退火时间对电场辅助铝诱导晶化非晶硅薄膜的影响

以氢气稀释的硅烷(SiH4)为气源,利用PECVD方法在普通玻璃基片上生长a-Si薄膜.采用外加横向电场辅助的金属铝诱导晶化的方法,在氮气气氛条件下对a-Si薄膜样品进行快速退火制备poly-Si薄膜.采用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描电镜等测试手段研究了不同的退火时间对a-Si薄膜晶相结构、晶化率和表面形貌的影响.实验结果表明,电场辅助的铝诱导a-Si薄膜晶化效果较无外场作用显著加强,并且随着退火时间的延长,非晶硅薄膜的晶化效果增强.     

金属铝诱导低温晶化非晶硅薄膜研究

采用PECVD法在镀铝的玻璃衬底上生长非晶硅薄膜，然后样品在氮气气氛下温度为500℃的条件下退火，成功地将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。利用XRD、RAMAN、SEM等测试方法，研究了不同铝膜厚度的非晶硅薄膜诱导晶化的过程实验结果表明，铝膜厚度较厚的样品在500℃下退火1h晶化为较好的多晶硅薄膜，而铝膜较薄的样品热处理后仍为非晶硅薄膜。     

化学液相沉积法制备AlxOy薄膜

给出了用化学液相沉积法(CLPD)制备A1xOy／Si薄膜的方法，室温下生长2h得到A1xOy／Si薄膜，其退火温度为1000℃，退火时间2h．对薄膜的显微硬度、成分和结构进行了检测和分析．结果表明，薄膜的显微硬度在退火前为5202．0N／mm^2，退火后为14533．5N／mm^2，增加近3倍；高温退火去掉了膜内的0H^-1，同时使薄膜晶化，晶体薄膜的O／A1比例为1．3．     

化学液相沉积法制备Al_xO_y薄膜

给出了用化学液相沉积法(CLPD)制备Al_xO_y/Si薄膜的方法,室温下生长2h得到Al_xO_y/Si薄膜,其退火温度为1000℃,退火时间2h。对薄膜的显微硬度、成分和结构进行了检测和分析。结果表明,薄膜的显微硬度在退火前为5202.0N/mm~2,退火后为14533.5N/mm~2,增加近3倍;高温退火去掉了膜内的OH~(-1),同时使薄膜晶化,晶体薄膜的O/Al比例为1.3。     

电沉积制备CuInGaSe2薄膜及性能

利用电沉积方法制备出CuInGaSe2薄膜，对制备的薄膜硒化退火以提高薄膜的化学计量比。通过C射线能量色散谱仪（EDS）、X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）以及四探针方法对制备的薄膜进行组成成分、微观结构、表面形貌和导电类型进行分析，结果表明制备的薄膜具有黄铜矿结构，颗粒均匀，具有较高的光吸收系数．导电类型均为n型。     

退火温度对锆酸铅薄膜光学性能的影响

用溶胶-凝胶法在石英玻璃基片上成功地制备了PbZrO3(PZ)薄膜．X射线衍射分析结果表明晶化好的PZ薄膜,是多晶钙钛矿结构．750℃晶化的薄膜,晶粒尺寸为30～50nm．用紫外-可见光分光光度计在波长200～900nm范围内,测量了不同温度退火的PZ薄膜的透射率,结果表明450、600、750℃退火的薄膜样品,其光学吸收边分别为4．11、4．56、4．59eV．     

BaTiO3薄膜的Sol-Gel制备工艺及性能

利用溶胶－凝胶法（Sol-Gel)在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了BaTiO3薄膜，研究了不同退火条件下BaTiO3薄膜的晶相结构及表面形貌，测试了BaTiO3薄膜的电学性能。发现经900℃、120min退火处理的BaTiO3薄膜的介电－温度（εr-T)关系具有明显的弥散相变特性。     

纳米晶Ba(Zr0.2 Ti0.8)O3薄膜的外延生长与介电特性

用脉冲激光沉积工艺在半导体(001)SrTiO3∶ω(Nb)=1.0%单晶基片上,外延生长出Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(简称BZT)介电薄膜.在650℃原位退火10 min,薄膜为(001)外延生长的晶粒.薄膜的晶化特征与表面形貌用薄膜X-ray衍射仪和原子力显微镜测量完成.BZT薄膜(002)峰的半峰宽只有0.72°,说明薄膜晶化良好;薄膜的平均晶粒为90 nm,表面均方根粗糙度为4.3 nm,说明薄膜表面平整.在室温、100 kHz和500 kV/cm条件下,BZT的最大介电常数和调谐百分率分别达到317和65%.     

退火气氛对溶胶-凝胶法制备铝掺杂氧化锌薄膜光电性能的影响

为研究退火气氛对氧化锌(AZO)薄膜光电性能的影响,采用溶胶-凝胶法在石英基片上制备铝掺杂AZO薄膜。利用X射线衍射、场发射电子扫描显微镜对薄膜的物相结构和形貌进行表征;采用霍尔效应测试仪、紫外-可见-红外分光光度计分析AZO薄膜的光电性能。结果表明:退火气氛对AZO薄膜电导的影响机制有明显差异。相较于空气中退火,在N2中退火的AZO薄膜中载流子迁移率变化不明显,薄膜电导性能改善得益于氧空位增加引起的载流子浓度提高;而在95N2/5H2混合气中退火,AZO薄膜中氧空位浓度增加,晶界吸附氧脱附,晶界势垒降低,从而造成载流子浓度和迁移率明显增加,薄膜电阻率为2. 09×10-3Ω·cm。AZO薄膜的透光率在波长400～800 nm的可见光内高于85%。     

直流磁控溅射制备铝薄膜工艺参数

采用直流磁控溅射法,在硅基片上制备铝薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射仪(XRD)等对薄膜的表面形貌和结构进行了分析,研究了不同工艺参数对薄膜表面形貌的影响,分析了制备铝薄膜的影响因素.分析结果表明该薄膜为纯铝薄膜,并且晶粒很小.实验得到制备铝薄膜的工艺参数为:本底真空度4.0×10-4Pa、工作真空度1.7 Pa、氩气流量20 cm3/s、工作电压300 V、工作电流1 A.     

