快凝Fe60Cr27Al13合金显微结构的电镜分析

快凝Ｆｅ＿（６０）Ｃｒ＿（２７）Ａｌ＿（１３）合金显微结构的电镜分析孟祥敏，章靖国，吴玉琨（中国科学院金属研究所固体原子像实验室，快凝非平衡合金实验室，沈阳１１００１５；冶金部上海钢铁研究所）电热材料Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ合金用快凝法制备时因大幅度提高Ｃｒ...     

FeCrAl合金中碳化物的时效析出和钇的影响

ＴＥＭ研究表明,低碳（０．０１－０．０３ｗｔ．％Ｃ）Ｆｅ－（１５．２５）Ｃｒ－（４,５）Ａｌ合金经１２００℃固溶处理后再于４７５－５４０℃时效时,碳化物迅速在晶界、位错等昌体缺陷处析出,晶界碳化物近于连续,晶界两侧形成析出带,析出相的衍谱与Ｃｒ２３Ｃ６和Ｃｒ７Ｃ３基本吻合,在含０．４ｗｔ．％Ｙ的ＦｅＣｒＡｌ合金中,含２相的衍射谱与六方α－Ｆｅ１７Ｙ２相的谱吻合,该相俘获碳原子的作用使合金在时效时不     

用于磁头芯的软磁薄膜的特性

从适用于磁头芯的角度评述了软磁薄膜的新进展，最近十年研究出多种饱和磁通密度超过１．０Ｔ的合金薄膜和由普通材料Ｆｅ－Ａｌ－Ｓｉ制得的薄膜以及钴基非晶态合金薄膜。几科报导的所有具有高饱和磁通密度的材料都是铁基合金、针基微晶合金和针基多层膜合金。     

Fe、Si杂质含量对电解电容器低压阳极铝箔静电容量的影响

Ｆｅ在高纯铝中的存在状态（固溶状态或Ａｌ３Ｆｅ，ＡｌＦｅＳｉ金属间化合物析出状态）直接影响铝在盐酸溶液中的腐蚀速度，从而对腐蚀箔的静电容量有极大影响。介绍了近年来日本专利中关于防止Ｆｅ、Ｓｉ析出的轧箔工艺，即高温固溶处理后在数分钟内完成热轧，使Ｆｅ、Ｓｉ来不及析出，这样，９９．９８％Ａｌ就其Ｆｅ、Ｓｉ析出量而言，实际可达到９９．９９％以上铝的水平。更进一步，控制Ｆｅ、Ｓｉ析出分布状态（弥散状分布）的轧箔工艺，有可能用９９．９３％～９９．９８％铝得到９９．９８％以上纯度铝同样静电容量水平。     

非晶硅缓冲层在具有Al2O3门绝缘子的多晶SiGeTFT中的作用

ＳｉＧｅ合金具有较高的载流子迁移率与较低的结晶温度,比Ｓｉ更适合用作薄膜晶体管（ＴＦＴ）。最近,我们已证实,利用Ａｌ２Ｏ３作多晶ＳｉＧｅＴＦＴ的门绝缘子,可使界面得到显著改善。虽然已经证明,由Ｓｉ缓冲层的高温氧化形成的ＳｉＯ２可改善界面质量,但是还不清楚在ＳｉＧｅ有源层与Ａｌ２Ｏ３门电介质之间插入一α－Ｓｉ缓冲层能否进一步提高界面的质量。在本研究中,对于有、无α－Ｓｉ缓冲层的多晶ＳｉＧｅＴＦＴ的性     

利用化学平衡法研究Sm—Fe—N体系的热力学

ＮＯ－ＮＯ２的混合气体与Ｓｍ－Ｆｅ合金和Ｓｍ２Ｏ３（Ｓ）的平衡实验是Ａｌ２Ｏ３或ＺｒＯ２坩埚中进行的。合金上方的气相中氧分压是用固体电池测定的、所设计的电池为Ｍ０｜Ｍ０，Ｍ０｜｜ＺｒＯ２（ＭｇＯ）‖Ｐｔ，Ｏ２｜Ｍ０，与合金钐成平衡的氧化物确定为Ｓｍ２Ｏ３（Ｓ）。     

喷射成形Al3Ti-Mn-Nb金属间合金显微组织的SEM分析

Ａｌ３Ｔｉ金属间化合物具有比重小、热强性高和抗高温氧化性能好等特性而引人注目，可望成为新的轻质高温结构材料。但Ａｌ３Ｔｉ具有有序四方ＤＯ２２结构，很脆。用Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｎｉ等元素替代合金中一定量的Ａｌ，可将ＤＯ２２结构转变成高对称性的有序立方Ｌ１...     

