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借助一新的工艺模拟与异质器件模型用CAD软件──POSES(Poisson-SchroedingerEquationSolver),对以AlGaAs/InGaAs异质结为基础的多种功率PHEMT异质层结构系统(传统、单层与双层平面掺杂)进行了模拟与比较,确定出优化的双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT异质结构参数,并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算,用于指导材料生长与器件制造。采用常规的HEMT工艺进行AlGaAs/InGaAs功率PHEMT的实验研制。对栅长0.8μm、总栅宽1.6mm单胞器件的初步测试结果为:IDss250~450mA/mm;gm0250~320mS/mm;Vp-2.0-2.5V;BVDS5~12V。7GHz下可获得最大1.62W(功率密度1.0W/mm)的功率输出;最大功率附加效率(PAE)达47%。 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1995,(4)
新结构高性能In_(0.3)Ga_(0.7)As/In_(0.29)Al_(0.71)As/GaAsHEMT研究证明,InGaAsHEMT的结构优于GaAsMESFET和习用的AlGaAs/GaAsHEMT。在GaAs上制备的赝配结构HEMT(PM-HE... 相似文献
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双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT陈效建,刘军,李拂晓,郑雪帆,华培忠(南京电子器件研究所,210016)Double-planar-dopedAlGaAs/InGaAsPowerPHEMT¥ChenXiaojian;LiuJun;L... 相似文献
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《固体电子学研究与进展》1999,(4)
NanjingElectronicDevicesInstituteimportedModularGenⅡMBEsystemrevealedinthefrontcoverfromEPIMBEProductsGroupin1995.Ithascapabilityoffabricating75mmand50mmⅢ-Ⅴcompoundmaterials.GaAs,AlGaAs,InGaAs,InAlAslayerswithgoodelectricalperformancesahvebeengrown… 相似文献
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InGaAsP/InP异质结光电三极管的制备 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了n-InP/p-InGaAsP/0-InP结构的异质结光电三极管制作过程,并获得了对1.3μm的入射光,光增益达220,用带尾纤的GaAs/GaAlAs发光管测量,光学增益达1470。 相似文献
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新颖的微波器件材料──InGaAs/GaAs异质结构彭正夫,张允,龚朝阳,高翔,孙娟,吴鹏(南京电子器件研究所210016)一、引言众所周知,GaAsMESFET器件的微波特性主要由沟道中的电子饱和速度和栅长决定.由于InGaAs的电子饱和速度比Ga... 相似文献
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孙再吉 《固体电子学研究与进展》1994,(3)
AlGaAs-InGaP/GaAs HBT,f_T高达245GHz《IEEDIJ》1993年第12期报道了一种新的HBT,采用AIGaAs-InGaP发射区结构。该结构在发射极形成一个电子发射器,产生速度过冲效应。它一方面增强了发射极输运,同时减少了?.. 相似文献
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赵秀芳 《固体电子学研究与进展》1996,(2)
Pd/In/Pd等组分材料对n型GaAs欧姆接触的比较研究《SolidStateElectronics》1995年第一期报导了H.G.Fu等对n型GaAs欧姆接触各种组分材料的比较研究,这些组分是Pd/In/Pd,Pd-In/Pd和Pd-In。其沉积... 相似文献
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目前GaAs基低噪声HEMT,包括用DBS的InGaAs/N-AlCaAsPHEMT已经商品化,且GaAs基功率HBT也将很快进入市场。尽管InP基HEMT或HBT仍处于研究与发展阶段,但由于它们特殊的电性能,它们将有希望成为下一代异质结构器件。在继续改进器件结构和工艺过程中,晶格生长工艺的改进激发了一种新的趋势,提出并实现了一种用InP做有源层的新型器件结构。这篇文章主要描述了这样一种InP基H 相似文献
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根据发光波长,化合物半导体能带隙和晶格常数三者的关系和实验数据,研究设计了InGaAlP双异质结合各层的x,y值组成,掺杂浓度,厚度等整个LED的管芯结构,这种新颖的GaP(电流扩散层)/InGaAlP(双异质结)/GaP(衬底)管芯结构,对590nm峰值波长全透明,比GaP或GaAlAs(电流扩散层)/InGaAlP(双异质结)/GaAs(衬底)管芯结构的出光率高出两倍其外量子效率小于6%。 相似文献
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随着微波半导体技术的发展,近年来出现不少新结构、新器件。本文介绍国外异质结双极晶体管的发展,包括AlGaAs/GaAs,InP/InGaAs,GeSi等开发现状和性能参数达到的水平。 相似文献
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研究了具有不同阱宽的GaAs/AlGaAs和InGaAs/AlGaAs窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系,发现在低温范围内,声学声子的线性散射系统随着阱宽的减小而增加,对实验结果作了讨论。 相似文献
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本文采用三角阱近似,考虑了GaAs/AlxGa1-xAs二维电子气(2DEG)异质结中七种主要的散射机制,计算了2DEG电子迁移主经与隔离层厚度(d)和Al组分(x)的关系,对GaAs/AlxGa1-xAs异质结的结构参数进行了优化分析。就作者所知,本文首次计算了2DEG电子迁移率与Al组分x的关系,得到了与实验规律一致的结果。 相似文献