二氧化硅掺砷乳胶源的涂布扩散

由于砷的固溶度较高,可获得较高的表面浓度,其扩散系数小适应于V-MOS的源区扩散,为栅氧化的温度选择创造了一个有利的条件.以往由于砷有剧毒,给实际应用带来一定的困难,故一直未被采用.但采用掺砷二氧化硅乳胶源做为扩散源,这种乳胶源能最大限度的控制有毒物质的析出量,减少了对环境的污染,保证了工作人员的安全,为人们的应用开辟了一个可行的途径.现将二氧化硅乳胶源的扩散过程作一简介.     

掺磷乳胶源用于功率晶体管发射区扩散的尝试

近几年来,乳胶扩散逐步为人们所重视。由于它具有一系列优点而日益广泛地被应用于半导体器件生产工艺中。本文着重叙述在功率晶体管的发射区扩散中使用掺磷乳胶源的实验方法和所得到的结果,并与液态源扩散的结果作了比较,以便为进一步开展这方面的研究工作打下基础。     

开管铝镓扩散的掺杂机制

针对铝乳胶源涂布与气相镓相结合的开管受主双质扩散技术，本文就其掺杂机制进行了分析讨论。     

SiO_2乳胶源扩散

一、前言 SiO_2乳胶扩散源的出现,开辟了氧化扩散工艺的新领域,由于它具有一般固态,液态源扩散所没有的一系列优点,可以它的出现引起人们的重视,目前它已成为一种有希望的扩散源,参加集成电路的会战。 由于SiO_2乳胶扩散源可会的元素相当多（AS、P、B、Al,Au,Sb,Ge等）掺会浓度可在10~(16)—10~(21)个/cm~3范围调整,所以TTL电路中的基区、发射区、收集区、MOS、CMOS电路中的漏、源区、阱均可以考虑使用,并可用磷硼乳胶做成磷硅玻膜,硼硅破膜作为表面钝化,以外获可子钠,提高器件的稳定性和可靠性。 本文将重探讨SiO_2乳胶源扩散在MOS、CMOS集成电路中的应用于以及乳胶Ⅲ—V族元素同步扩散问题,试图缩短工艺流程,减少光刻次数和高温处理时间。     

锑乳胶源埋层扩散

本文报导了锑乳胶源埋层扩散的实验结果,讨论了影响扩散质量的若干因素,并与箱法锑扩进行了比较.实验获得埋层薄层电阻为20Ω/□,结深(?)5μm,表面浓度为2.1×10~(19)/cm~3.直径为75mm硅片,其薄层电阻的片内相对偏差<2.5%,同炉片间的相对偏差<3%,不同批之间的相对偏差<10%.     

采用片状氮化硼扩散源提高TTL电路质量

硅固态平面扩散源是七十年代出现的一种新的扩散技术,由于它具有均匀的扩散浓度,好的重复性和大大提高劳动生产率的优点,特别是随着硅片直径的增大、浅结扩散的采用促使氮化硼平面源的应用得到推广。我厂自76年年底开始采用片状氮化硼后使TTL电路的质量得到了一定程度的提高,最近四机部在上海召开了片状氮化硼扩散源经验交流会,使氮化硼的应用又取得了进展。     

砷乳胶源扩散技术

本文简要评述砷乳胶源的应用技术,讨论了控制表面损伤及获得浅结高浓度砷的某些重要因素,介绍该技术在高频功率器件上应用的实例.     

关于氮化硼扩散几个工艺问题的探讨

在集成电路的生产中,已广泛采用氮化硼扩散源、新型片状氮化硼也正被推广应用,用氮化硼做扩散源,具有工艺稳定、易于掌握、扩散电阻均匀、器件结特性好等优点。我厂采用氮化硼扩散源已两年多,对稳定工艺,提高产品合格率起到了较好的效果。在实际应用中,也遇到过一些工艺问题。探讨和解决这些问题,对于进一步提高产品质量,提高合格率以及更好地推广应用氮化硼扩散源都是十分有益的。     

