完美晶体器件工艺

为了制造象晶体管和集成电路这样的半导体器件,必须经过许多复杂的过程。由于制造过程限制了它们的电学特性,因此,为了发现新的工艺,人们不断地作着刻苦广泛的努力,使器件的性能不断地得到改进。晶体缺陷是影响器件电性能最重要的因素之一。它们有各种不同的类型。即使对晶体管和集成电路使用完美的硅单晶,在制造过程中也要产生许多缺陷。在单晶生长期间产生的典     

加强工艺保障实现元器件质量与可靠性增长

本文从元器件制造工艺可靠性保障角度分析了元器件的质量与可靠性增长方法和技术，元器件的可靠性是设计进去制造出来的，在设计定型的情况下，工艺制造过程对其质量和可靠性的影响很大，最终产品的可靠性水平取决于工艺制造，应用REM、PCM和SPC等可靠性保障技术实现产品的高质量高可靠性和可重复性，是今后元器件研制和生产的必然趋势。     

集成电路圆片级可靠性测试

在集成电路制造厂的工艺监控体系中引入可靠性监控对于控制产品的可靠性十分重要.圆片级可靠性测试技术通过对集成电路产品的工艺过程进行可靠性检测,能够为集成电路制造工艺提供及时的可靠性信息反馈.圆片级可靠性测试通常是采用高加速应力对各种可靠性测试结构进行测试,以实现快速的工艺可靠性评价.对半导体集成电路圆片级可靠性测试的背景、现状和发展趋势进行了概况和探讨,介绍了目前在VLSI生产中应用最为广泛的栅氧化层经时击穿、电迁移和热载流子注入效应的可靠性测试结构.     

电子信息产品制造业重点发展技术

1、集成电路技术集成电路是微电子的核心和主体,也是电子信息产业的基础。近期应采取分层次发展战略,一方面注重为中低档产品占领市场提供技术保障,另一方面加快高档产品研究开发,同时加强集成电路专用设备和仪器及新型半导体材料的开发和产业化。这一领域近期技术发展重点有：（1）集成电路设计技术;（2）晶片制造和芯片加工制造技术;（3）集成电路封装与测试技术;（4）专用设备和测试仪器及其共用工艺技术;（5）面向多媒体、通信应用、微控制器和IC卡等集成电路产品开发;（6）集成电路微细加工工艺技术研究与工艺示范线的建立。…     

集成电路封装开裂产生原因分析及对策

塑封体开裂是集成电路封装影响产品可靠性的致命不良,具有产品损失大、不易发现、隐患时间长等特点。本文探讨在制造过程中的开裂预防与控制方法。     

厂可靠性工程开展历程

可靠性工程是指产品在规定的条件下和规定的时间内完成规定功能的能力。产品可靠性不高，耐久性很差，不仅会造成极大的经济损失，工厂信誉下降，甚至还会危及人身安全及国家安全。可靠性工作是指为达到产品的可靠性要求而进行的有关设计，试验，工艺，制造等一系列工作，是适应电子设备需要而发展起来的新兴综合性工程。特别是军事装备，可靠性工程更为重要可靠性指标已经作为一项非常重要的战术技术指标面考核。为了工厂普及可靠性     

1997年GaAs制造技术国际会议简介

国际GSAS制造技术1997年年会于6月2日至5日在美国海滨城市旧金山举行。会议由大会报告、专题讨论会、分组报告、小组讨论会、论文交流、产品展示会等组成。内容涉及GaAs材料生长、制作工艺、GaAs器件、GaAsMMIC、器件模型及可靠性等。参加会议代表百余人，主要来自美国及日本。GaAs制造技术专题讨论会在6月2A进行，内容包括：GaAs集成电路设计入门、提高成品率、集成电路中的静电防护（ESD）、高频封装技术等。次日进行大会报告：（l）RF微波器件公司介绍HBT射频集成电路在无线通信中的应用。报告指出，GaAsHBT的产品正迅速在…     

