磁控溅射法制备La_(0.96)Sr_(0.04)MnO_3/SrNb_(0.01)Ti_(0.99)O_3异质p-n结的电学性能

利用磁控溅射法制备了La_(0.96)Sr_(0.04)MnO_3/SrNb_(0.01)Ti_(0.99)O_3异质p-n结,研究了20-300 K温度范围内该p-n结的伏安特性,在20-300 K该p-n结表现出优异的整流特性,在温度大于100K时该异质p-n结Ⅰ-Ⅴ特性符合热激发模型。该异质结在170 K温度点表现出明显的金属-绝缘态转变,电阻温度曲线表现为绝缘态→金属态→绝缘态的转变过程。在5T磁场作用下,随温度增大,正偏压时磁致电阻(MR)逐渐从负变为正;而在负偏压下MR逐渐从正变为负,并在-1V的偏压下、金属-绝缘态转变温度点170 K处达到负的最大值-50.6%。     

钙钛矿氧化物多功能p-n异质结的制备和特性研究

采用激光分子束外延技术,不仅可以制备几个原胞层的超薄膜,而且能原子尺度精确控制的制备超晶格材料和上万原胞层的多层膜。原位的RHEED监控和非原位的XRD、AFM、HRTEM等测量分析表明,制备的钙钛矿氧化物薄膜、异质结和超晶格材料的厚度达到分子层的控制,其表面与界面达到原子尺度的光滑。已成功的制备出钙钛矿氧化物薄膜材料20多种,全氧化物和氧化物与硅的p-n异质结10多种。首次在全氧化物p-n结构上观测到反常的低场高灵敏度正磁电阻效应;首次在钙钛矿氧化物和相关的p-n结上观测到开路的皮秒超快光电效应,所观测光生伏特脉冲的半宽度比相关文献报道p-n结的小7个数量级,比相关文献报道薄膜的小3个数量级。最近又在掺杂镧锰氧和掺杂钛酸锶的多层膜上首次观测到其结电阻在室温和低场条件下的电、磁双调制现象。相关的研究工作还在进行之中。     

全氧化镓薄膜同质p-n结（英文）

制备p-n结以及探索其物理机制在发展各种功能器件和推进其实际应用中起到关键作用.超宽禁带半导体在制备高压高频器件上有着巨大的潜力,但是氧化镓p型掺杂困难限制了氧化镓同质p-n结的制备,进而阻碍了全氧化镓基双极型器件的发展.本文通过一种先进的相转变生长技术结合溅射镀膜的方法,成功制备了n型锡掺杂β相氧化镓/p型氮掺杂β相氧化镓薄膜.本工作成功制作了全氧化镓单边突变同质p-n结二极管,并且详细分析了器件机理.该二极管实现了4×10⁴的整流比、在40 V下9.18 mΩcm²的低导通电阻、4.41 V的内建电势和1.78的理想因子,并在交流电压下表现出没有过冲的整流特性以及长期稳定性.本工作为氧化镓同质p-n结初窥门径,为氧化镓同质双极型器件奠定了基础,为高压高功率器件的应用开创了道路.     

P型透明导电SnO2薄膜的研究进展

SnO2薄膜是一种应用广泛的宽禁带半导体材料.近几年来,随着对SnO2的光电性质及其在光电器件方面应用的开发研究,SnO2薄膜成为研究热点之一.制备掺杂的p型SnO2是形成同质p-n结以及实现其实际应用的重要途径.近年来,国内外在p型SnO2薄膜研究方面取得了较大的进展.目前报道的p型SnO2薄膜的最高电导率为5.952Ω-1cm-1.并且得到了具有较好非线性伏安特性的铟锡氧化物的透明p-n结.本文就其最新进展进行了综述.     

调控La2/3Sr1/3MnO3基异质结中磁各向异性变化的进展(英文)

钙钛矿锰酸盐(La_2/3Sr_1/3MnO₃)基异质结由于存在强自旋轨道耦合作用、高温铁磁性、强金属导电性以及丰富的氧八面体变化等特点,近年来在氧化物自旋电子学、拓扑电子态以及磁存储功能材料等应用方面备受关注.本综述主要针对锰酸盐异质结中磁各向异性变化,及其在氧化物自旋电子学器件中可能的应用进行了及时系统的总结.首先,本文简要介绍了锰酸盐异质结中的热点研究内容以及本文的出发点;其次,介绍了利用应变和衬底取向对锰酸盐异质结磁各向异性的调控;再次,重点介绍了界面耦合效应、氧八面体旋转、对称性破缺等新型界面工程手段对磁各向异性的调控;最后,介绍了电场调控磁各向异性的可逆变化方法,并总结了一些新型调控磁各向异性的手段.本综述将有效推动锰氧化物中磁各向异性的进一步研究,并且为锰氧化物在高效磁存储器件中的应用指明方向.     

