为12 V时,其电流效率最大为21.1 ed/A.在电压为24 V时,其亮度为最大,达到22 670 ca/m2.该器件的色度随电压的增加逐步趋近于白光等能点(0.33,0.33).     

利用Ir(ppy)_3敏化CzHQZn提高OLED的性能

用CzHQZn作为受主,利用磷光敏化的方法制备了有机电致黄光和白光器件。黄光器件采用Ir(ppy)3掺杂4,4-N,N′-=咔唑基联苯(CBP),敏化新的黄光材料CzHQZn作为发光层,当发光层厚度为18nm时器件性能最好,最大发光效率为3.26cd/A(at10V),最大发光亮度为17560cd/m2(at10V);白光器件采用多发光层结构,结合ADN的蓝光复合发光,同时加入了电子阻挡层(NPBX)和空穴阻挡层(BCP),获得的白光器件最大发光效率为2.94cd/A(at8V),最大亮度为11089cd/m2(at13V)。     

高效率白色有机电致发光器件

通过引入磷光材料Ir(pPy3)作为敏化剂,制作了高效率的白色有机电致发光器件.Ir(pPy)3和荧光染料DCJTB共掺入CBP母体中.此共掺层的厚度以及浓度都影响到整个器件的效率和颜色.Alq和BCP分别用作电子传输层和激子阻挡层,NPB用作蓝光发光层和空穴传输层.器件的最大效率和亮度分别可以达到9 cd/A和12 020 cd/m2.通过调节掺杂层的厚度以及Ir(ppy)3和DCJTB的浓度,可以得到相当纯正的白光,其色坐标为(0.33,0.32),在10～19 V的范围内几乎不随驱动电压的变化而变化.     

高效率非掺杂型白色有机电致发光器件

制备了基于rubrene超薄层和NPBX做激子阻挡层的高效率的非掺杂型白色有机电致发光器件.器件结构为:ITO/2T-NATA(20 nm)/NPBX(25-d nm)/rubrene(0.2 nm)/NPBX(d nm)/DPVBi(30 nm)/Alq(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al.器件的电致发光光谱依靠激子阻挡层NPBX厚度d的变化而变化,当NPBX厚度d为5 nm时,器件色坐标从7 V变化到16 V时均在白光的中心区域,有最大电流效率7.91 cd/A(V=7 V)和最大亮度13 540 cd/m2 (V=16 V).     

柔性衬底黄光有机小分子电致发光器件

彩溅射技术在透明的塑性材料聚对苯二甲酸乙二酯（ＰＥＴ）薄膜之上形成一层ＩＴＯ导电膜,并对此替代常用的玻璃衬底制备了黄光柔性衬底有机小分子电致发光器件的结构为ＰＥＴ／ＩＴＯ／Ａ１ｑ３：Ｒｕｂ／Ａ１ｑ３／Ａ１。器件在１４Ｖ时亮度为１２０ｃｄ／ｍ＾２,并且器件在弯曲较大角度时仍然能正常使用,达到了使用柔性衬底的目的。     

电子传输层中掺杂Ir(ppy)3改善白光OLED的效率

采用真空热蒸镀技术,制备了结构为ITO/NPBX(40nm)/rubrene(0.2 nm)/NPBX(5nm)/DPVBi(30nm)/TPBi:x%Ir(ppy)3(30nm)/LiF/Al的白光器件。利用Ir(ppy)3掺杂到电子传输层TPBi中,在掺杂层中提高了电子的迁移率,调整了空穴和电子的平衡,从而改善了白色有机电致发光器件的效率。当Ir(ppy)3的掺杂浓度为6%时,器件的电流效率最高,在驱动电压9 V时最大电流效率为10.66 cd/A,此时色坐标为(0.36,0.38);当电子传输层TPBi中不掺杂Ir(ppy)3时,白光器件的效率最低,在驱动电压10V时最大电流效率为1.69 cd/A,此时色坐标为(0.31,0.30)。掺杂浓度为6%的白光器件的电流效率是不掺杂白光器件的电流效率的6.3倍。     