集成电路产业面面观

一、集成电路产业和产品发展的特点 (一)更广、更快、更深、更强的集成电路产业 1.更广 集成电路可以在不同的地方进行设计、制造(如Foundry加工方式)、封装和应用,其产、用地域更加扩大;在生产由集中转向分散处理、由纵向转向横向模式的过程中,各国的集成电路市场更加开放;在国民经济和社会发展的各个方面,集成电路的应用领域更加广泛。 2.更快 在过去三十年中,集成电路上的晶体管成本下降了约10万倍,而单位面积芯片上所容纳的晶体管数增加了100万倍。PC机中的CPU在十年中已有五次产品更新换代;而作为集成电路的代表产品DRAM,则集成度每18个月就翻一番(摩尔定律),亦即每隔三年,就有新一代产品诞生(表1)。     

基于40nm CMOS工艺电路的NBTI退化表征方法

负偏压温度不稳定性(NBTI)退化是制约纳米级集成电路性能及寿命的主导因素之一,基于40 nm CMOS工艺对NBTI模型、模型提参及可靠性仿真展开研究。首先对不同应力条件下PMOS晶体管NBTI退化特性进行测试、建模及模型参数提取,然后建立了基于NBTI效应的VerilogA等效受控电压源,并嵌入Spectre^TM仿真库中,并将此受控电压源引入反相器及环形振荡器模块电路中进行可靠性仿真分析,可有效反映NBTI退化对电路性能的影响。提出了一套完整可行的电路NBTI可靠性预测方法,包括NBTI模型、模型参数提取、VerilogA可靠性模型描述以及电路级可靠性仿真分析,可为纳米级高性能、高可靠性集成电路设计提供有效参考。     

功率晶体管的失效机理

近年来,由于越来越强调提高系统的可靠性,因而提高器件可靠性的问题就尤为突出。在功率晶体管的可靠性工作中,失效机理是一个重要的方面。从物理上弄清功率晶体管的失效机理,从设计和制造方面采取针对性措施,无疑将是必要的。功率晶体管的失效因素很多,有内因的,有外因的,有制造工艺引起的,有使用的条件、环境及保存方法等引起的。其中有些失效机理已经清楚了,有的尚待进一步探讨。由于功率晶体管的失效,最常见的是由电徙动、二次击穿和金属化系统引起的,故     

塑料封装集成电路分层浅析及改善研究

当环境温度、湿度发生变化时,塑料封装集成电路内部的不同物质界面会产生分层,分层导致电路回路的开路或间歇性接触不良,极大地影响IC的功能和使用寿命。封装主要材料BOM(如芯片/框架/装片胶/塑封料环氧树脂)是确定IC MSL等级和分层水平的基础,封装制程的工艺设计、组装过程的控制方法、产品防范外力破坏及热电应力防护都是影响分层的因素,BOM组合需要考虑加强材料间的粘结强度及接近的热膨胀系数、设计芯片PO层减少电路表面凹凸落差、框架沟槽凸台设计、制造过程防污染/防氧化控制等,都是改善IC产品内部分层的有效思路。DOE对比试验有助于从复杂的产品制造过程中发现分层产生的根源。     

电子设备工艺缺陷与可靠性、维修性分析

电子设备在设计和制造过程中,会出现工艺的缺陷,主要包括设计缺陷以及制造缺陷,其中制造缺陷就是常说的工艺缺陷。工艺缺陷的出现,会导致在电子设备的使用过程中影响可靠性以及后面的维修性,因此文章对电子设备工艺缺陷及其可靠性、维修性进行研究分析。     

改善封装产品冲切毛刺的探讨

切筋、成形是集成电路封装的重要工序之一。切筋、成形过程产生的毛刺,不仅影响到外观质量,而且会影响到产品的电性能、安全和可靠性。文章首先叙述了切筋、成形过程产生的几种形态的毛刺,接着从模具结构特点讲述了产生这些毛刺的原因。然后针对产生的原因,提出了几种改善措施。重点对模具的改善、易损件的控制和框架设计制造及框架材料的选择等问题阐述了自己的见解。要改善和消除封装产品冲切、成形过程产生毛刺的现象,对模具结构、刀具形状及精度和框架材料提出了较高的要求。最后,建议了几种新的去毛刺工艺,希望起到抛砖引玉的作用。     

集成电路测试工艺优化方法

依据摩尔定律集成电路上可容纳的晶体管数目,约每隔18个月便会增加一倍.若继续采用传统的集成电路测试工艺,则测试时间和测试硬件等因素将使集成电路的测试成本不断增加.旨在对传统的集成电路测试工艺进行优化,提出一种兼顾质量并能有效降低集成电路测试成本的方法.     

