2.5～4.4Gb／s光纤无中继传输实验系统

本文报导在４×６２２Ｍｂ／ｓ）×１６０ｋｍ等三个常规单模光纤无中继传输实验系统，以及４．３５４Ｇｂ／ｓ×２００ｋｍ常规单模光纤传输实验系统方面的研究成果．带有掺饵光纤功放的高稳定度光发射机输出功率分别＞＋４ｄＢｍ／信道（４×６２２Ｍｂ／ｓ）和１１ｄＢｍ（单路２．５Ｇｂ／ｓ），频率稳定度分别优于６×１０－６和４．１×１０－６．带有掺铒光纤前放的四路光接收机灵敏度达到－４６．８ｄＢｍ（６２２Ｍｂ／ｓ，ＮＲＺ２２３－１ＰＲＢＳ）和－３９．５ｄＢｍ（４×２．５Ｇｂ／ｓ，ＮＲＺ２２３－１ＰＲＢＳ）．系统各信道误码率分别优于４×１０－１２～４×１０－１５．     

SGS－THOMSON公司宣布5X86和6X86第二来源计划

ＳＧＳ－ＴＨＯＭＳＯＮ公司宣布５Ｘ８６和６Ｘ８６第二来源计划自从ＳＴ４８６ＤＸ系列成功进入ｘ８６市场以后后；ＳＧＳ－ＴＨＯＭＳＯＮ公司宣布了针对下一代处理器的第二来源计划。新一代的处理器，即ＳＴ５ｘ８６和ＳＴ６ｘ８６，将分别于１９９６年第一季度和第二...     

高质量非晶硅锗材料的研制

ａ－ＳｉＧｅ：Ｈ材料的光电性能强烈地依赖于沉积条件，选择适当的氢稀释率、气体压强，掺锗率和辉光功率，获得了光带隙为１．４５ｅＶ，光暗电导比为１．６×１０＾５的高质量ａ－ＳｉＧｅ：Ｈ材料。     

金属膜电阻器用高阻溅射靶材研究

利用真空熔炼的方法，研制出用于金属膜电阻器生产用的高阻溅射靶材。用该靶材可溅射制备得到薄膜电阻值达１～１０ｋΩ，电阻温度系数α在±１００×１０－６℃－１以内，脉冲稳定性在０．５％以下的电阻体。其阻值和其他电性能稳定可靠，分档集中，产品性能达到ＧＢ５８７３－８６标准，适用于金属膜电阻器生产。     

GaN的离子注入掺杂和隔离

在ＧａＮ中注入Ｓｉ＾－和Ｍｇ＾＋／Ｐ＾＋之后，在约１１００℃下退火，分别形成ｎ区和ｐ区。每种元素的注入剂量为５×１０＾１４ｃｍ＾－２时，Ｓｉ的截流子激活率为９３％，Ｍｇ的是６２％。相反，在原ｎ型或ｐ型ＧａＮ中注入Ｎ＾＋，然后在约７５０℃下退火，能形成高阻区（＞５×１０＾９Ω／□）。控制这些注入隔离材料电阻率的深能态激活能在０．８－０．９ｅＶ范围内，这些工艺参数适用于各种不同的ＧａＮ基电子和光器件。     

采用扩散掺铝方法提高Cr－SiO薄膜电阻热稳定性

采用扩散掺铝方法可以显著降低Ｃｒ－ＳｉＯ薄膜电阻的温度系数，１～５ｋΩ／□，ＴＣＲ≤±５００×１０（－６）℃（－１）；１０ｋΩ／□，ＴＣＲ≤±１００×１０（－６）℃（－１）。该方法尤其适用于设备较为简单的蒸发镀膜工艺。     

6～18GHz宽带功率放大器模块

研究了ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ的小信号特性、大信号特性和其宽带匹配网络。选用ＴＷＴ－２型功率器件，设计研制出了单级宽带功率放大器。在６～１８ＧＨｚ的工作频率范围内，小信号增益等于５．０±１．０ｄＢ，１ｄＢ压缩输出功率等于２５．０±０．８ｄＢｍ，输入输出驻波比小于２．５。     

