2.5～4.4Gb／s光纤无中继传输实验系统

本文报导在４×６２２Ｍｂ／ｓ）×１６０ｋｍ等三个常规单模光纤无中继传输实验系统，以及４．３５４Ｇｂ／ｓ×２００ｋｍ常规单模光纤传输实验系统方面的研究成果．带有掺饵光纤功放的高稳定度光发射机输出功率分别＞＋４ｄＢｍ／信道（４×６２２Ｍｂ／ｓ）和１１ｄＢｍ（单路２．５Ｇｂ／ｓ），频率稳定度分别优于６×１０－６和４．１×１０－６．带有掺铒光纤前放的四路光接收机灵敏度达到－４６．８ｄＢｍ（６２２Ｍｂ／ｓ，ＮＲＺ２２３－１ＰＲＢＳ）和－３９．５ｄＢｍ（４×２．５Ｇｂ／ｓ，ＮＲＺ２２３－１ＰＲＢＳ）．系统各信道误码率分别优于４×１０－１２～４×１０－１５．     

光ATM交换系统及其关键技术

本文介绍了国内第一个４×１５５Ｍｂ／ｓ光ＡＴＭ交换实验系统，系统以４×４光Ｔｉ：ＬｉＮｂＯ３为核心，采用了光非线性放大器和光延迟线等技术，入线速率为１５５Ｍｂ／ｓ，实现了四路多媒体用户的数据交换功能（两路演示），并进一步做了入线速率为６２２Ｍｂ／ｓ的光ＡＴＭ交换的研究。     

新型光缓存器和2×622Mb／s ATM光交换系统

本文给出一种新型的光缓存器的结构，以解决在ＡＴＭ光交换中的信元碰撞问题。这种缓存器由光纤延迟线、光波导开关阵及非线性半导体光放大器构成。文中还报告了一种用于交换各用户不同速率的信元（可达６２２Ｍｂ／ｓ）的ＡＴＭ光交换实验系统，系统的总容量为１．２Ｇｂ／ｓ。     

全光时分复用系统光时分复用信号产生研究

利用５０：５０耦合器以２×２级联的形式研制成功２×２．５Ｇｂ／ｓ、４×２．５Ｇｂ／ｓ和８×２．５Ｇｂ／ｓ光时分复用信号产生系统。用增益开关量子阱ＤＦＢ激光器产生的宽度为１９ｐｓ、周期为４００ｐｓ的光脉冲作为源信号脉冲所进行的实验表明，在精确控制光程差的基础上用级联形式制作的时分复用信号产生系统产生的信号完全可以满足基础应用研究要求。     

155Mb／s时分光交换系统

本文介绍了国内第一个１５５Ｍｂ／ｓ时分光交换实验系统。系统以新型半导体光器件－半导体光开关门为核心构成，传输速度为１５５Ｍｂ／ｓ。     

2．4Gb／s跨阻型光前置放大器CAD及验证

阐述了光纤通信前置放大器的设计原理，分析了光接收机中ＰＩＮ二极管和ＧａＡｓＦＥＴ器件的信号模型和噪声模型，提取了放大器用ＧａＡｓＦＥＴ器件的模型参数（包括大信号、小信号和噪声模型参数）。利用ＰＳＰＩＣＥ程序对光前置放大器进行了模拟分析和优化设计，并实际制作了用于２．４Ｇｂ／ｓ光纤通信的ＰＩＮ－ＨＥＭＴ前置放大器。实测结果表明放大器３ｄＢ带宽达到ＤＣ～４．４ＧＨｚ，增益为１８±１ｄＢ；加入ＰＩＮ二极管后的光接收模块的３ｄＢ带宽为ＤＣ～１．６８８ＧＨｚ，满足了２．４Ｇｂ／ｓ光纤通信的需要。     

2．4Gb／s高频率稳定度光发送机研制

本文研制出调频响应达１．３ＧＨｚ的ＬＤ模块，并根据ＷＤＭ系统传输实验的需要，研制出频率稳定度优于上１５０ＭＨｚ的２．４Ｇｂ／ｓ光发送机。该发送机现已成功地用于２．４Ｇｂ／ｓ光通信系统的传输实验中。     

