等离子腐蚀铬掩模版的横向腐蚀分析

本文给出了进行等离子腐蚀铬掩模版图形的一个典型工艺条件,并对在此工艺条件下腐蚀的铬掩模图形的实验结果进行分析,给出了等离子腐蚀中的横向腐蚀量。实验结果确证了腐蚀技术是制造超大规模集成电路和超高频功率器件掩摸版的最好腐蚀技术。     

大规模集成电路掩版模的检查与质量分析

在大规模集成电路的制造中,掩模版的特点是:1)掩模必须是分层作图,且每层之间的掩模图形按设计要求套刻;2)、掩模的图形尺寸变化应控制在设计的一定容差范围;3)掩模图形内的任何缺陷,都会导致电学的穿通或错误连结,所以对缺陷尺寸、位置及密度都有严格要求;4)掩模图形本身的质量,包括黑白反差和边缘锐度等等将会影响光刻工艺质量,这也是对掩模要求着眼点之一,…….     

决策表在机械手路径规划中的应用

机械手路径规划是掩模传输系统的一个重要组成部分。掩模传输系统的主要作用是存贮掩模版,对掩模版进行传输、精确定位以及交接版。机械手路径规划在掩模传输系统中,用于对机械手、版库等移动组件的移动路径进行规划,防止发生碰撞,保证人员、设备以及掩模版的安全。机械手的移动路径采用决策表法进行规划。     

采用离子注入法制作高精度掩模版

日本电气公司最近研制采用离子注入法制作高精度掩模版的技术,去年12月已在华盛顿举行的国际电子器件会议上发表。在集成电路和LSI制造工艺中,用于光刻工艺的掩模版是使用银乳剂的乳胶掩模和使用金属铬、氧化铬、氧化铁等金属或金属氧化物形成暗区的所谓硬掩模。采用贴紧或者投影的方法,让这些光掩模与涂敷了光刻胶的硅片相叠合,并用紫外线曝光,经过显影,光掩模上的电路图形就复印在硅片上。由于乳胶掩模使用了卤化银,     

掩模光刻机中找平控制研究

基片与掩模版(或找平版)找平技术是掩模光刻机中的一个关键技术,找平的结果直接决定了光刻机的分辨率精度。找平的目的就是要实现掩模版平面和基片平面的平行,实现基片与掩模版在移动到设定的一个微小间隙后,基片上的各点到掩模版的距离相同,从而保证基片上图形的一致性,提高设备的分辨率。找平过程的控制主要在对找平的判断、压力采集反馈、找平压力的控制等方面。     

EUV掩模版在曝光过程中的热变形

极紫外光刻(EUVL)技术是实现45 nm特征尺寸的候选技术之一,产业化设备要求300 mm硅片的产率大于每小时80片(80 wafer/h),此时入射到掩模版上的极紫外光功率密度很高,掩模版上的吸收层和Mo/Si多层膜将分别吸收100%和35%的入射光能量,从而导致其热变形,引起光刻性能下降,因此必须分析和控制掩模热变形。利用有限元方法分析掩模版在不同功率密度下的热变形,结果表明,抗蚀剂灵敏度为7 mJ/cm2和5 mJ/cm2时,入射到掩模版上的光功率密度分别为259.24 W/cm2和184.38 W/cm2,掩模版图形区域x-y平面内最大变形分别为1.11 nm和0.71 nm,z方向最大变形分别为0.26 nm和0.19 nm。     

衍射干涉光刻研究

光刻就是将掩模版上的图形转移到基底的过程,广泛应用于微电子、微机械领域。衍射现象是光刻工艺无法避免的问题,当掩模图形尺寸接近光源波长时,就会产生衍射干涉现象。利用这一现象,可以产生小于掩模图形尺寸的图形。采用严格耦合波分析算法对光刻过程中的衍射干涉做了仿真分析;并用karl suss MA6光刻机实现了基于掩模的干涉光刻实验,通过增加滤光片得到相干光源,增强光刻过程的衍射,形成衍射干涉,掩模版透光区域和部分不透光区域下方的光刻胶得到曝光,利用微米尺度的光栅图形,在光刻胶上产生亚微米的光栅;最后利用干法刻蚀工艺,在硅基底上加工出亚微米尺度光栅。     