电沉积La－Fe－Co合金工艺的研究

对用电沉积方法制备稀土－铁系金属合金功能性薄膜进行了初步探讨。通过对从二甲亚砜溶液中电沉积Ｌａ－Ｆｅ－Ｃｏ合金的研究发现，镀液中Ｌａ３＋的含量应运高于Ｆｅ２＋及Ｃｏ２＋的含量，才能有Ｌａ沉积出来，控制镀液组成可获得含Ｌａ量在３％左右的Ｌａ－Ｆｅ－Ｃｏ合金镀层，镀层外观为灰白色。工艺条件对镀层组成影响不大，电镀过程中，二甲亚砜也被还原使镀层含硫，镀液阴极电流效率仅为２０％～３０％。     

铝硅合金激光熔凝处理后的电化学腐蚀现象

利用２ｋＷＣＯ２激光器对不同合Ｓｉ量的ＡＩ－Ｓｉ合金进行了搭接扫描熔凝处理，通过ＳＥＭ和ＴＥＭ对激光熔凝处理后Ａｌ－Ｓｉ合金的组织结构进行了观察，通过测定在不同介质条件下的阳极极化曲线，讨论了激光熔凝处理对ＡＩ－ｓｉ合金耐蚀性的影响。结果表明，激光处理可改善Ａｌ－Ｓｉ合金在１０％Ｈ２ＳＯ４和１０％ＨＮＯ３溶液中的耐蚀性，而对Ａｌ－Ｓｉ合金在１０％ＨＣｌ和５％ＮａＣｌ溶液中的耐蚀性没有明显的促进作用。     

Nb超导量子结中AlO_x－Al厚度对其特性的影响

通过阳极氧化电压谱图（ＡＶＳ）；Ｉ－Ｖ特性和Ｆｉｓｋｅ台阶电压测量，我们研究了Ｎｂ超导量子结构中ＡｌＯｘ－Ａｌ厚度对其特性的影响。发现ＡＶＳ中ＡｌＯｘ－Ａｌ与Ｎｂ电极之间的界面陡度和Ｉ－Ｖ特性取决于ＡｌＯｘ－Ａｌ厚度，Ｎｂ｜Ａ｜Ｏｘ－Ａｌ｜Ｎｂ结的最小最佳沉积Ａｌ层厚度为７ｎｍ。由Ｆｉｓｋｅ台阶电压，ＡＶＳ中的Ａｌ峰和Ｉ－Ｖ特性的畸变，证实了结中Ａｌ／Ｎｂ间由常态Ａｌ而引起的亲近效应的存在，并用ＭｃＭｉｌｌａｎ理论作了讨论。     

Al2O3,Cu,Fe,Si,W的热物理性能

１９８５年，科学技术数据委员会（ＣＯＤＡＴＡ）公布了固体热物理性能研究小组的报告，报告分析适用数据并给出了推荐值：Ａｌ２Ｏ３、Ｃｕ、Ｗ和Ｆｅ的比热，Ｃｕ、Ｓｉ、Ｗ和Ａｌ２Ｏ３的热膨胀，Ｃｕ、Ｆｅ、Ｗ和Ｐｔ的电阻率，Ａｌ、Ｃｕ、Ｆｅ和Ｗ的热导率以及Ｐｂ、Ｃｕ和Ｐｔ的绝对热功率。研究小组组长由Ｙ．Ｓ．Ｔｏｕｌｏｕｋｉａｎ教授担任，直至１９８１年去世后，由Ｍｅｒｒｉｌｌ Ｍｉｎｇｅｓ博士担任。自上述报告     

应变异质结外延材料的缓冲层厚度与Frank－Read源的关系研究

基于能量最小近似模型，研究了应变异质结外延材料中，产生Ｆｒａｎｋ－Ｒｅａｄ源以释放失配应力所需ＧｅＳｉ合金缓冲层的厚度．对ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ进行了具体计算，其结果表明：产生Ｆｒａｎｋ－Ｒｅａｄ源时缓冲层厚度要比临界厚度大得多，Ｌｍｉｎ＝１３００Ａ是钉扎点间的最小距离．计算结果与ＬｅＧｏｕｅｓ等的实验结果相符．就作者所知，计算产生Ｆｒａｎｋ－Ｒｅａｄ源时ＧｅＳｉ合金缓冲层厚度的工作，以前未见报道．     

NEC研究先进的Al─ Ge─ Cu工艺

ＮＥＣ研究先进的Ａｌ┐Ｇｅ┐Ｃｕ工艺据ＳｅｍｉｃｏｎｄＩｎｔｌ１９９６年第６期报道：ＮＥＣ公司的研究人员正在不断观察Ｇｅ加入Ａｌ－Ｃｕ互连后的作用，以得到一种有实际生产价值的低温回流溅射工艺。这种使用低温回流溅射和化学机械抛光金属平坦化的Ａｌ－Ｇｅ...     