XCZ-103与DDZ的配合使用

随着DDZ系列变送器的普及,一些老企业的气动仪表和YSH—2、YSH—3型霍尔变送器逐步被淘汰了。但与其配套使用的 XX(Z)-103型压力二次仪表因显示精度还可达到要求,只需在其仪表输入端加以改进,就可继续使用。这样既为企业节省了资金,又充分发挥了仪表的作用。改进方法如下: 图1是霍尔变送器与XX(Z)-103动圈式压力二次仪表连接图.图中,R内:霍尔变送器内阻,R外;外接电阻,R串:仪表量程电阻(200～1000Ω),RB:仪表并联电阻(50Ω),RT:热敏电阻(68Ω,RD:动圈内阻(80Ω)。 输出信号:0～20mV DC。 R内(动圈)=RB//+Rr+RD+R串(Ω) 输入动…     

一种用万用表准确测量电压的方法

在电子维修、电工测量和科普等活动中,如果缺乏专用仪器仪表设备,而又想用动圈式万用表提高测量的准确性,其方法是用两只输入阻抗不同的动圈式万用表,分别进行两次测量,然后将测量结果加以整理和计算,即可得出接近于真值的测量结果。图1图2图1是一个普通的直流电路,电源未接负载时的空载电压U=10V,电阻R=10kΩ,先用500型万用表进行测量,其10V量限档输入电阻Rm1为20kΩ/V×10V=200kΩ(测量电路见图2),实际上相当于在R上并联一个200kΩ的电阻,此时万用表读数V1为:V1=UR·R·Rm1R+Rm1=10V10kΩ×10kΩ×200kΩ10kΩ+200kΩ≈9.5V第一次…     

p型ZnO薄膜研究进展

ZnO薄膜是一种应用广泛的半导体材料.近几年来,随着对ZnO的光电性质及其在光电器件方面应用的开发研究,ZnO薄膜成为研究热点之一.制备掺杂的p型ZnO是形成同质p-n结以及实现其实际应用的重要途径.近来已在p型ZnO及其同质结发光二极管(LED s)研究方面取得了较大的进展.目前报道的p型ZnO薄膜的电阻率已降至10-3Ω.cm量级.得到了具有较好非线性伏安特性的ZnO同质p-n结和紫外发光LED.本文就其最新进展进行了综述.     

La 0.9 Ce 0.1 MnO 3薄膜的输运特性和光诱导效应

用脉冲激光沉积（PLD）法制备了钙钛矿锰氧化物La（0.9）Ce（0.1）MnO3（LCEMO）单晶薄膜.X射线衍射分析表明,薄膜具有钙钛矿赝立方结构,且沿（100）方向择优生长;电阻-温度关系给出其存在金属-绝缘体相变和庞磁电阻（CMR）效应,相变温度（T_（MI））为213K;在0.1T的磁场下,其磁电阻峰值为38.5%,对应的温度为153K;其电阻在低温区满足R=R0＋R1T-2＋R2T^4.5,在高温区符合小极化子输运.薄膜在绿激光（532nm,40mW）作用下TMI向低温方向移动;这主要是由于激光激励下体系的自旋发生了变化.且电阻与时间的变化曲线满足关系：R（t）=R0＋Aexp（—t/r）,说明薄膜在激光作用下具有明显的与自旋相关的弛豫现象.     

Pr2/3Sr1/3MnO3薄膜外场诱导自旋输运特性

采用脉冲激光沉积法制备了稀土掺杂钙钛矿锰氧化物Pr2/3Sr1/3MnO3(PSMO)外延薄膜,研究了薄膜在磁场、激光和电流作用下的自旋输运特性.在低温铁磁金属相,激光作用使薄膜的电阻增大,而磁场和电流则诱导电阻减小;在高温顺磁绝缘态,外场诱导均使电阻减小.在铁磁金属相,外场诱导输运特性的变化可归结于外场对体系电子自旋系统的影响:磁场和电流加强材料中eg电子和t2g局域电子间的自旋平行,增强了双交换作用;激光作用可产生光致退磁效应,减弱双交换作用.在顺磁绝缘态,场致电阻降低源于外场致使小极化子的退局域化效应.