Evolution of insoluble eutectic Si particles in anodic oxidation films during adipic-sulfuric acid anodizing processes of ZL114A aluminum alloys

The effects of insoluble eutectic Si particles on the growth of anodic oxide films on ZL114A aluminum alloy substrates were in-vestigated by optical microscopy (OM) and scanning electron microscopy (SE...     

离子束辅助蒸发镀制硫化锌,氟化镁薄膜的工艺研究

研究了用离子束辅助蒸发方法镀硫化锌、氟化镁薄膜的基本工艺.重点研究在不同能量和种类的离子束辅助条件下,基底温度和蒸发速率对薄膜性质的影响.给出了对薄膜的耐磨、耐潮湿、耐盐水浸泡性能,和薄膜的折射率、应力及微观结构与成分的实验结果.通过分析实验结果,提出了离子束辅助蒸发镀制硫化锌、氟化镁薄膜的最佳工艺.     

Fabrication of Poly-Si Thin Film on Glass Substrate by Aluminum-induced Crystallization

Amorphous silicon （ a-Si ） thin films were deposited on glass substrate by PECVD, and polycrystalline silicon （ poly- Si ） thin films were prepared by aluminum- induced crystallization （ AlC ）. The effects of annealing temperature on the microstructure and morphology were investigated. The AlC poly-Si thin films were characterized by XRD, Raman and SEM. It is found that a-Si thin film has a amorphous structure after annealing at 400℃ for 20 min, a-Si films begin to crystallize after annealing at 450 ℃ for 20 min, and the crystallinity of a-Si thin films is enhanced obviously with the increment of annealing termperature.     

钛酸锶钡(BST)薄膜SOL-GEL制备方法研究

利用碳酸盐代替部分醇盐，探讨了采用Sol-Gel技术制备Ba1-xSrxTiO3(BST)铁电薄膜的可行性。以醋酸钡[Ba(CH3COO)2]、碳酸锶[SrCO3]和钛酸四丁酯[Ti(OC4H9)4]作原料，运用一般的Sol-Gel工艺制备BST铁电薄膜，通过XRD分析物质结构，用SEM测定表面形貌，XPS及EDAX测定薄膜的组成。结果表明：采用碳酸锶原料和其他醇盐一起来制备BST铁电薄膜的方法是可行的。     

Laminated all-solid state NiO/WO3 complementary electrochromic device

Based on the previous studies on the rf reactive sputtered nickel oxide film with nanostructure and its electrochronism, i.e. electrochromic effect of the films is attributed to the reversible change of the non-stoichiometry in the nanocrystalline grain boundaries and interfaces due to the injection and ejection of Li⁺ ions, a prototype of all-solid-state NiO/WO₃ complementary electrochromic device using Li _x TaO _y thin film as inorganic electrolyte was designed and prepared. The results indicate that the solar reflectance of the device could be modulated from 0.15 in colored state to 0.60 in bleached state with excellent cyclic reversibility, durability and high response speed (less than 0.3 s from colored state to bleached state). Project supported by the National Natural Science Foundation of China and the National Climbing Programme A: Nano-structured Materials Sciences.     

新型光学薄膜研究及发展现状

综述了近年来国内外在新型光学薄膜如高强度激光膜、金刚石及类金刚石膜、软X射线多层膜、太阳能选择性吸收膜和光通信用光学膜的制备及其在器件方面的研究和应用情况，并对光学薄膜的研究进行了展望。     

光学薄膜低压反应离子镀技术初探

光学薄膜低压大电流反应离子镀技术是近年来光学镀膜技术领域中的最新进展。在国内系统地开展这方面的研究尚未见报。本文叙述了低压大电流反应离子镀技术的基本原理与成膜特点，介绍了我们建立的实验系统，特别是有关低压大电流等离子体源的各种实验参数，给出了应用该技术制备的两种常用薄膜的光学和机械特性的初步结果。     

WO3薄膜热处理效应下的电致变色特性研究

本文采用溶胶-凝胶法制备了WO3膜,分析了热处理温度对WO3薄膜结构的影响,探讨了热处理温度下WO3膜的电致变色特性.     

Ductility of metal thin films in flexible electronics

Flexible, large area electronics using various organic and inorganic materials are beginning to show great promise. During manufacture and service, large deformation of these hybrid materials will pose significant challenges in terms of high performance and reliability. A deep understanding of the ductility or flexibility of macroelectronics becomes one of the major issues that must be addressed urgently. This paper describes the current level of understanding on the thin-film ductility, both free-standing and substrate-supported, and relevant influencing factors. Supported by the National Basic Research Program of China (Grant No. 2004CB619303), the 111 Project of China (Grant No. B06025), and the Science and Technology Key Project from Ministry of Education of China (Grant Nos. 02182, 03182)