硅片纳米微粒清洗洁净新技术

随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽正在不断减小,对硅片表面质量处理的要求也就越来越高.传统的湿法清洗已经不能满足要求,故必须研发新的微粒清洗方法.简述了硅片表面污染物杂质的类型、传统的微粒湿法清洗法和干法清洗法,然后在此基础上分析了几种硅片制备工艺中纳米微粒的去除新技术,包括低温冷凝喷雾清洗工艺,N2O电子回旋加速共振等离子系统清洗技术,以及超细晶圆质量无危险的清洗方法等.     

向65nm工艺提升中的半导体清洗技术

由于器件尺寸由90nm技术节点向65nm节点的缩进,在前道工艺的湿法清洗中去除0.1μm及更小尺寸的污染粒子正在成为一种新的技术挑战。评价了在向65nm技术节点的迈进中,器件的新结构、新材料对于清洗设备提出的各种技术挑战及应对无损伤和抑制腐蚀损伤的清洗技术。指出了单片式清洗技术的应用前景及干法清洗与湿法清洗技术共存的可能性。     

微电子封装中等离子体清洗及其应用

随着微电子工艺的发展,湿法清洗越来越局限,而干法清洗能够避免湿法清洗带来的环境污染,同时生产率也大大提高.等离子体清洗在干法清洗中优势明显,本文主要介绍了等离子体清洗的机理、类型、工艺特点以及在微电子封装工艺中的应用.     

微电子封装中等离子体清洗及其应用

随着微电子工艺的发展，湿法清洗越来越局限，而干法清洗能够避免湿法清洗带来的环境污染，同时生产率也大大提高，等离子体清洗在干法清洗中优势明显，本文主要介绍了等离子体清洗的机理、类型、工艺特点以及在微电子封装工艺中的应用。     

半导体晶圆自动清洗设备

主要介绍了半导体晶圆RCA清洗工艺以及半导体晶圆自动清洗设备在生产中的结构设计和应用情况。在工艺模块和伺服机械传送方面体现了湿法化学的独创性和实用性。解决了晶圆清洗技术中晶圆清洗效果的一致性,在半导体IC、材料、器件领域的清洗工艺中得到广泛使用,具有极大的社会经济效益。     

晶圆制备工艺用清洗洁净及环保新技术

在简要介绍传统的湿法清洗与干法清洗技术的基础上,分析了几种晶圆制备工艺中的清洗洁净与环保新技术,包括HF与臭氧槽式清洗法、HF与臭氧单片清洗法以及无损伤和抑制腐蚀损伤的清洗方法等.分析结果表明,采用新技术清洗后的晶片表面可以满足更小线宽器件的要求,由于清洗工艺和步骤得到简化,所以使清洗设备小型化成为可能,同时新技术不仅节省了洁净间面积,而且有效地降低了环境污染.     

夹具形状对硅抛光片表面质量的影响

在硅抛光片的清洗技术中,湿法清洗技术仍然是主流清洗技术。随着抛光片尺寸增大,传统的手工清洗方式和半自动清洗方式已经不适于大尺寸硅抛光片的清洗,因此全自动湿法清洗设备逐步在大尺寸硅抛光片清洗设备中占据主导地位。在湿法清洗工艺中,夹具形状对清洗槽中液体的流动有着较大的影响,若夹具形状设计不合理,将影响抛光片表面沾污的去除,在抛光片表面形成"色斑"缺陷。     

Al-Cu互连导线侧壁孔洞形成机理及改进方法

侧壁孔洞缺陷是当前Al-Cu金属互连导线工艺中的主要缺陷之一.此种缺陷会导致电迁移,从而降低器件的可靠性.缺陷的产生是由于在干法等离子光刻胶去除工艺过程中,θ相Al2Cu在Al晶界聚集成大颗粒,并且在随后的有机溶液湿法清洗过程中原电池反应导致Al被腐蚀而在互连导线侧壁生成孔洞.通过对光刻胶去除工艺温度以及湿法清洗工艺中有机溶液的水含量控制可以抑制这种缺陷产生,从而减少电迁移,并且提高芯片的可靠性.     

等离子体刻蚀技术在硅栅MOS工艺中的应用

随着现代科学技术的迅速发展,电子技术越来越被各行各业及国防工业加以广泛利用。而MOS大规模集成电路则是当代电子工业的重要组成部分,它之所以重要是因其集成度高、可靠、速度快、功耗低、制造工艺简单、用途广等优点所致。由于集成度的不断提高,对器件的可靠性及加工精度就提出了更高的要求,但原有的化学湿法腐蚀工艺却限制了其发展。为了克服此不足点,国外发明了一种新的刻蚀工艺——等离子体干法腐蚀工艺,这样就为MOS工艺和大规模集成电路开辟了一条新的途径。     

VLSI／ULSI集成电路多层金属互连技术

随着半导体微电子器件制造技术迅速发展，多层金属互连技术对于提高器件集成度、速度和可靠性更为重要，需要不断发展新型多层金属互连结构、材料和工艺，本文介绍近年正在发展的一些多层金属互连新技术，如多层复合金属化体系、Ｃｕ等新型薄膜互连材料，ＴｉＮ在互连技术中的多种用途，新的介质薄膜材料及工艺、平坦化技术等。