掩模版形变对图形精度的影响

集成电路发展的标志之一是硅片直径的大型化,与此同时对掩模版的精度也提出了更高的要求.随着掩模版尺寸的变大(由2时变成3时、4时)及图形的微细化(由6～8微米,变成3～4微米),使以往可以忽略的一些外界因素(如温度、湿度、外力的变化)对图形精度的影响也愈来愈严重.本文将讨论和分析这些外界因素的影响,使我们能在掩模制作和使用过程中有意识地控制和减少这些因素的作用.     

版库装置应用软件的设计与开发

版库装置是一些半导体设备的必要组件,版库装置的主要功能是:对放置于版库上的版盒进行检测,识别版盒中掩模版的存贮状况;锁定或解锁版盒;将指定版槽定位到版交接位置,从而对指定版槽进行放掩模版或取掩模版操作等。版库软件设计开发的目的就是为了实现上述功能。对版库软件的设计开发过程应用软件工程的方法。     

ULSI掩模缺陷检查技术研究

本文以KLA－221型自动掩模缺陷检查系统硬件资源为研究工具。详尽地描述了ULSI掩模缺陷检查的实际意义、缺陷检查的原理、检查模式。提出了如何保证缺陷检查的捕俘率以及降低伪缺陷的方法。对单层掩模版的图形品成率和整套掩模版图形成品率的正确预测做了分析研究，并可由预测的结果揭示出IC芯片生产中的成品率应达数。还讨论了掩模秧陷的分类和产生的工艺因素。     

光刻掩模版的低温气溶胶清洗探究

介绍了CO₂低温气溶胶干洗技术的机理和清洗效果。描述了基于动量传递的颗粒去除理论模型,验证了亚微米颗粒的去除效率高于较大颗粒。用Si₃N₄颗粒在硅片上的实验结果表明,亚微米颗粒的去除率比30μm以下的较大颗粒高10%。介绍了该技术在光刻掩模版清洗中去除各种污染颗粒的实验结果。光刻掩模版的机械修复后清洁结果表明,石英颗粒被有效去除,而不会损坏相邻图形的线条。无机污染物,如硫酸铵,通过低温气溶胶清洗去除,效率达到99%,如使用光学检测工具所见。通过多次清洗测量清洗对掩模相位和透射的影响。结果表明,在16次清洗循环中,传动比变化为0.04%,相位变化为0.37°。因此,可以使用CO₂低温气溶胶可以对来自掩模版的亚微米颗粒进行非侵入性清洁。     

氧化铬半透明掩模版的制备

本文简述氧化铬半透明掩模的制备。利用高真空镀膜机,采用钼舟加热器以三氧化二铬为镀膜源。只要镀膜条件控制得当,就能够制备出符合光掩模版所要求的半透明氧化铬版。     

Fe_2O_3彩色版的制备和正性胶复印

近几年来,我们使用Fe_2O_3彩色版和正性胶复印光刻掩模,在一定程度上提高了掩模质量,保证了掩模版的大量供应。现将我们Fe_2O_3彩色版的制备和正性胶复印的情况介绍如下。 Fe_2O_3彩色版的制备 化学气相淀积法制备Fe_2O_3版具有设备简单,成本低,效率高和操作方便等优点。 Fe_2O_3版在使用上还有如下优点: 1.它对可见光透明而阻挡紫外光通过,因而允许在光刻时通过掩模直接观察片子上的图形。 2.正性抗蚀剂为提高光刻精度开辟了新的途径,使用彩色掩模便可减少由于使用正性抗蚀剂而采用大部分不透明的掩模给光刻对准带来的困难。 3.Fe_2O_3版由于吸收(而不是反射掉)不需要的光,因而相当地减小了晕光效应,加强了对反射性衬底的对比度,有利于精细线条光刻。减少了掩模的强烈反射光对光刻同志眼睛的刺激。 4.复印腐蚀特性比较好,在一定程度上减少了掩模缺陷。     

微水刀激光技术用于制造第4代OLED掩模版

1 引言 真空掩模蒸镀是制备OLED发光层的主要方法.OIJED掩模版所用的材料是热膨胀系数极低的Invar合金,通常掩模版的厚度只有40μm,带有几百万个微小的长方形像素.由于使用三基色发光材料的彩色OLED在制造过程中需要先后使用几张掩模版,因而对掩模版的精度要求非常高.     

