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一种厚膜电阻压力传感器 国外Pupin研究院设计成一种厚膜电阻压力敏感元件,该元件是根据厚膜电阻的可逆压阻效应制成的,1973年首次报导了这种效应的存在,并于1980年发表了有关厚膜电阻压力敏感元件的论文。 这种厚膜电阻压力敏感元件是由含96％的Al_2O_3陶瓷膜片固定在同种材料制     

硅压力传感器的灵敏度和非线性分析

灵敏度和非线性是表征硅压阻式压力传感器性能的两个最重要参数,这是压力传感器的设计目标.最初出现的硅压阻式压力传感器都采用圆形均厚膜设计,但由于膜片本身     

文摘

本文介绍了适于自动化应用的压力传感器发展。并对组成该传感器的厚膜电阻器的压阻特性进行了研究。该传感器的敏感元件是由四个厚膜电阻器上的铝膜构成。连结的厚膜电阻器用惠斯登电桥电路隔离和引发。这些传感器的主要特性是;坚固,不移动部件;对自动化环境不敏感;     

厚膜压力传感器

<正> 在柔性塑料膜上印刷厚膜元件可以制作廉价微型压力传感器。对敏感膜片的两种动作方式进行了研究。第一种方式是将碳聚合物电阻印刷在膜片上,电阻值根据压阻效应而发生变化。第二种方式是将一块导电板印刷到膜片上,构成电容器的一     

基于AIN绝缘的多晶硅高温压力传感器设计

探讨了一种多晶硅高温压力传感器的设计方法,采用AIN作硅衬底和多晶硅力敏电阻条之间的电绝缘层,由于无p-n结,力敏电阻无反向漏电,使制作的压力传感器特性好。利用多晶硅材料在高温条件下能够表现出良好的压阻特性,考虑其纵横向压阻效应的不同,作了理论分析,在此基础上制作力敏电阻条。利用有限元分析方法,借助MARC软件,模拟了传感器承压弹性膜的应力场分布,确定了多晶硅力敏电阻条的位置和排列方式。并且施加10kPa压力日寸,模拟了不同膜厚t与对应的最大应力σ11的曲线;模拟了11方向主应力COMP11边缘中点应力为一特定值时所需压力PN与膜厚t的关系曲线。     

热激励谐振式硅微结构压力传感器

对一种以方形硅膜片作为一次敏感元件;硅梁作为二次敏感元件的硅谐振式压力微传感器进行了研究:建立了微传感器敏感结构的数学模型;敏感结构参数:方形膜边长4 mm,膜厚0.1 mm,梁谐振子长1.3 mm,宽0.08 mm,厚0.007 mm;对原理实验样件采用电热激励、压阻拾振方式作了开环测试,讨论了传感器的闭环系统.     

基于AlN绝缘的多晶硅高温压力传感器设计

探讨了一种多晶硅高温压力传感器的设计方法,采用AlN作硅衬底和多晶硅力敏电阻条之间的电绝缘层,由于无p-n结,力敏电阻无反向漏电,使制作的压力传感器特性好.利用多晶硅材料在高温条件下能够表现出良好的压阻特性,考虑其纵横向压阻效应的不同,作了理论分析,在此基础上制作力敏电阻条.利用有限元分析方法,借助MARC软件,模拟了传感器承压弹性膜的应力场分布.确定了多晶硅力敏电阻条的位置和排列方式.并且施加10kPa压力时,模拟了不同膜厚t与对应的最大应力o11的曲线;模拟了11方向主应力COMP11边缘中点应力为一特定值时所需压力尸N与膜厚t的关系曲线.     

陶瓷厚膜力敏传感器

介绍采用厚膜工艺技术制作陶瓷力敏传感器,详细叙述圆膜片式压力传感器和陶瓷双孔梁式力传感器的工作原理、主要性能、结构设计、制作工艺,展望其应用前景.     

半导体压力传感器研制现状与开发动向

随着IC制造技术的迅速发展,硅膜片式压力传感器及其集成化压力传感器受到青睐,对其开发研制相当盛行.本文以应用压阻效应原理的硅膜片式压力传感器为中心阐述半导体压力传感器的最近研制现状与开发动向.     

SOI压力传感器的灵敏度优化设计

目前压阻式压力传感器灵敏度优化计算仅基于压阻条整体性几何分布,在相关参数的优化上存在局限性,且在模型及计算等方面有一定误差。本文提出一种专门用于SOI压力传感器,通过精确分析敏感栅的栅数、栅长以及其坐标分布的最佳组合参数,结合不同量程芯体膜厚的计算,达到传感器灵敏度优化的方法。基于Microsoft Visual C++平台以及有限元、数值分析等接口技术,采用参数化建模,有限元分析仿真,数值后处理,编制循环分析算法,设计SOI压力传感器灵敏度优化程序。通过实验数据验证优化设计与实际吻合较好。     

压阻式压力传感器性能的研究

微压力传感器是微机电领域最早开始研究并且实用化的器件之一,它结构简单、用途广泛。本文介绍了基于压阻效应及惠斯顿电桥的压阻式压力传感器。介绍了膜的面积、厚度、电阻形状和位置等参数对压阻式压力传感器的灵敏度和线性度的影响。     

厚膜陶瓷电容式压力传感器设计与制备

结合厚膜技术、陶瓷技术研制了双电容结构的压力传感器,详细阐述了厚膜陶瓷电容式压力传感器的结构设计、工作原理、制备方法、测试结果.试验结果表明:研制的传感器工作稳定,测量精确,非线形误差低于1.0%,迟滞误差小于0.5%,测试电容和参考电容温度系数几乎一致.     