SP-03高浓度片状磷源试验

有关片状磷源扩散性能,以及在器件扩散工艺中应用情况,国内外已有不少文章报导。虽然这种扩散源工艺上还存在不足之处,但已被公认为是一种有发展前途的新型磷扩散源。我组曾试用过国产SP-2片状磷源,针对扩散工艺对磷源的基本要求,对源片的扩散情况,扩散工艺的均匀性、重复性;在p型衬底上扩磷后的p-n结特性等方面,已作过讨论和总结。本文着重试验高浓度SP-3片状磷源的扩散性能,以获得一些扩散试验数据,希望能对此源作器件的高浓度磷扩散时提供参考。     

液态源大箱法硼扩散

一、引言 液态源硼扩散是应用比较普遍的一种扩散方法,典型的作法是采用气体携带法,用N_2把扩散源蒸汽携带到要扩散的样品附近,以实现扩散。此法的优点是适合于大批生产。在平面工艺发展的初期,固态源箱法扩散,在扩散工艺中,曾处于支配地位。它的优点是均匀性、重复性较好;不足之处是由于受扩散箱容积的限制,每次扩散片数不多。液态源气体携带法和固态源箱法各有千秋。我们把二者结合起来,取其所长,形成了一种液态源硼扩散的新方法——大箱法扩散。就是把整个石英管看成是扩散箱,先采用液态源气体携带法,使石英管充分饱和;然后在不通源,只通入保护N_2的情况下,放入样品进行扩散。石英管每饱和一次,可以连续使用4～5小时以上。且具有重复性好,操作简便的优点。在硅平面管生产中,几年来,我们采用这一方法作硼扩散,已取得良好的效果。     

硼微晶玻璃在硼扩散工艺中的应用

一、引言 扩散是硅平面工艺中必不可少的工艺手段,在半导体器件生产中占有非常重要的地位。随着电子工业的发展,作为掺杂剂的扩散源也得到不断改进,出现了不少新的扩散源,如固态片状BN源、固态片状磷源、硼微晶玻璃片状扩散源等等。就P型掺杂剂的硼扩散源来说,初期普遍使用硼酸三甲脂、硼酸正丙脂液态源和BN粉末源,后来逐渐为BN片状扩散源所代替。近年来,随着硼微晶玻璃片状扩散源(PWB)的出现,受到了很多用户的欢迎,实践证明,PWB源比片状BN扩散源具有更好的工艺优越性。     

基于有限新息率的非瞬时扩散点源参数估计方法

扩散现象在农业真菌传播、大气污染等现实场景广泛存在,扩散源参数估计也因此在农业、工业等实际应用中具有重要意义。目前针对扩散源参数估计提出的方法大多针对理想的瞬时点源信号,对于非瞬时的实际扩散过程存在模型失配问题,极大地限制了算法的实际应用场景。为了解决模型不匹配的问题,同时有效估计扩散源持续时间参数,该文将扩散源信号模型拓展为脉宽可变信号,并提出相应的非瞬时点源模型的参数估计算法。该算法中,利用无线传感网络采样得到实际测量值,找到一个组合系数将实际测量值线性组合为指数函数,再根据有限新息率(FRI)采样理论对组合后的数据用零化滤波器方法求解扩散源参数。仿真结果表明,在信噪比20 dB,位置参数重构MAE能够达到0.008左右,脉宽参数能够达到0.1左右,持续时间参数能够达到0.05左右,这验证了非瞬时点源参数估计的准确性。同时我们分析了传感器个数等因素对参数恢复性能的影响。     

硅中横向扩散的研究

考虑了同制造一定类型的场效应晶体管有关的扩散方程的若干解,并且用图表给出了结果。首先,对于杂质的恒定阶跃函数源考虑了二维解,同时为了进行横向扩散的设计计算,以方便的形式给出了计算的结果。然后讨论自无限源扩散的若干情况,即阶跃函数源通过一个窄掩蔽窗口的扩散,在氧化物的窄条下面的扩散,在小的掩膜下面自小的瞬时源和自瞬时源阶跃函数的扩散。讨论了对两阶扩散过程扩展这个工作的困难。     

