用于扫描电镜的阴极荧光收集装置

利用扫描电子显微镜中的阴极荧光(CL)模式,来研究半导体材料的特性,已成为一种非常有效的手段。这是因为半导体的物理性质所决定的,这CL的强度、波长与半导体的组分、能带结构、杂质与缺陷等有着密切的关联。但是这CL的强度是极其微弱的。因此,收集传输CL将是一个关键。为此,人们想方设法利用各种反射镜来     

MoCVD GaAs外延层中“布纹状”缺陷分析

金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)是半导体材料生长的一门新技术,MOCVD材料在半导体激光器等方面有着重要作用。本文用的材料是生长在掺In半绝缘GaAs上的GaAs外延膜。用扫描电镜的阴极荧光(CL)模式观察,发现有大量黑线缺陷组成“布纹状”图形。这些黑线缺陷大致沿两个互相垂直的(110)方向,如图1,一个方向较密,另一个方向较稀疏。图2是横断面的TEM照片,显示有大量位错网络存在。有的网络从衬底一直沿伸生长到处延层,有的是外延层内产生的。平面(001)样品显示的位错网络与SEMCL像相符。用衍衬法确定这些位错主要是60°位错,是滑移形成的。X射线双晶衍射发现此材料有万分之三的晶格     

载流子传输材料对双层器件电致发光特性影响

以新的稀土红色荧光络合物－－Eu(TTA)m复合体系作为发光层,用不同载流子传输材料充当电子传输层做成双层器件,研究了双层器件的电致发光特性。对于空穴传输材料,高场下器件的电流表现为体内电阻限制;而对于电子传输材料,咖啡 件的电流表现为电极限制。从光谱的变化,可明显看出电场对复合区域的影响。     

阴极荧光联合分析系统在Ⅲ族氮化物研究中的应用

利用高性能阴极荧光(CL)联合分析系统对几类典型的Ⅲ族氮化物材料进行测试分析.在光谱研究中,利用CL紫外町见光谱系统,对c面蓝宝石衬底上生长的AlxGa1-xN薄膜进行阴极荧光单色谱测试分析,揭示了CL的激发强度与发光带之间的变化关系.进一步研究了掺Mg的Al0.5Ga0.5N薄膜的带边和杂质能级发光机理.利用CL近红外光谱系统对InN薄膜的阴极发光特性进行了研究,验证了InN实际光学带边E8在0.77eV附近.利用微区分析(CL mapping)系统,可在紫外波段确切地给出材料不同波长的荧光发光区这一特点,对HVPE生长的自支撑GaN衬底进行了SEM和CL微区的对比分析,研究了GaN的位错类型和分布.     

阴极荧光联合分析系统在Ⅲ族氮化物研究中的应用

利用高性能阴极荧光(CL)联合分析系统对几类典型的Ⅲ族氮化物材料进行测试分析.在光谱研究中,利用CL紫外町见光谱系统,对c面蓝宝石衬底上生长的AlxGa1-xN薄膜进行阴极荧光单色谱测试分析,揭示了CL的激发强度与发光带之间的变化关系.进一步研究了掺Mg的Al0.5Ga0.5N薄膜的带边和杂质能级发光机理.利用CL近红外光谱系统对InN薄膜的阴极发光特性进行了研究,验证了InN实际光学带边E8在0.77eV附近.利用微区分析(CL mapping)系统,可在紫外波段确切地给出材料不同波长的荧光发光区这一特点,对HVPE生长的自支撑GaN衬底进行了SEM和CL微区的对比分析,研究了GaN的位错类型和分布.     

脉冲激光辐照下半导体反射特性的研究

对脉冲激光微细加工中半导体的反射率与材料物理特性及激光产生的电子－空穴等离子体的关系进行了理论与实验研究，给出了分析受辐照样品表面结构变化的方法，这对半导体的脉冲激光微细加工具有重要价值。     

采用高亮度单晶柘榴石材料的可见显示系统

本发明属于采用无机荧光粉的可见显示系统的范畴。本发明是采用无机荧光材料的可见显示器件,当用高能电子(阴极发光,CL)或电磁辐射(光致发光,PL)激发时,这种无机荧光材料发射可见的电磁辐射。     

光阴极电压对微光像增强器性能影响研究

文章基于阴极半导体电子发射理论和微通道板(MCP)电子倍增基本物理过程,分析阴极背景噪声和信噪比与阴极电压的关系,分析指出:像增强器背景噪声会随着阴极电压的增大而增长;像增强器系统噪声因子随着阴极电压的增大而减小,并趋于饱和。通过实验证明:增大阴极电压的幅度,像增强器背景噪声随之呈指数增长;输出信噪比随之呈单调增长,并趋于饱和。由此得出阴极最佳工作电压在-160V左右。     