6～18GHz宽带功率放大器模块

研究了ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ的小信号特性，大信号特性和其宽带匹配网络。选用ＴＷＴ－２型功率器件，设计研制出了单级宽带功率放大器，在６～１８ＧＨｚ的工作频率范围内，小信号增益等于５．０±１．０ｄＢ，１ｄＢ压缩输出功率等于２５．０±０．８ｄＢｍ，输入输出驻波比小于２．５。     

手机前线

ＭＯＢＬＥ‘Ｓ　ＦＲＯＮＴＬＩＮＥ三星　ＳＣＨ－Ｘ２９０ ＳＣＨ－Ｘ２９０ 是韩国三星出品的一款ＶＯＤ视频点播手机，显示屏为４０９６色的ＳＴＮ－ＬＣＤ，支持４０和弦铃声，机身顶部的来电显示灯可报据不同的来电者设定５种颜色变化。这款手机规格为：８８．５ × ４６．５ × ２０．６／２２．８毫米（薄电／厚电），重量为８９／１０５．２克（薄电／厚电）。三星　ＳＰＨ－Ｘ４５００ ＳＰＨ－Ｘ４５００是一款外型独特的贝壳机，翻盖上镶有一块椭圆形装饰物，有点类似于女性的化装盒，估计女性消费者会喜欢这款手机。这款手机…     

In_（0．53）Ga_（0．47）A_S表面钝化及降低界面态密度的方法

采用ＰＥＣＶＤ技术，以ＴＥＯＳ为源，对Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ材料进行表面钝化，研究了ＳｉＯ２／Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ的界面态，提出降低界面态密度的方法，使其降低到８．５×１０１０ｅＶ－１ｃｍ－２．     

In0.53Ga0.47As表面钝化及降低界面态密度的方法

采用ＰＥＣＶＤ技术，以ＴＥＯＳ为源，对Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ材料进行表面钝化，研究了ＳｉＯ２／Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ的界面态，提出降低界面态密度的方法，使其降低到８．５×１０＾１０ｅＶ＾－１ｃｍ＾－２。     

SGS-THOMSON公司支持6x86处理器成为Pentium处理器的替代产品

ＳＧＳ－ＴＨＯＭＳＯＮ　Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎ－ｉｃｓ公司全面支持６ｘ８６体系结构作为Ｐｅｎｔｉｕｍ的替代结构，并深信很多ＰＣ机、工作站和服务器制造厂商和其他ＯＥＭ厂商将发现ＳＴ６ｘ８６是满足其系统需求的切实可行的解决方案。ＳＧＳ－ＴＨＯＭＳＯＮ对ＭＤＲ实验室完成的独立基准程序测试结果感到非常高兴。这些测试证实，在相同的系统配置中，６ｘ８６在每个器件类别中的性能都高于Ｐｅｎｔｉｕｍ。为了使客户能方便地对照比较不同ｘ８６体系结构的性能，ＳＧＳ－ＴＨＯＭ－ＳＯＮ、Ｃｙｒｉｘ、ＩＢＭ和ＡＭＤ已联合…     

1.3μm和1.55μm Si_(1-x)Ge_x波长信号分离器与Si_(1-x)Ge_x/Si应变超晶格探测器的集成

对１．３μｍ和１．５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ波长信号分离器（ＷＳＤ）和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ应变超晶格（ＳＬＳ）红外探测器的集成结构进行了系统的分析和优化设计．优化结果为：（１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘＷＳＤ，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５．波导的脊高和腐蚀深度分别为３μｍ和２．６μｍ．对应于λ１＝１．３μｍ和λ２＝１．５５μｍ波长的波导脊宽分别为１１μｍ和８．５μｍ．（２）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／ＳｉＳＬＳ探测器，Ｇｅ含量ｘ＝０．５．探测器的厚度为５５０ｎｍ，由２３个周期的６ｎｍＳｉ０．５Ｇｅ０．５＋１７ｎｍＳｉ组成．     