GaAs 1×4光功分器的制作

本文在ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ外延材料上设计和制作了ＭＭＩ型１×４光功分器。文中首先给出器件的基本工作原理和特点,随后主要讨论器件制作中的ＧａＡｓ材料的干法刻蚀工艺,最后给出器件测试结果。     

128×1元GaAs／AlGaAs多量子阱扫描红外焦平面的红外成像

研制成功了１２８×１元ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱扫描型红外焦平面（ＦＰＡｓ），器件的响应率达到ＲＰ＝２．０２×１０＾６Ｖ／Ｗ，截止波长为λ＝８．６μｍ，根据常规的黑体探测率定义，得到器件的黑体探测率为Ｄｂ＝２．３７×１０＾６ｃｍ．Ｈｚ／Ｗ，并最终获得了清晰的曙物体残留热像图。     

34Mb／s厚膜混合集成光中继器的研制

本文介绍了一种３４Ｍｂ／ｓ混合集成光中继器的设计与制造。光中继器包含有四个混合厚膜集成组件：集成在１０×１５ｍｍ２陶瓷基片上、封装于６脚金属管壳内的光接收前置放大器组件（模块）；制作在２６×３７ｍｍ２的陶瓷基片上、并封装于４８脚金属管壳内的ＡＧＣ与主放大器模块；制作在１５×２７ｍｍ２的陶瓷基片上、再封装于２４脚金属管壳内的定财提取模块以及制作在１０×１５ｍｍ２陶瓷基片上的ＬＥＤ驱动模块。光中继器接收灵敏度小于－３４ｄＢｍ（误码率１０－９），眼图清晰，整机尺寸为１４５×７６×４４ｍｍ３。     

4×622Mb／sWDM40km光通信系统实验

本文完成了我国第一个４×６２２Ｍｂ／ｓ波分复用（ＷＤＭ）光通信系统实验，使单根光纤线路通信容量达２．４Ｇｂ／ｓ。该系统以ＤＦＢ－ＬＤ为光源，工作波长在１．５５μｍ附近，ＬＤ的工作频率稳定度优于±１５０ＭＨｚ，信道间隔２ｎｍ左右，无中继传输距离为４３．６ｋｍ，采用Ｆ－Ｐ调谐光滤波器作为解复用器，接收机灵敏度达－３０ｄＢｍ。     

单片集成MSM／HEMT长波长光接收机

本文介绍了利用ＩｎＧａＡｓ金属－半导体－金属（ＭＳＭ）长波长光探测器与ＩｎＡ１Ａｓ高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）单片集成来实现长波长光接收机的材料和电路设计、工艺途径等研究工作,基本解决了两种器件集成的工艺兼容性的问题,实现了１．３Ｇｂ／ｓ传输速率的单片集成长波长光接收机样品。     

GaAs1×2Mach－Zehnder 波导开关／调制器

文报道了ＧａＡｓ１×２ＭＺ波导开关／调制器的研究结果，并分析了该器件的工作原理．这种器件利用Ｙ分支作为３ｄＢ耦合器，非对称Ｘ结作为干涉器．在波长１．１５μｍ下测试，得到了串音比小于－１６ｄＢ和开关电压１９Ｖ的开关特性．预计该器件可广泛应用于ＧａＡｓ１×。开关列阵及高速光调制等方面．     

极高速海底光纤传输系统——采用放大器的海底光纤传输系统

本文叙述了日本极高速海底光纤传输系统。由于采用了光放大器作为海底中继器，该系统的比特率灵活可变，可以是６００Ｍｂ／ｓ、２．４Ｇｂ／ｓ和１０Ｇｂ／ｓ，一个海底中继器由六个支系统组成，因此每个中继器的最大传输容量为６０Ｇｂ／ｓ。为了使这一系统操作简单，建议对海底中继器的使用性能进行监测。     

GaAs1×2Mach－Zehnder波导开关／调制器

文报道了ＧａＡｓ１×２ＭＺ波导开关／调制器的研究结果，并分析了该器件的工作原理．这种器件利用Ｙ分支作为３ｄＢ耦合器，非对称Ｘ结作为干涉器．在波长１．１５μｍ下测试，得到了串音比小于－１６ｄＢ和开关电压１９Ｖ的开关特性．预计该器件可广泛应用于ＧａＡｓ１×。开关列阵及高速光调制等方面．     

100 Gb／s超高速率光传输实验

１００　Ｇｂ／ｓ超高速率光传输实验据《学会志》１９９４年第１期报道，ＮＴＴ公司的超高速１００Ｇｂ／ｓ光多路传输实验已获成功，传输距离为５０ｋｍ。目前，光高速多路传输２．４Ｇｂ／８已实用化，实验室水平为３０～４０Ｇｂ／Ｓ。该公司的实验，发射部分，调制用...     