有机半导体CBP双极传输特性研究

有机电致磷光器件典 型双极性主体材料4,4′-N,N′-二咔唑联苯(CBP,4,4′-N,N′-dicarbazolylbiphenyl)中空穴和电子迁移率大小相近,但究竟空 穴传输快还是电子传输快是一 个有争议的问题。为了比较CBP中空穴和电子传输的相对快慢,本文以CBP为激子产生层,制 备了多层结构 的发光器件。在CBP层中插入一层超薄磷光发光材料苯基吡啶铱(Ir(ppy)₃,fac-tris( 2-phenylpyridine)iridium)并 改变插入位置得到了不同颜色的发光器件,通过对不同器件发光性能的比较,研究了CBP的 双极传输特性。结果表明,在CBP中电子和空穴主要在靠近阳极一侧复合产生 激子,从而表明CBP中电子的迁移率大于空穴的迁移率。     

光通信基础知识(六)

异质结发光器件前面我们介绍了半导体发光器件的发光原理:在半导体p-n结附近的p型区一侧,由于正向偏置注入大量的电子,在p型区它们是少数载流子,很容易和该区的多数载流子空穴产生复合,以光的形式辐射出多余的能量,其结果,一对电子空穴消失了,一个新的光子产生了。也就是说,导带中的电子“掉进”价带的空穴中,电子和空穴“复合”     

近红外响应的Ⅲ-V族半导体光电阴极材料及工艺北大核心

随着GaAs负电子亲和势(NEA)半导体光电阴极在我国的成熟和应用,半导体光电阴极的进一步研究将往更长波的近红外发展。针对透射式半导体光电阴极器件,系统总结了近红外波段响应良好的GaAs、InGaAs、InGaAsP Ⅲ-V族外延材料特性及相应商业化产品的应用领域和性能。通过文献调研本文进一步归纳了不同波段NEA光电阴极和转移电子光阴极适用的材料结构,并结合传统GaAs NEA光电阴极工艺讨论了InGaAs、InGaAsP材料及阴极工艺的难点。     

近红外响应的III-V族半导体光电阴极材料及工艺

随着GaAs负电子亲和势(NEA)半导体光电阴极在我国的成熟和应用,半导体光电阴极的进一步研究将往更长波的近红外发展。针对透射式半导体光电阴极器件,系统总结了近红外波段响应良好的GaAs、InGaAs、InGaAsP Ⅲ-V族外延材料特性及相应商业化产品的应用领域和性能。通过文献调研本文进一步归纳了不同波段NEA光电阴极和转移电子光阴极适用的材料结构,并结合传统GaAs NEA光电阴极工艺讨论了InGaAs、InGaAsP材料及阴极工艺的难点。     

光抽运垂直外腔面发射激光器的光谱特性研究

光抽运垂直外腔面发射半导体激光器(OPS-VECSEL)是近年来才开始研究的一种新型激光器,在很多领域中都具有广泛的应用前景,国内关于这种器件的研究报道还很少.通过分析器件的工作机理,给出热的产生过程和热效应对器件功率特性的影响;通过测量的外延片表面扫描电镜图像和光致发光谱的结果可以看出:增益材料有源区的热效应导致载流子寿命饱和,势垒内产生的电子空穴对没有足够的时间运动到量子阱中,而是在势垒层发生了非辐射复合.     

阴极荧光联合分析系统在III族氮化物研究中的应用

利用高性能阴极荧光（CL）联合分析系统对几类典型的III族氮化物材料进行测试分析.在光谱研究中,利用CL紫外可见光谱系统,对c面蓝宝石衬底上生长的AlxGa1-xN薄膜进行阴极荧光单色谱测试分析,揭示了CL的激发强度与发光带之间的变化关系.进一步研究了掺Mg的Al0.5Ga0.5N薄膜的带边和杂质能级发光机理.利用CL近红外光谱系统对InN薄膜的阴极发光特性进行了研究,验证了InN实际光学带边Eg在0.77eV附近.利用微区分析（CLmapping）系统,可在紫外波段确切地给出材料不同波长的荧光发光区这一特点,对HVPE生长的自支撑GaN衬底进行了SEM和CL微区的对比分析,研究了GaN的位错类型和分布.     