1.55μmSi_(1-x)Ge_x/Si光开关与光探测器集成的分析及设计

对１．５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导开关和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ红外探测器的集成结构进行了系统的理论分析和优化设计。设计结果为：（１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光开关，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５，波导的内脊高、脊宽和腐蚀深度分别为３，８．５和２．６μｍ，分支角为５～６°。要实现对１．５５μｍ波长光的开关作用，ｐｎ＋结上所需加的正向偏压值应为０．９７Ｖ；（２）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ探测器，Ｇｅ含量ｘ＝０．５，探测器由２３个周期的６ｎｍＳｉ０．５Ｇｅ０．５和１７ｎｍＳｉ交替组成厚度为５５０ｎｍ，长度约为１．５～２ｍｍ的超晶格，内量子效率达８０％以上。     

都市潜龙--厦新A6

厦新Ａ６是厦新公司继Ａ８＋之后推出的又一款新机。这款有着都市潜龙之称的Ａ６有雪银、玄黑、云墨三种颜色,扁长的身段仅有７６克,与前期推出的Ａ８＋相比,体重稍重。虽然如此,８６．５×４４×１７．９毫米的三围尸寸依然风韵不减。在外形上Ａ６继承了Ａ８的折叠式设计,但是却没有采用像Ａ８和     

高温超导GdBa2Cu3O7—δ薄膜双晶晶界结及光探测器

在晶界夹角为２４°的Ｚｒ（Ｙ）Ｏ２人工双晶基片上制备高温超导双晶Ｇｄ－Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜，用光刻技术在晶界上刻出１０×１０ｍ２的双晶晶界结，它与外电路一起构成光探测器。在８０Ｋ用Ｈｅ－Ｎｅ激光和５００Ｋ黑体作为辐射源测量了光探测器的响应特性。探测结果：噪声等效功率ＮＥＰ分别为６．７×１０－１４和３．８×１０１４ＷＨｚ－１／２，归一化探测率分别为１．４×１０１０和２．６×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１；响应度分别为１．８×１０７和３．２×１０７ＶＷ－１。     

离子／电子混合导体Cu_xMo_6S_（8－y）的性能研究

本文通过对工艺条件的控制，获得了铜系混合导体材料Ｃｕ２Ｍｏ６Ｓ７、７、Ｃｕ２Ｍｏ６Ｓ８．０及Ｃｕ４Ｍｏ６Ｓ８．０．ｘ射线衍射物相分析表明为Ｍｏ６Ｓ８结构的单相，并采用分析化学方法对其化学计量进行了分析，通过测试得到了三种混合导体的总电导率σ和离子电导率σｉ·当混合导体Ｃｕ２Ｍ０６Ｓ７、７与固体电解质Ｒｂ４Ｃｕ１６Ｉ７Ｃｌ１３复合后可改善其电化学性能，复合比为２：１时，总电导率σ和离子电导率σｉ可达７５（Ω·ｃｍ）－１和７×ｌ０－２（Ω·ｃｍ）－１。     

TI通用器件选购指南

ＴＩ通用器件选购指南ＳＮ７４ＨＣ×××：高速ＣＭＯＳ逻辑系列工作电压：＋５Ｖ工艺：ＣＭＯＳ典型传输速率：２５ｎｓ驱动电流（－ＩＯＨ／ＩＯＬ：－８／８ｍＡ型号管脚后缀说明零售价（元）型号管脚后缀说明零售价（元）ＳＮ７４ＨＣ００ＳＮ７４ＨＣ０２ＳＮ７４Ｈ...     

高性能GaAs／AlGaAs量子阱红外探测器的研制

ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量了阱结构的红外探测器是近几年出现的一种新型红外探测器。本文对基基本原理作了介绍。并报导了最新研制成果；Ｄλ＝１．４２×１０＾１１ｃｍＨｚ１／２Ｗ＾－１＝Ｒλ＝２．３２×１０＾６Ｖ／Ｗ，峰值响应为８．５μｍ的高性能ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱红外探测器。     

C波段GaAs单片6位移相器

叙述了一种采用单片集成方式实现的Ｃ波段６位数字移相器的设计技术和研制结果。在ＨＰ－８５１０网络分析仪上的测试结果表明：在５．２～５．８ＧＨｚ频段，移相器插损为７．５±０．５ｄＢ，输入／输出驻波比好于１．５，均方根相移精度在５．５°以内。