高TcGdBa2Cu3O7—δ薄膜双晶结光探测器

研制了具有约瑟夫逊效应的高ＴｃＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜双晶晶界结，按照光助隧道效应的原理我们用双晶结进行光探测，光源是波长为０．６３２８μｍ的Ｈｅ－Ｎｅ激光器，系统观测了高Ｔｃ ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ双晶结的光响应特性，最好的结果为：噪声等效功率ＮＥＰ＝４．３×１０＾－１４ＷＨｚ＾－１／２，归一化探测率Ｄ＾８＝１．２×１０＾１０ｃｍＨｚ＾１／２Ｗ＾－１，响应率Ｒｖ＝３．５×１０＾７Ｖ／Ｗ，     

信息产业部最新颁布18种通信标准

信息产业部于２００１年４月２４日颁布以下１８种标准。这些标准于２００１年７月１日实施。１ )ＹＤ／Ｔ１１０９ -２００１ＡＴＭ交换机技术规范 (代替ＹＤＮ０６７ -１９９７)２)ＹＤ／Ｔ１１１０ -２００１９００／１８００ＭＨｚＴＤＭＡ数字蜂窝移动通信网通用分组无线业务 (ＧＰＲＳ)设备技术规范 :基站子系统３)ＹＤ／Ｔ１１１１．１ -２００１ＳＤＨ光发送／光接收模块技术要求———２．４８８３２０Ｇｂ／ｓ光接收模块４)ＹＤ／Ｔ１１１１．２ -２００１ＳＤＨ光发送／光接收模块技术要求———２．４８８３２０Ｇｂ／ｓ光发送…     

MBE生长InSb外延层特性及红外探测器研究

本文报道了采用含有ＩｎＳｂ非晶过渡层的两步ＭＢＥ生长技术，在ＧａＡｓ（１００）衬底上异质外延生长的ＩｎＳｂ外延层材料特性及初步的器件性能。５μｍ厚的ｎ型本征ＩｎＳｂ外延层７７Ｋ时的电子浓度和迁移率分别为：ｎ～２．４×１０￣（１５）ｃｍ￣（－３），μ～５．１２×１０￣４ｃｍ￣２Ｖ￣９－１）ｓ￣（－１），高质量ＩｎＳｂ外延层的Ｘ射线双晶衍射半峰宽（ＦＷＨＭ）＜１５０″。ＩｎＳｂ表面的相衬显微形貌，ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ界面的ＴＥＭ形貌相和ＩｎＳｂ外延层的红外透射谱等测试结果都肯定了ＭＢＥＩｎＳｂ外延层的质量。研究结果已基本达到目前国外同类研究水平。用ＭＢＥ生长的ｎ型ＩｎＳｂ外延层薄膜首次制作了中波（３～５μｍ）多元光导线列器件，终测表明，器件的光导响应率较高Ｒ（Ｖ）～７８００Ｖ／Ｗ，均匀性很好ΔＲ（Ｖ）／Ｒ（Ｖ）＜７％，ＭＢＥＩｎＳｂ外延薄膜展示了良好的红外探测器应用前景。     

2.5Gbit／s归零码光脉冲的波长变换实验研究

采用半导体光放大器的交叉增益调制进行了２．５Ｇｂｉｔ／ｓ的归零码光脉冲的波长变换。变换间距为２．６ｎｍ,对变换信号测量了眼图及误码率,在１ｈ内,误码率为９×１０＾－９,实验表明采用交叉增益调制进行归零码的波长变换有一定的难度。实验发现只有在探测光和信号光和光功率合适时才能获得较好变换结果。