Zn,Cd在InSb中的扩散

研究了Ｚｎ、Ｃｄ源量对ＩｎＳｂ扩散结深的影响。在相同的扩散条件下，扩散源Ｚｎ、Ｃｄ的量少于一定值时，结深将随源量减少而急剧减少，此一定值随扩散温度的升高而增大，但当扩散源量大于该定值后，结深则与源量无关。     

固态片状磷扩散源

这是一篇关于用于对硅掺杂的一种新的固态片状磷源的供源寿命。微观结构稳定性以及扩散性能的试验报告。这种源的使用温度为900℃至1100℃。源片是多孔性陶瓷片,其中作为有源成分的焦磷酸硅占25％(重量百分比),以惰性高熔点粘合剂作为基体。微观结构的稳定性和热重量分析(TGA)的结果表明,温度高达1050℃时,这种材料的结构还能保持完整并有供源的能力。TGA结果予期这源片的使用寿命在1000℃和900℃下分别为216小时和3400小时,给出了使用这种源片掺杂的硅片的方块电阴,结深和扩散系数的有关实验数据,并且也描述了这种特殊的源片应用方法。 以前的关于硅平面工艺中的P-型掺杂源氮化硼的扩散性能的研究结果已经表明,片状扩散源与既使用液体又使用气体的携带气体扩散系统相比具有几个重要优点。片状扩散源的优点以前已由Goldsmith等人报道过。正是由于片状扩散源的优点,人们才研制了这种新的磷源并对它进行了评价。除了Goldsmith等人报道过的优点外,这种固态源还具有一种独特的优点,就是不会产生有毒性和腐蚀性的付产物。 在使用氮化硼源时,源片表面被氧化,形成三氧化二硼(B_2O_3),然后B_2O_3被蒸发,传输到硅表面。但是没有这么一种高熔点的磷化合物可以象制造氮化硼那样做成陶瓷片,然而Murata证明了焦磷酸     

片状扩散源在硅的磷扩散中的应用

向硅中进行杂质扩散,除了采用液态或气态杂质源外,还可以采用固体片状杂质源。已经证明,采用片状氮化硼能够进行稳定的B扩散(特别是大面积Si片,效果更为显著)。 我们以前曾经报道过采用片状氮化磷进行磷扩散的方法。本文再报道一种较稳定的扩散方法,采用含P_2O_5的片状扩散材料做为扩散源。     

硼微晶玻璃片状扩散源在肖特基二极管中的应用研究

本文通过硼微晶玻璃片状扩散源在肖特基二极管中的使用过程,概述了７５×３ｍｍ硼微晶玻璃片状扩散源的扩散原理、扩散方法,实验过程;总结实验结果,给出了有关数据,讨论了存在的问题。     

Cd和Zn在InP中扩散的研究

本文介绍了在450700℃的广阔温度范围内研究Cd和Zn向InP扩散的结果,并对结果作了比较。详细研究了Cd,Zn及其化合物等不同杂质源对扩散的影响。我们用结深(xj)的平方和时间(t)的比值(xj2/t)作为扩散速度的度量,并画出了xj2/t-1/T(温度)曲线。发现Cd源,特别是CdP2源的扩散速度较慢,容易控制它扩散的结深和浓度,昕以它是比较理想的扩散杂质源。利用Tien的中性复合体理论,解释了Cd和Zn在InP中扩散的复杂现象。     

片状氮化硼试用小结

片状氮化硼是制作P—N结的一种渗P型杂质的固体扩散源。我厂在线性电路的制造中试用了片状氮化硼。 目前,与液态扩散源比较,采用片状氮化硼由于扩散后表面方块电阻分布均匀,磷扩散调试方便,因而成品率可有一些提高。而且由于扩散时片子改成竖放,以扩散恒温区300毫     

硼微晶玻璃片状扩散源工艺实践

一、引言 在半导体器件的生产中,扩散源性能的优劣直接关系到能否在整个硅片上获得一致的扩散,是能否在固定的工艺条件下重复生产出合格的管芯的关键。对扩散源的研究正随着生产的发展而不断深入。同时,人们对于一个良好的扩散源的标准也日趋明确。归纳起来主要应有如下几条: 1.有良好的均匀性,即在一炉中的各片子上都可以获得几乎相同的扩散。