用光学制版设备制作1μm光掩模版

本文研究了用常规光学制版设备制作微细线条光掩模的加工技术,分析了精缩机,初缩版(原版)、化学处理、工艺环境在1μm光掩模版制作中的作用和要求。研制结果表明,采用反差大、过渡区小的初缩版,在严格聚焦的情况下进行分步精缩制版,精确控制显影和腐蚀时间,就能够制作出1μm条宽的光掩模版。     

微缩镜头的正确使用与维修保养

<正> 初缩镜头与精缩镜头都属于半导体工业用的微缩制版照相镜头,简称微缩镜头。它的质量的优劣直接影响光刻掩模的质量,继而影响半导体器件平面工艺的质量。近年来,我国半导体工业在迅速的发展。半导体器件的图型结构越来越细,进而对光刻掩模的要求也越来越高。因此,对微缩镜头的要求亦越来越严。微缩镜头应具备的性能光刻质量的高低与光刻掩模版的质量有着密切的关系。质量较高的掩模版应当具备:1、整幅版的图像边缘要清晰,而且在图型阵列中的每一个微小图型的图像也要清晰。2、图型尺寸要准确且不发生变形。     

索尼公司开发成功用于0.18μm工艺的光刻技术

据《国际半导体》杂志（英文）1995年第8期报道，索尼公司已开发成功一种能用于0．18μml艺的光刻技术。在最近几年，为了大规模高密度单芯片器件和ASIC生产的需要，各种数字和多功能的设备大大增强。这就引起光刻技术向缩短爆光波长，即光源从目前的i线向KrF激光的转变。与此同时，也在用斜掩模照射光和相移技术来改善微细光刻的精度。然而，常规的斜照射光方法照在掩模版上可以增加微细图形的焦深。这意味着对低密度图形的曝光是不充分的。另一方面，一种不用斜照射光但结合了分布照射光和相移掩模的技术，需在目标掩模图形的相邻点建…     

无掩模光刻技术研究

介绍了无掩模光刻技术的现状和存在的问题,并对几种常见的无掩模光刻技术进行了详细的对比分析.研究表明,扫描电子束光刻具有极高的分辨率,但是生产效率较低;波带片阵列光刻技术已经在理论和实验上取得了广泛的成果,在保持无掩模光刻技术高分辨力的同时,对电子束的低效率将是一种补充,是一种很有潜力的用于制作掩模版的光刻技术.     

掩模版复印工艺图形畸变分析与改进

批量化、低成本的掩模版复印工艺常被用于LED领域。在微米级图形的掩模版复印工艺中,受玻璃基板平面度的影响,光学衍射效应会导致图形发生畸变。为消弭复印工艺中的图形畸变,从光学衍射理论展开分析,提出通过调整光刻曝光剂量和光刻胶层厚度来提升掩模版复印工艺水平的方法。实验实现了4μm圆形图形掩模版的复印制作,结果表明该方法可以显著提升微米级图形的掩模版复印工艺水平,降低掩模版的制作成本。     

激光直写系统制作掩模和器件的工艺

激光直写系统是国际上９０年代制作集成电路光刻掩模版的新型专用设备。微细加工光学技术国家重点实验室从加拿大引进了国内第一台激光直写系统。利用这台系统，通过高精度激光束在光致抗蚀剂上扫描曝光，将设计图形直接转移到掩模或硅片上。激光直写系统的应用，可以分成一次曝光制作光刻掩模和多次套刻曝光制作器件两个方面。介绍使用激光直写系统制作光刻掩模和套刻器件的具体工艺，并给出利用激光直写工艺做出的一些掩模和器件的实例