晶片生产的自动化

目前制造计算机逻辑电路的业务范围主要因素是芯片数目不断地迅速增长,例如,每年设计和生产双极型芯片数目比五年前增加了100倍,这种喜剧性的增长反过来提出了一个严重的周期问题,它要求非常灵活的设计和制造系统。 为帮助满足对制造大规模逻辑集成电路的不断增加的自身要求,我们已经发展了快速周期(QTAT)的半导体单一晶片工艺生产线,该线是以(?)(?)元件为基础,是由计算机控制和高度自动化的。该线是由如图(1)所示的八个自动化段所组成,具有能够提供范围广泛的部件的特色:自动化工艺控制系统、晶片电子发送指令系统,数据收集和分析,送料过程控制和单一晶片工艺生产能力自动化,晶片管理和贮存系统,沾(?)控制系统和     

中芯国际应用安捷伦EDA软件提供0．18μm工艺全新设计工具集

中芯国际集成电路制造有限公司近日宣布其一套全新的ADS(高级设计系统)设计工具集投入使用，该工具集可帮助实现0．18μm技术工艺上的微波、射频、混合信号／射频、模拟及数字等集成电路的设计。该工具集包含了无源和有源元件，可应用安捷伦科技最新版本的ADS进行仿真。中芯国际此前与安捷伦科技密切协作，共同提高这套工具集在准确性与可应用性方面的性能，以提高设计精确性、高效性，以及缩短产品的设汁开发时间。     

基于筛选试验的集成电路外观缺陷探究

筛选试验是包含温度应力、电应力、机械应力的多种试验，能够有效地剔除设计和制造方面存在缺陷的集成电路，是集成电路应用高可靠性的重要保障。若筛选试验的条件方法、操作和工装夹具等选择不当，可能会使得集成电路外观产生缺陷，常见的缺陷有掉标、引脚变形、瓷损和沾污等。筛选试验的目的是减少存在的缺陷，试验过程中产生外观缺陷是不可接受的，也是质量管控的重要要求。因此，通过对筛选试验过程中的外观缺陷进行分析，探究了筛选试验中影响外观的因素，以减少质量事件的发生，保证集成电路的可靠性。     

员工培训实用基础教程（四）

4．2孔导通化工艺（改进式工艺方法） 化学镀铜工艺在电子工业中应用十分广泛。在印制电路板制造过程中，用化学镀铜工艺实现孔的导通化，再进行通孔电镀铜加厚，使双面或多层板的线路实现互连。在大规模集成电路（VLSI）和超大规模集成电路（ULSI）生产过程中，需要在半导体晶片上形成多层的极薄金属层，然后再蚀刻成尺寸极小的金属线，这也需要进行化学镀铜工艺。所以化学镀铜的用途是很广也很重要的。     

业界热点

我国集成电路产业存在问题我国集成电路产业存在的突出问题有:一是我国集成电路设计业严重不足。集成电路产业有三个非常重要的环节:集成电路设计、芯片制造和封装测试。我国的集成电路产业主要集中在芯片制造和封装测试阶段,而集成电路设计业严重不足。产业结构不合理。二是在中国生产的晶片大多数属于较低档的技术。     

砷化镓超高速电路用SI-GaAs材料——Ⅰ.砷化镓超高速电路发展概况;Ⅱ,砷化镓晶体管的基本特性

SI—GaAs(半绝缘砷化镓)材料是研制GaAs VHSIC((超高速集成电路)和MMIC(单片微波集成电路)的重要的衬底材料,SI—GaAs晶片的质量对GaAs集成电路的性能和成品率有很重要的影响。 离子注入掺杂(在SI—GaAs中形成有源层、欧姆接触层、电阻层等),是制造GaAs集成电路的关键工艺。由于GaAs(具有一定极性的Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体)与Si(非极