锌金属配合物BFHQZn的白色有机电致发光器件

利用新型荧光染料2-溴-4-氟苯乙烯-8-羟基喹啉锌(BFHQZn,(E)-2-(2-bromo-4-fluorostyryl)quinolato-Zinc)的电致发光(EL)特性,制备了非掺杂型的有机电致白光器件(WOLED)。器件的结构为ITO/CuPc(10nm)/NPBX(25 nm)/BFHQZn(18 nm)/NPBX(xnm)/BCP(10 nm)/Alq3((47-x)nm)/LiF(0.5 nm)/Al,当x为12时,得到了色度最好和效率最大的WOLED,最大电流效率为1.11 cd/A(at 10 V),最大的亮度为817 cd/m2(at 15 V),当驱动电压从7 V(启亮)升高到15 V(最高亮度)时,器件色坐标由(0.32,038)改变为(0.30,0.28)。     

以Liq∶Rubrene为发光层的白色有机电致发光器件的研制

以蓝色发光材料Liq为主体,以一定的比例掺入黄光染料Rubrene,研制了新型白色有机电致发光器件.调节Rubrene的掺杂比为1.1%时得到近白光器件,色坐标为(0.308,0.347),器件的启亮电压为8V,当外加电压达到25V时,器件发光亮度达3120cd/m2.     

以Liq:Rubrene为发光层的白色有机电致发光器件的研制

以蓝色发光材料Liq为主体,以一定的比例掺入黄光染料Rubrene,研制了新型白色有机电致发光器件.调节Rubrene的掺杂比为1.1%时得到近白光器件,色坐标为(0.308,0.347),器件的启亮电压为8V,当外加电压达到25V时,器件发光亮度达3120cd/m2.     

有机电致发光器件发展近况

简述目前正在研制开发中的有机薄膜电致发光器件，着重介绍器件所用的分子材料，包括大分子和小分子材料以及器件的单层和多层结构形式，在光发射稳定性进一步改进之后，该类型器件将有希望应用在大面积发光显示方向。     

White organic light-emitting devices based on fac tris（2- phenylpyridine） iridium sensitized 5,6,11,12-tetraphenylnap -hthacene

We have fabricated the white organic light-emitting devices （WOLEDs） based on 4,4＇ -bis（2,2 -diphenyl vinyl）-1,1＇ - biphenyl （DPVBi） and phosphorescence sensitized 5,6,11,12,-tetraphenylnaphthacene （rubrene）. The device structure is ITO/2T-NATA （20 nm）/NPBX （20 nm）/CBP： x%Ir（ppy）3：0.5% rubrene （8 nm）/NPBX （5 nm）/DPVBi （30 nm）/Alq（30 nm）/LiF（0.5 nm）/A1. In the devices, DPVBi acts as a blue light-emitting layer, the rubrene is sensitized by a phosphorescent material, fac tris （2-phenylpyridine） iridium [Ir（ppy）3], acts as a yellow light-emitting layer, and N,N＇ -bis- （1-naphthyl）- N,N＇ -diphenyl -1, 1＇ -biphenyl-4,4＇ -diamine （NPBX） acts as a hole transporting and exciton blocker layer, respectively. When the concentration of Ir （PPY）3 is 6wt%, the maximum luminance is 24960 cd/m^2 at an applied voltage of 15 V, and the maximum luminous efficiency is 5.17 cd/A at an applied voltage of 8 V.     

基于CzHQZn发光的白光有机电致发光器件

利用一种新材料(E)-2-(2-(9-ethyl-9H-carbazol-3-yl)vinyl)quinolato-Zinc(CzHQZn)作空穴传输层和发光层制备了白光有机电致发光器件(WOLED),器件的结构为indium-tin oxide(ITO)/4,4′,4′′-{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine(2T-NATA)(22 nm)/CzHQZn(xnm)/N,N′-bis-(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine(NPBX)(ynm)/2,9-dimethyl,-4,7-diaphenyl,1,10-phenanthroline(BCP)(10nm)/tris(8-quinolinolato)aluminum(Alq3)(68-x-ynm)/LiF(0.5 nm)/Al。研究发现发光层CzHQZn和NPBX的厚度对器件的发光性能有较大的影响。当CzHQZn厚度x为22 nm、NPBX厚度y为8 mm时,得到了色度最好和效率最大的WOLED,最大电流效率为0.9 cd/A(at ...     

