1.575GHz GPS下变频器

MRFIC1505是Motorola公 司的1.575GHz GPS下变频器,它是为GPS接收机应用而设计的集成电路。这种双变换设计是用公司的低成本、高性能MOSAIC5TM硅双极工艺实现的,封装为低成本的表面贴装LQFP－48。芯片内除混频器外,还集成有VCO、PLL、晶振、A/D转换器和环路滤波器(见图1功能框图)。输出IF标称值为4.1MHz。MRFIC1505主要特性有：.105dB变换增益.2.7V工作.28mA电流消耗.－40~85℃工作温度范围图2示出典型的应用电路（1636.8MHz LO）。应当注意：图中R8必须与第二级IF滤波器阻抗匹配;电容器C10,C11,C12的布局对于…     

将手机变身为GPS：蓝牙GPS接收器选购指南

由于蓝牙GPS接收器相对价格较便宜，而且小巧便携，时下已逐渐成为手机一族初尝GPS功能的首选产品。但这小玩意儿技术含量可不低，大多数人购买时心里没谱。如何淘到最适合自己的产品，让自己的手机和它针对导航更有效，请找准本文的几个要点去做吧。[编者按]     

SiGe半导体GPS接收器助力伽利略计划

目前,GPS的应用正在不断拓展,以前主要用在室外,特别是车载系统。而随着便携式电子产品功能的增加,GPS越来越多地应用在手机、手表、笔记本电脑和PDA当中,所以,在室内实现良好的GPS功能就显得尤为重要,而这正是普通GPS的劣势。针对这一市场的发展需求,欧盟委员会和欧洲太空总署     

SiGe半导体推出双天线输入GPS接收器

目前,GPS的市场规模相当可观并处于持续增长中。个人导航装置（PND）约占整体GPS市场的90%,预计PND市场将从2007年的3500万个单元增长到2010年的1亿个单元。与此同时,到2012年搭载GPS功能的手机市占率将增长到78％。为了更好的把握这一市场,日前,SiGe半导体公司宣布推出专为下一代GPS系统而开发的、具有双天线输入功能的GPS无线电接收器SE4150L。据悉SE4150L经过特别设计,解决了与嵌入式GPS应用相关的小尺寸、低功耗和低价格等三大问题。     

双天线输入GPS接收器IC解决嵌入式GPS应用难题

嵌入式GPS应用相关的三大主要难题是小尺寸、低功耗和低价格。SiGe半导体公司（SiGe Semiconductor）日前已推出具有双天线输入功能的GPS无线电接收器,型号为SE4l50L。该接收器是专为下一代GPS系统而开发的,SE4150L经过特别设计,不但能解决与嵌入式GPS应用相关的三大主要难题,而且还提高了性能。     

2.4GHz 0.35μm CMOS Gilbert下变频器

利用0 35μm CMOS工艺实现了一种用于低中频接收机的Gilbert型下变频器.其中,混频器的输出级采用折叠级联输出,射频信号、本振信号和中频信号的频率分别为2 452GHz,2 45GHz和2MHz.测试表明:在3 3V电源电压条件下,整个混频器电路消耗的电流约为4mA,转换增益超过6dB,输入1dB压缩点约为-11dBm.     

一种2.4GHz 0.35μm CMOS Gilbert下变频器

利用0.35μm CMOS工艺实现了一种用于低中频接收机的Gilbert型下变频器．其中,混频器的输出级采用折叠级联输出,射频信号、本振信号和中频信号的频率分别为2.452GHz,2.45GHz和2MHz．测试表明：在3.3V电源电压条件下,整个混频器电路消耗的电流约为4mA,转换增益超过6dB,输入1dB压缩点约为－11dBm．     

u-blox 6 GPS平台升级可提供多项先进功能

u-blox宣布,已将其最新的u-blox6接收器平台进行升级,可为客户带来许多新功能和效益,包括灵敏度提升、功耗显着降低、抗干扰效能更佳、干扰侦测、以及缩短定位时间（TTFF）等。连同其他多项创新特性,     

一种1.8V 0.8～2.1GHz直接变频CMOS正交下变频器

提出了一种CMOS宽带正交直接变频下变频器,片上集成了正交本振相位发生器.混频器采用三段式结构,包括跨导级、开关级和跨阻级作为输出级.跨导级采用互补型结构,在相同的功耗下获得更大的跨导.混频器核心电路未采用电感,能实现在宽频率范围内工作.芯片采用0.18μm CMOS工艺实现,整个变频器在1.8V电源电压下抽取29 m...     

