氧化铝基片对厚膜导体附着力的影响

基片的物化性质,与厚膜电路导体的性能,特别是可靠性和生产中的重复性等关系非常密切。本文从实验出发,比较了几种不同的96%氧化铝基片对厚膜导体附着力的影响,并进行分析及讨论。     

增加厚膜导体附着力

随着微电子，特别是航天电子设备及军事电子装备小型化的要求，以及汽车电子、程控交换机等小型化的要求，厚膜混合集成电路的作用日益重要，厚膜混合集成电路是制造高电压、大电流、大功率电路的最佳选择。因为厚膜电路基板采用Al2O3陶瓷、BeO陶     

厚膜钯银导体超声丝焊性能的改进

在钯银导体浆料配方中采用钯银比为1:10,高温粘结相中加入适量的氧化物和玻璃(粒度小于5μm),银粉和钯粉经化学细化处理(粒度小于5μm,颗粒呈球形),可使钯银导体的金属丝焊性能得到大的改善。     

钯银导体热老化性能的探讨

高强度的钯银导体具有良好的初始附着力。但是,在常温存放或长时间热冲击的情况下,附着力明显下降,甚至带来灾难。本文从热老化机理入手,对改善老化附着力提出了多种设想。     

影响厚膜导体附着力的几种因素

厚膜导体是厚膜混合集成电路中的一个重要组成部分,在电路中起有源器件的互连线、多层布线、电容器电极、外贴元器件的引线焊区、电阻器端头材料、低阻值电阻器、厚膜微带等作用.在厚膜混合集成电路的生产过程中,为了评价成膜基片的性能及焊接的效果,在做剪切强度测试时,经常会遇到焊盘脱落现象,这给厚膜电路的产品质量带来很大隐患.文章通...     

厚膜电路式电热元件的金属基片技术

综述了厚膜混合电路用金属基片的技术要求,介绍了基于430不锈钢的有关介质浆料的特性,列举了金属基片在电热元件上的应用。     

压电陶瓷银层附着力及其影响因素

通过瓷件表面粗糙度、瓷件的清洗方式、烧渗银温度和曲线等工艺过程的试验,研究了压电陶瓷银层附着力的影响因素。结果表明主要影响因素是瓷件表面粗糙度、清洁度以及银层烧结温度和曲线。在实际应用中,如果用天然石榴石金刚砂W40微粉细磨瓷件表面,再采用超声波清洗及煅烧,然后在780℃左右烧渗银,可使附着力达到最大,约1800N/cm2。     

MLCC钯银内电极浆料性能研究

MLCC钯银内电极浆料主要由钯银粉、有机载体和无机添加剂三部分组成.试验表明:钯银粉中钯的含量决定了浆料的烧成温度及成本价格的高低;有机载体的作用是提供浆料一定的流变性能,以满足浆料在MLCC丝网印刷时的工艺要求,有机载体触变性的大小直接影响着浆料丝印图形质量的好坏;无机添加剂的作用是抑制浆料在烧成过程中的过快收缩,选择不同的无机添加剂可以调整浆料在烧成过程中其所形成的电极层与介质层之间的烧成收缩率的匹配,避免MLCC产品由于匹配问题所引起电极开裂等质量问题.     

无机添加剂对多层陶瓷电容器钯银内电极浆料的影响

为了满足多层陶瓷电容器陶瓷介质与钯银内电极浆料烧结一致性要求,研究了无机添加剂纳米BaTiO3和纳米ZrO2对钯银内电极浆料的烧结过程产生的影响。结果表明所用添加剂使MLCC烧结过程中钯银内电极浆料的收缩与陶瓷介质的收缩保持一致。     

用于氮化铝陶瓷基片的电子浆料

研制了用于ＡｌＮ陶瓷基片的导体银浆和电阻浆料。采用低ＰｂＯ含量晶化玻璃料配制银导体浆料，玻璃软化点４３０～４５０℃。电阻浆料采用ＰｂＯ（质量分数小于６％）的晶化玻璃料Ｂ、Ｃ、Ｄ三种，软化点分别为５２０℃、６９０℃、６１０℃。改变ＲｕＯ２与玻璃相的质量比，能控制电阻浆料的方阻值。质量比在５０比５０至１５比８５之间。加入添加剂ＭｎＯ２可改善电阻浆料的ＴＣＲ，阻值在２０Ω／□～１ＭΩ／□范围内，ＴＣＲ绝对值小于２００×１０－６／℃。     