近室温工作的红外光探测器 续

Ⅳ德拜效应器件 图16是德拜效应器件的几何结构,图中S_1和S_2分别是表面和背面的复合速率,r_1和r_2是表面和背面的反射率。光生载流子的扩散形成扩散光电压(德拜效应)。产生光电压要满足两个条件:光生载流子分布应是不均匀的,电子和空穴的扩散系数必须不等。通常,载流子浓度梯度由不均匀的光生载流子产生率和器件前后表面不同复合速率形成。德拜效应的电场阻碍迁移率高的电子,同时使空穴加速,这样电子流和空穴流相等。 在弱的光激励并假定半导体电中性的条件下,稳态德拜光电压可表示为     

终端设备与显示设备

N99-06256 2002392电子情报通信学会技术研究报告:电子显示 EID98-80～109(信学技报,Vol.98,No.549)[汇,日]/日本电子情报通信学会.—1999.01.—175P.(L)本文集为发光型/非发光型显示技术专辑,收录的30篇论文主要涉及:荧光与荧光体材料的应用,红色荧光体的 CL 特性,荧光值的合成技术,兰色发光、紫外发光材料与 ZnO 薄膜的制作,SiC 薄膜的形成,MgO保护膜评价装置,PDP 保护薄膜材料,AC 型等离子显示面板,AC-PDP 用介质保护膜的形成,PDP 驱动法分析,UVEL/可视 PL 全彩色等离子显示器件,高清晰度电视,AC-PDP 的微小放电发光,面放电型 PDP 与 AC-PDP 的初期化技术,以及等离子 CVD,浸渍阴极,彩色显示工作特性等。     

以聚乙烯亚胺作为电子注入层的聚合物发光器件特性研究

在传统结构与倒置结构的有机发光二极管(LED)的聚合物发光层和阴极之间加入聚乙烯亚胺(PEIE)层能够显著地提高器件的发光效率。通过采用不同厚度的PEIE层的器件发光特性研究表明:PEIE层作为电子注入层(EIL)/空穴阻挡层(HBL)来平衡器件中的电子和空穴浓度,这主要来源于PEIE作为界面偶极层,能有效地降低阴极与发光层之间的电子注入势垒。     

以激光烧蚀法制备金属氧化物纳米粒子

1 前言粒径为几纳米的金属和半导体微粒子与其块状材料相比具有非常独特的物理、化学性能,在从块状体到原子、分子的所谓介观领域,随着尺寸不同其特性发生很大变化。例如,在可见光领域不发射荧光的块状间接迁移型半导体硅,经过纳米粒度化后发现随着粒度不同而发射不同波长的荧光;Cds和CdSe等化合物半导体纳米粒     

CdTe/CdS、CdTe/ZnS核壳结构半导体量子点制备及荧光特性

核壳半导体量子点材料因其在修复单量子点表面缺陷方面的特殊性能,极大地提高了量子点的光学性能而受到人们的研究。改进了CdTe核心的制作方法,使用小型三口瓶替代传统的小烧瓶作为反应容器,制备碲氢化钠,合成了不同核心尺寸、不同壳层厚度与不同壳层材料的10种CdTe/CdS、CdTe/ZnS核壳结构半导体量子点。对10种核壳结构半导体量子点材料进行紫外可见吸收光谱及荧光光谱测试,并分析其荧光特性。量子点在紫外可见波段的吸收光谱表明随着量子点尺寸的增大,吸收峰发生红移。通过实验结果与分析可推断出CdTe/CdS量子点荧光寿命和强度的不同是由于核心和壳层尺寸的不同量子点在I型和II型中相互转换;CdTe/ZnS的壳层厚度增加时,由于ZnS的壳层降低了核心外表的悬空键和表面缺陷态的数量,使电子空穴对复合机率加大,使得荧光峰位产生了红移。     

超短余辉荧光材料涂敷的彩色阴极射线管

日本专利:MITSUBISHI 电子公司研制。具有红、蓝、绿像元的彩色阴极的射线管荧光屏。它是用10%余辉时间超过10毫秒的长余辉荧光材料混合物和10%余辉时间低于1毫秒的超短余辉荧光材料混合制成的。构成红绿像元的超短余辉荧光材料分别是:Y_3Al_5O_(12):Ce 和Y_3(Al,Ga)_5O_(12):Ce 中的至少一的。蓝色像元的超短余辉荧光材料是 Y_2SiO_5:Ce。这种阴极射线管可用于光笔,有良好的响应特性和宽的颜色重现范围。