MOS器件中热载流子效应有关电场的计算方法

采用线性近似的方法，对ＭＯＳ器件中的沟道水平加速电场及栅氧化层中的垂直电场进行了研究，给出了一种较精确的简便计算方法．在该电场模型的基础上，建立了整个热载流子效应的模型框架．     

PMOS栅氧化过程中杂质分凝的计算机模拟

以ＰＭＯＳ结构为研究对象,对其绝缘栅栅氧化的动态过程进行了计算机模拟,进而提出了可以抑制杂质分凝效应的栅氧化新模式。该成果对Ｐ沟道ＭＯＳ器件的工艺设计具有普遍意义。     

1000V MOSFET用常规低压工艺的实现

采用常规低压集成电路工艺实现了耐压达１０００Ｖ的高压横向ＭＯＳＦＥＴ，详细介绍了该高压横向ＭＯＳＦＥＴ的设计方法、器件结构、工艺技术及测试结果，文中从实验和分析的角度上首次探讨了覆盖在漂移区上面的金属栅长度对该高压横向ＭＯＳＦＴ击穿电压的影响。     

PMOS栅氧化过程中杂质分凝的计算机模拟

以 Ｐ Ｍ Ｏ Ｓ结构为研究对象,对其绝缘栅栅氧化的动态过程进行了计算机模拟,进而提出了可以抑制杂质分凝效应的栅氧化新模式该成果对 Ｐ沟道 Ｍ Ｏ Ｓ器件的工艺设计具有普遍意义     

LY732－PMOSFET电场效应过程的计算机模拟

本文分析及研究了对绝缘栅ＬＹ７３２－ＰＭＯＳ－ＦＥＴ结构所进行的工艺及器件模拟的数据，重点在栅源偏压（ＶＣＳ）与ＭＯＳ结构界面电荷分布的定量关系上得到了与实验一致的结果，定量地描述了在常规偏压条件下硅衬底表面电荷的分布及行为，从而揭示了Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ电场效应的微观过程．     

IGBT在电力牵引机车斩波回馈制动中的应用

绝缘栅晶体管（ＩＧＢＴ）集场效应管（ＭＯＳＦＥＴ）和大功率晶体管（ＧＴＲ）的优点于一体,因此,在电气传动和其他领域中得到了广泛的应用。文中介绍了ＩＧＢＴ的工作原理和其在暂波回馈制动实验装置中的应用。     

LY732—PMOSFET电场效应过程的计算机模拟

本文分析及研究了对绝缘栅ＬＹ７３２－ＰＭＯＳ－ＦＥＴ结构所进行的工艺及器件模拟的数据，重点在栅源偏压与ＭＯＳ结构界面电荷分布的定量关系上得到了与实验一致的结果，定量地描述了在常规偏压条件下硅衬底表面电荷的分布及行为，从而揭示了Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ电场效应的微观过程。     

外延双极晶体管基区表面电流的模型及应用

少数载流子在Ｓｉ－ＳｉＯ２界面的复合对双极器件的影响很大，文中通过对采用ＳｉＯ２膜和ＳｉＯ２－Ｓｉ３Ｎ４双层膜一次钝化的电容和栅控外延ＮＰＮ晶体管表面电特性的研究，发现ＳｉＯ２－Ｓｉ３Ｎ４一次钝化膜能减小基区表面电流，文中建立了外延双极晶体管基区表面电流随栅区（或基区表面电势）变化的理论模型，该模型成功地解释了栅控外延双极晶体管的基区表面电流随栅压变化的实验曲线，从而为器件的计算机模拟提供了更加精     

应用FV-TVD格式求解弯扭叶片内部流场

应用ＦＶ－ＴＶＤ（即有限体积ＴＶＤ）格式求解了某型涡轮导向器静叶改型所生成的弯曲叶片构成的叶栅内部流场,控制方程采用任意曲线坐标系下的时间相关Ｎａｖｉｅｒ－Ｓｔｏｋｅｓ方程,对无粘通量采用Ｃｈａｋｒａｖａｒｔｈｙ－Ｏｓｈｅｒ的三阶精度ＴＶＤ格式进行离散,对粘性通量采用中心差分格式进行离散,通过对于弯曲叶片内部流场的计算,得到了叶栅内部流场的速度及气流角等参数的分布情况,表明了应用弯曲叶片进行燃气涡     

ANALYSIS OF STRESS AND TEMPERATURE IN THE CONFORM FORMING PROCESS——FOUNDATION THEORY

ＡＮＡＬＹＳＩＳＯＦＳＴＲＥＳＳＡＮＤＴＥＭＰＥＲＡＴＵＲＥＩＮＴＨＥＣＯＮＦＯＲＭＦＯＲＭＩＮＧＰＲＯＣＥＳＳ——ＦＯＵＮＤＡＴＩＯＮＴＨＥＯＲＹＰｅｎｇＹｕｅｌｉｎＨｕＪｉａｎＭｏＢｉｎ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＡｐｐｌｉｅｄＭａｔｈｅｍａｔｉｃ...     