Nb超导量子结中AlOx—Al厚度对其特性的影响

通过阳极氧化电压谱图（ＡＶＳ），Ｉ－Ｖ特性和Ｆｉｓｋｅ台阶电压测量，我们研究了Ｎｂ超导量子结构中ＡｌＯｘ－Ａｌ厚度对其特性的影响。发现ＡＶＳ中ＡｌＯｘ－Ａｌ与Ｎｂ电极之间的界面陡度和Ｉ－Ｖ特性取决于ＡｌＯｘ－Ａｌ厚度，Ｎｂ｜ＡｌＯｘ－Ａｌ｜Ｎｂ结的最小最佳沉积Ａｌ层厚度为７ｎｍ。     

InP衬底上的p—沟和n—沟异质结绝缘栅场效应晶体管

在ＩｎＰ衬底上用通常用晶格匹配（ｙ＝０．５３）和晶格失配（ｙ〉０．５３）Ｉｎ０．５３Ａｌ０．４６Ａｓ／ＩｎｙＧａ（１－ｙ）Ａｓ层结构同时制作ｐ－沟和ｎ－沟增强型异质结绝缘栅场效应晶体管（ＨＩＧＦＥＴ）。获得１μｍ栅长ｅ型ｐ－沟ＨＩＧＦＥＴ，其阈值电压约０．６６Ｖ，夹断尖锐，栅二极管开启电压０．９Ｖ，室温时非本征跨导〉２０ｍＳ／ｍｍ。相邻的（互补的）ｎ－沟ＨＩＧＦＥＴ也显示ｅ型工作（阈值Ｖｔｈ＝０．     

Fe,Si杂质含量对电解电容顺低压阳极铝静电容量的影响

Ｆｅ在高纯铝中的存在状态直接影响铝在盐酸溶液中的腐蚀速度，从而对腐蚀箔的静电容量有极大影响。介绍了近年来日本专利中关于防止Ｆｅ，Ｓｉ析出的轧箔工艺，即高温固溶处理后在数分钟内完成热轧，使Ｆｅ，Ｓｉ来不及析出，这样，９９．９８％Ａｌ就其Ｆｅ，Ｓｉ析出量而言，实际可达到９９．９９％以上铝的水平，更进一步，控制Ｆｅ，Ｓｉ析出分布状态的轧箔工艺，有可能用９９．９３％－９９．９８％铝得到９９．９８％以上纯度     

一种监测钢盘腐蚀的光波导传感方法

本文提出一种用于混凝土结构钢筋腐蚀监测的光波导传感方案该方案基于用金属膜层局部取代光波导的介质包层,构成腐蚀敏感膜,从而获取金属腐蚀信息。本文依据波导理论定性分析了该方案的腐蚀传感原理,提出了在光纤表面形成与钢筋材料相同的Ｆｅ－Ｃ合金膜的电化学镀膜方法,通过引入化学镀银夹层充当电镀负极,解决了光纤与Ｆｅ－Ｃ合金亲和性差的问题。在平板波导材料上研究了电化学镀膜工艺,并研制出含有Ａｇ夹层的Ｆｅ－Ｃ合金     

γ-TiAl金属间化合物合金激光表面合金化制备Al_2O_3/TiAl耐磨复合材料涂层研究

以镍包Ａｌ_２Ｏ_３粉末为原料对γ－ＴｉＡｌ金属间化合物合金进行激光表面合金化,制得无裂纹、表面光滑、内部组织致密、厚度可达１．０ｍｍ、以快速凝固Ａｌ_２Ｏ_３硬质相为增强相的“原位”耐磨复合材料合金层,通过预热及缓冷可以消除涂层开裂现象。涂层与基体的结合为完全冶金结合,激光表面合金化后ＴｉＡｌ合金硬度及在滑动磨损及磨料磨损条件下耐磨性均大幅度提高。     

γ-TiAl金属间化合物合金激光熔敷高温自润滑耐磨复合材料涂层

以 Ｎｉ８ＯＣｒ２０、Ｃｒ_３Ｃ_２、Ａｒ、ＣａＦ_２／ＢａＦ_２四元混合粉末为原材料,利用激光熔敷技术在ｒ－ＴｉＡｌ金属间化合物合金Ｔｉ－４８Ａｌ－２Ｃｒ－２Ｎｂ表面上制得了以ｒ一ＮｉＣｒ为基体、以初生Ｍ_７Ｃ_３及Ｍ_（２３）Ｃ_６为耐磨相、以弥散分布颗粒Ａｇ、ＣａＦ_２或ＣａＡｇＦ_４为自润滑相的高温自润滑耐磨复合材料涂层,涂层显微硬度大大提高且与基体呈冶金结合。     

金属间化合物FeAl超塑性变形中小角度晶界的迁移

利用透射电子显微镜弱束成像技术金属间化合物ＦｅＡｌ超塑性变形后的位错组态，发现一种由「１００」位错和「０１０」位错构成的倾侧小角度晶界，该晶界做了一定的迁移运动而形成一系列台阶，本文讨论了该晶界的台阶形成机制及其对ＦｅＡｌ金属间化合物超塑性变形的贡献。