基于PMC型压力传感器的大楼恒压供水装置

分析了PMC（压力陶瓷膜片）压力传感器的性能特点，介绍了以PMC压力传感器为主要元件构成的高层建筑恒压供水系统。     

膜厚对多晶硅纳米薄膜压阻温度特性的影响

重掺杂多晶硅纳米薄膜具有良好的压阻温度特性,用它制作高温压阻式传感器灵敏度高、成本低,具有广阔的应用前景.为优化多晶硅纳米薄膜的压阻温度特性,本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术制作了不同膜厚(30～250 nm)的多晶硅薄膜,分别测试了应变系数、薄膜电阻率与工作温度的关系.利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射实验(XRD)对薄膜进行了表征,在此基础上结合隧道压阻模型分析了膜厚对多晶硅薄膜压阻温度特性的影响,结果表明,对于淀积温度620℃、掺杂浓度2.3×1020 cm-3的多晶硅纳米薄膜,膜厚的最佳值在80 nm厚左右.     

基于氧化锆功能陶瓷的无源压力传感器的制备与测试

氧化锆功能陶瓷因其稳定的物理特性、机械韧性和高温鲁棒性得到了广泛的应用.从非接触无源信号测试技术的基础研究出发,以LC无源谐振电路为技术背景,提出了采用氧化锆流延生带来实现MEMS压力微结构的设计方案,并通过利用陶瓷生片叠片工艺技术和厚膜印刷技术成功制备了压力传感器.根据电感耦合原理实现了传感器的非接触环境压力测试,通过在最大耦合距离为1 cm的条件下测试获得的压力传感器的灵敏度为7.5 MHz/bar.本传感器有效避免了微器件封装、引线外联的问题,从而为以后压力传感器应用在较高温度环境奠定基础.     

基于 ＧＮＰｓ/ ＰＤＭＳ 复合薄膜的柔性压阻传感器制备及性能研究

目前柔性压力传感器已被用于众多领域,其中压阻薄膜是柔性压力传感器的核心。本文将石墨烯纳米片（GNPs）与聚二甲基硅氧烷（PDMS）复合,通过倒模的方法制备压阻薄膜,经测试,GNPs浓度为8%时,材料具有较好的性能。以此为基础,制备了压敏结构间距为1.2 mm,直径大小为1.0 mm的GNPs/PDMS基压阻传感器,经测试,所制备的传感器加载响应为340 ms,卸载响应速度为260 ms,并具有较好的稳定性,同时,基于该压阻式柔性压力传感器实现了人体手腕关节处压力信号的测试。     

YZ-1型硅压阻型集成压力传感器

YZ-1型硅压阻型集成压力传感器可用于近程或远程流体压力的测定、显示，进而达到自控的目的．该产品的测压量程为0～1MPa．适用温度范围为．10～50℃或-20～40℃，以（100）硅片为基础村料．背面经各向异性腐蚀后产生方形杯，杯底构成弹性膜。YZ-1型硅压阻型集成压力传感器采用方形膜及有限力学优化设计．力敏电阻布置合理．充分利用应力效应，     

用阳极氧化腐蚀工艺生产硅膜压力传感器

为了减少压力灵敏度偏差,已用阳极氧化自停腐蚀工艺制造了硅膜压力传感器。在肼水溶液中采用自停腐蚀工艺,精确地控制了膜的厚度。p型压阻元件是用硼离子注入在(100)晶向的n型外延层上制造的,在n/p硅外延片的n型层上加5V正电压,则厚的p型衬底就被腐蚀掉,腐蚀停止后,一层薄的n型膜被留下了。膜的尺寸为1mm×1mm,厚度是20±2μm,晶片之间的压力灵敏度偏差小于20％。     

微型双模式耐蚀压力传感器设计及特性分析

本文提出一种微型双模式耐蚀压力传感器设计并分析其测试特性,能够实现静态力和瞬时力的同步测量。该传感器由基于低温共烧陶瓷的压阻测量单元和基于硅橡胶的电容测量单元构成。并由压阻测量单元实现静态力的测量,电容测量单元实现瞬时力的测量。文中分别计算了压阻测量单元和电容测量单元的数学分析模型,并通过有限元仿真研究传感器的静态特性和模态响应,考量传感器结构参数对其测量性能的影响。     

基于氧化铝陶瓷的电容式高温压力传感器

氧化铝陶瓷因其稳定的机械性能和高温鲁棒性得到了广泛的应用。文章以LC谐振电路为技术背景,提出了一种基于氧化铝陶瓷的电容式高温压力传感器,并通过厚膜集成工艺技术将一个定值电感与一个可变电容集成在氧化铝陶瓷基板上实现了传感器的制备。对传感器进行高温环境下的压力测试,实验结果表明:传感器能够完成600℃高温环境下1到5 bar范围内压力的原位测试,且在600℃高温环境下传感器的重复性误差,迟滞性误差和零点漂移分别为8.3%,5.05%和3.7%。