关断角控制在交流电机节电运行中的应用

对于长期运行在负载变化大、平均负载率低的电机,会造成巨大的电能消耗.采用降压节能的方法,通过晶闸管调压电路,适当地减少电机端电压,从而达到在不改变电机转速以满足特定工况转速要求的情况下减少不必要的电能消耗的目的.为了避免电机震荡现象,采用以电流关断时刻为基准的晶闸管关断角控制方法,通过理论分析及建模仿真,证实了该方法在节电运行中的可行性.结合模糊控制,提出了关断角模糊控制方法,并研制节电装置样机进行了实验验证.结果表明：关断角控制策略是正确有效的,能够使电机稳定运行,不出现震荡现象,所采用的模糊控制方法能较好地响应负载变化.通过对比是否使用节电装置所消耗的功率情况,得出该节电装置具有较好的节电效果,在空载运行时效果最佳.     

90nm CMOS工艺下3×VDD容限静电检测电路

提出一种90nm 1.2VCMOS工艺下只用低压器件的新型3×VDD容限的静电检测电路.该电路利用纳米工艺MOSFET的栅极泄漏特性和反馈技术来控制触发晶体管并进而开启箝位器件(可控硅整流器),同时采用多级叠加结构以承受高电压应力.在静电放电时,该电路能产生38mA的触发电流.在3×VDD电压下工作时,每个器件都处于安全电压范围,在25℃时漏电流仅为52nA.仿真结果表明,该检测电路可成功用于3×VDD容限的接口缓冲器.     

MOS器件静电潜在损伤的1／f噪声监测方法

通过对MOS器件的静电应力试验以及监测试验过程中电参数和1/f噪声的变化,发现1/f噪声对于由电静电应力引起的潜在损伤要比电参数的变化敏感得多,在同样的静电应力条件下,1/f噪声的相对变化量比跨导的相对退化量大6倍以上,分析表明,起源于边界陷阱的1/f噪声对于静电诱发的氧化层电荷和界面陷阱两类缺陷同时敏感,而电参数的变化主要取决于其中一类缺陷,因此,1/f噪声的测试可以作为一种经济、有效、完全非破坏性的工具,检测静电引起的MOS器件潜在损伤。     

NPB层嵌入MgF_2超薄层对OLED性能的影响

将MgF2超薄层嵌入有机电致发光器件(OLED)的空穴传输层NPB中,制备了结构为ITO/NPB(10nm)/MgF2(xnm)/NPB(20nm)/Alq3(30nm)/Al(30nm)的一系列OLED。测试结果表明,合适厚度的MgF2可有效降低器件启亮电压,提高器件的发光效率。MgF2厚度为0.5nm的器件启亮电压只有2.3V,较未嵌入MgF2器件降低2V;MgF2厚度为1.0nm的器件最大电流效率达到3.93cd/A,最大光功率效率达到1.58lm/W,较未嵌入MgF2器件分别提高95%和110%。     

自动无功补偿装置中用GTO保护晶闸

针对采用FCT＋FST的自动无功补偿装置的晶闸管的保护及续流问题,提出一种受保护及续流晶闸管控制的R－C旁路电路,将其与电抗器并联而不是与晶闸管并联以保护及续流,给出了R、C参数的计算方法。具有保护及续流灵敏完全、电抗器电流基本连续的优点,并可减少对交流电源侧的谐波污染。     

小尺寸器件栅隧穿电流预测模型

针对具有超薄氧化层的MOS器件,使用积分方法,提出了一个新的栅隧穿电流与氧化层厚度关系的理论预测模型,在此基础上使用HSPICE对MOS器件的特性进行了详细的研究,并定量分析了器件的工作情况,预测了在栅隧穿电流的影响下小尺寸器件的特性变化趋势.使用BSIM 4模型进行仿真的结果与所提出的理论模型相符合.     

IGBT的静态特性解析模型

本文提出了一个包含闩锁效应在内的ＩＧＢＴ的静态解析模型，由该模型可清楚地从器件物理角度分析ＩＧＢＴ的静态参数，为改善ＩＧＢＴ的静态特性和进行ＩＧＢＴ的优化设计提供了理论依据。     

一种克服SOI MOSFET器件自加热效应的方法

MOS器件的自加热效应将影响器件的性能．漏极电流将减小，长时间的可靠性也会受到影响．在SOI器件中，自加热甚至比埋葬式氧化物引起的问题更严重．本文通过在SOI和基片之间增加一条具有高导热和低导电的路径，减小了自加热的负面效应．     

基于低Q值中频电源续流二极管的研究

针对中频电源续流二极管存在的问题,本文基于低Q值串联谐振中频电源的基本原理,研究了反并联续流二极管对电路的影响,并对低Q值中频电源去除续流二极管的可行性进行了理论分析,在低Q值串联谐振中频电源电路中,只要选择耐压合适的晶闸管,就可以去除续流二极管,不但避免小环流对电路造成的影响,而且也可改善电路性能;同时,对去除续流二极管可行性进行了实验验证.实验结果表明,续流二极管的引入,造成了小环流延缓晶闸管的关断,晶闸管开通时产生尖峰过电流,晶闸管关断时产生尖峰过电压,并且在低Q值中频电源中可以通过去除续流二极管优化电路.该研究电路结构简单,性能可靠,效率高,具有很大的经济价值.     

串联谐振型限流器主电路的设计

限流器面临的是故障电流工况,传统过电压保护技术不适合限流器装置.为了得出参数的合理范围,建立了阻抗模型,得出了限流指标与限流参数的函数关系.为了降低晶闸管阀电流应力水平,研究了保护装置换流过程,分析了故障状态下晶闸管阀的应力水平.对主电路结构进行了优化设计,提出了新型过电压保护电路方案.