Efficient fluorescent white organic light-emitting devices based on a ultrathin 5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene layer

White organic light-emitting devices (OLEDs) were fabricated using a ultrathin layer 5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene as the yellow light-emitting layer and p-bis(p-N,N-diphenyl-aminostyryl)benzene (DSA-ph) doped in 2-methyl-9,10-di(2-naphthyl)anthracene (MADN) matrix as the blue light-emitting layer. The thickness of rubrene ultrathin layer will seriously affect the device performance, and the device with 1 nm rubrene achieves the best performance, with the maximum luminance of 33,152 cd/m² at 11 V and the maximum current efficiency of 8.69 cd/A at 7 V.     

微腔结构顶发射有机白光器件

结合微腔效应,通过调节不同发光层的厚度制作了顶发射有机白光器件.器件结构为Si/Ag/Ag2O/m-MTDATA/NPB/DPVBi/DCJTB:Alq3/Alq3/LiF/Al/Ag,其中DPVBi,DCJTB与Alq3的掺杂层分别作为蓝光和红光发光层,在选定490 nm的谐振波长时,通过调节DPVBi和掺杂层的厚度来实现对器件发光色度的调节.当DPVBi厚度为1 nm,电压为9 V时,器件的色坐标为(0.33,0.34),非常接近白光等能点.此项工作为利用微腔效应制作高效率高亮度顶发射白光器件奠定了基础.     

Properties of non-doped organic light-emitting devices based on an ultrathin iridium complex phosphor layer

Organic light-emitting devices (OLEDs) were constructed with a structure of indium tin oxide (ITO)/N,N'-bis(naphthalen-1-yl)-N'-bis(phenyl)-benzidine (NPB) (50-xnm)/bis[2-(4-tertbutylphenyl)benzothiazolato-N,C2'] iridium (acetylacetonate) [(t-bt)2Ir(acac)] (nm)/NPB (30nm)/Mg:Ag (200nm).A thin blue emission material of NPB was used as a separating layer,and the (t-bt)2Ir(acac) yellow phosphorescent dye was acted as an ultrathin light-emitting layer.TPBI acted as both hole-blocking and electron-transporting layer.By changing the location (x) and the thickness (d) of the phosphor dye,the variation of device performance were investigated.The results showed that all the devices had a turn-on voltage of 2.8V.In the case of d=0.2nm and x=5nm,the OLED had a maximum luminance of 18367cd/m2 and a maximum power efficiency of 5.3lm/W.The high performance is attributed to both direct charge carrier trapping of iridium phosphor dye and the thin NPB separation layer,which effectively confines the recombination zone of charge carriers.     

基于MCzHQZn的有机电致发光器件

通过结构为ITO/2T-NATA(20nm/NPBx(20nm)/MCzHQZn(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(20nm)/LiF(0.5nm)/Al、ITO/2T-NATA(30nm/MCzHQZn(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al和ITO/2T-NATA(20nm/MCzHQZn(30nm)/NPBx(16nm)/BCP(10nm)/Alq3(25nm)/LiF(0.5nm)/Al的3组有机电致发光器件(OLED),证明了MCzHQZn既具有空穴传输特性,又具有较好的发光特性。MCzHQZn在器件1中作发光层,器件最大亮度在电压16V时达到3692cd/m2,电压13V时的最大效率为0.90cd/A,发光的峰值波长为564nm;MCzHQZn在器件2中既作发光层又作空穴传输层,器件最大亮度在电压为13V时达到1929cd/m2,电压12V时的最大效率为0.57cd/A,发光的峰值波长也为564nm;MCzHQZn在器件3中作空穴传输层,由NPBx作发光层,器件最大亮度在电压为14V时达到3556cd/m2,电压9V时的最大效率为1.08cd/A,发光的峰值波长为444nm。