介质滤波器银层厚度与附着力对耐焊接热影响

通过化学方法制作无损伤坯体和银层的测量台阶,采用油墨制作测量台阶的图案,通过测高仪精确测量出银层厚度。将不同银层厚度的介质滤波器做耐焊接热可靠性试验,得到多孔介质滤波器最合适的银层厚度区间。结果表明,多孔介质滤波器烧银温度在820℃时,银层附着力达到最大点;采用化学法制作的测量台阶,通过接触法测量误差最小;多孔介质滤波器银层厚度≥0.015mm,能满足耐焊接热的可靠性要求。     

环保型厚膜导体浆料的开发

为适应电子制造“绿色化”的潮流，本公司自主开发环保型电子浆料，按市场的需求，填补空缺，用户满意是我们的目标。 环保型厚膜导体浆料，采用化学法制超细钯银合金粉作功能相，合金化完全，平均粒度0．1μm，比表面积10m^2/g；自主研制无铅碱土金属硼硅酸玻璃系列及Bi2O3、Cu2O、MnO等反应物作复合型高粘合相；以Na2SiF6、NaAlF4、NaBF4等氟化物取代CdO作助溶剂。无有害元素，用最新的变频混磨碾轧工艺配制浆料，适用于厚膜电路、片式元件、多层陶瓷电容器等。主要用于制作电路、端头和电极。导体表面光滑、致密，导电率高5～18mΩ／□，附着力大于120kg／cm^2，可焊性、抗浸蚀能力及老化性能优良。     

射频激光对氧化铝陶瓷基片划片的研究

分析了RFCO2激光陶瓷基板划片的机理及工艺参数选择的原则。通过数值模拟和实验,分析了脉冲频率、脉冲宽度、划片速度、辅助气压大小、离焦量等工艺参数对激光划片质量的影响。     

厚膜用铂银导体性能研究

本文主要介绍厚膜用铂银导体的主要性能,以及在稳恒电场环境下可能的电迁移和离子迁移现象试验结果,另外对铂银导体的表面成分进行了分析,并对其使用提出了建议。     

水基料浆注凝法生产氧化铝陶瓷基片的关键技术

介绍了水基料浆注凝法工业化生产氧化铝陶瓷基片的工艺流程,分析了该工艺与传统采用的有机料浆流延法的不同和优势,着重讲述了作者在具体操作中所解决的关键技术:基片材质组分设计优化、料浆配制技术、组合模具设计制造、氧化-还原引发凝胶化、坯片无(少)变形干燥、基片尺寸精密控制、叠层烧结工艺制度、整平热处理工艺、边角料回收处理再利用.     

多层陶瓷电容器银／钯内电极浆料的烧结

研究了多层陶瓷电容器银／钯内电极浆料的烧结行为。热重分析（ＴＧＡ）结果表明，在烧结过程中，银／钯内电极浆料发生氧化－还原反应。ＸＲＤ分析表明，由于内电极浆料的氧化－还原反应，在不同的烧成温度下，银／钯内电极具有不同的合金状态。通过计算，可以初步确定内电极的银／钯合金状态和银／钯合金为银／钯比例。这些结果有助于理解多层陶瓷电容器在烧成过程中的银扩散和挥发。     

太阳能电池用银导体浆料的研究

选择Ⅴ族及过渡族元素对银导体浆进行掺杂，使银与硅形成良好的欧姆接触。制成的银电极，达到了太阳能电池要求的全部电学参数，平均光电转换效率大于１２％。     

氧化铝基板对厚膜电阻阻值的影响

该文介绍了氧化铝基板的三种基本特性-翘曲度、表面粗糙度和颗粒粒度,并重点研究了表面和颗粒粒度对系电阻阻值的影响。结果表明：用同一阻浆印刷并于相同条件下烧结后,基板表面越粗糙、颗粒粒度越大,其阻值越低,并且中阻段的阻值相差更明显。这对电阻制造厂在使用不同厂家的基板时,如何配制阻浆具有一定的参考意义。     

功率电路中加厚型厚膜铜、银导体的应用

欧美国家近年来相继研制开发出了各种适合那些对于印刷、热导率、电特性、丝焊和焊接特性均有苛刻要求的功率电路用加厚型厚膜铜、银导体。按照功率电路热控制要求,烧后导体膜厚度应大于150μm,而且一般均需要印刷在大块面积上。在某些设计中,专供粘焊裸芯片用的组装焊盘的厚度还要求局部性地增大,新的加厚型厚膜技术能在一块基板上同时做到信号控制部分的导体更薄,电路密度更高和使组装功率器件用的焊盘更厚以便于散热,本文叙述了对适合功率电路应用的加厚铜、银导体在性能优化方面的研究情况,例举各类加厚型厚膜导体材料的特性、工艺指南和主要工艺参数。