应用于SAW-less LTE接收机中的高线性度下变频器

本文提出一种基于0.18 μm CMOS 工艺的高线性度下变频器。该下变频器应于直接下变频架构的LTE接收机中,并可以使之省去高成本的深表面波(SAW)滤波器。所提出的下变频器由跨导级、无源混频器、电流缓冲器、跨阻级和直流失调消除环路等五部分组成。其中,电流缓冲器为无源滤波器在高频范围内提供低阻抗负载,减小了由带外阻塞信号引起的电压摆幅,从而改善了下变频器的线性度。与传统电路结构相比,该方法可以提高输入三阶交调截断点(IIP3)4.5 dB以及输入二阶交调截断点(IIP2)11 dB。测试结果表明,该下变频器转换增益为29.5 dB,噪声系数为12.7 dB,IIP3为13 dBm,IIP2大于62 dBm。     

Fastrax和SiGe半导体合作实现全球性能最佳的软件GPS解决方案

专为定位设备提供高性能GPS接收器、GPS软件解决方案和跟踪系统的主要供应商Fastrax公司与专为各种计算、娱乐和移动系统提供实现无线多媒体功能产品的全球领先供应商SiGe半导体宣布,Fastrax现已选用SiGe半导体的SE4120产品来实现其软件GPS方案。     

变频器的功能设置概述（二） 第1讲 变频器的控制方式（下）

根据不同的变频控制理论,可以发展为几种不同的变频器控制方式,即V/f控制方式（包括开环V/f控制和闭环V/f控制）、无速度传感器矢量控制方式（矢量控制VC的一种）、闭环矢量控制方式（即有速度传感器矢量控制VC的一种）、转矩控制方式（矢量控制VC或直接转矩控制DTC）等。这些控制方式在变频器通电运行前必须首先设置。本文主要阐述的就是变频器的这几种控制方式。     

GPS5300 NaviLink4．0：单芯片辅助全球定位系统（A-GPS）解决方案

德州仪器13前宣布针对移动电话推出一款采用90nm工艺技术的单芯片辅助全球定位系统（A-GPS）解决方案。GPS5300 NaviLink4．0单芯片采用TIDRP技术，可实现离散的GPS解决方案，不仅具有较小系统占用面积、低总体系统成本等特性，而且还拥有低功耗、高性能等A—GPS功能。     

eSilicon推出28纳米下1．5GHz处理器集群

eSilicon公司与MIPS科技公司共同宦布，已采用GLOBALFOUNDRIES的先进低功率28纳米SLP制程技术进行高性能、三路微处理”集群的流片，预计明年初正式出货。     

一种基于STRATIX EP1S25的数字下变频器

数字下变频是软件无线电的核心技术之一。STRATIX EP1S25是ALTERA公司一款功能强大的FPGA。本文阐述了数字下变频的原理，给出了基于该芯片的数字下变频的实现方法，实验结果证明了该方法是有效的。从而有可能避免使用专用硬件下变频器，使硬件电路更简化和增加系统的灵活性。     

完整的L1 GPS RF信号下变换子系统器件uN1510

u-Nav Microelectronies公司日前推出商业应用的DigitalGPS uN1510 RF Macro元件。uN1510 RF可用来将L1GPS信号下变换到低IFI/Q输出的完整RF子系统。     

在1．8GHz频率下功率密度为2．8W／mm的4H－SiCMESFET

本文论述了使用４Ｈ－ＳｉＣ衬底及外延层制作ＭＥＳＦＥＴ的方法，测得了栅长为０．７μｍ、栅宽为３３２μｍ的ＭＥＳＦＥＴ的直流、Ｓ参数和输出功率特性。当Ｖｄｓ＝２５Ｖ时，电流密度约为３００ｍＡ／ｍｍ，最大跨导在３８～４２ｍＳ／ｍｍ之间；当频率为５ＧＨｚ时，该器件的增益为９．３ｄＢ，ｆｍａｘ＝１２．９ＧＨｚ。当Ｖｄｓ＝５４Ｖ时，功率密度为２．８Ｗ／ｍｍ，功率附加效率为１２．７％。