无压烧结高导热AlN陶瓷的研究进展

AlN以其优异的高热导率、与Si相匹配的热膨胀系数及其它优良的物理化学性能受到了国内外学术界的广泛关注,被誉为新一代高密度封装的首选基板材料.本文详细综述了AlN陶瓷的导热机理和无压烧结工艺等方面的研究进展,并介绍了烧结助剂的选取原则和AlN陶瓷热导率与温度的关系,以及展望了AlN基板的发展趋势和前景.     

高热导率(≥200W/m@K)AIN陶瓷的制备

目前,散热问题已成为电子器件的发展技术关键之一,因而选用热导率高且安全无污染的陶瓷材料成为电子器件发展的主要方向,本实验主要介绍了采用优质AIN粉体经热压烧结的方法,获得了高热导率（≥200W/m.K)且介电性能良好的AIN陶瓷的制备工艺与配方。     

反应烧结制备SiC陶瓷的研究进展

介绍了传统烧结、Hucke工艺和反应烧结碳化硅陶瓷材料的制备工艺,总结了3种烧结机理,讨论了成形工艺、氧化、素坯密度、真空热处理温度等几种因素对反应烧结碳化硅陶瓷组织和力学性能的影响,最后对反应烧结碳化硅存在的问题和今后的发展方向进行了总结和展望.     

Y,Ce—TZP陶瓷的微波快速烧结

微波烧结工艺具有烧结快速、产品致密、晶粒细小以及微观结构均匀等特点。本文研究了影响微波微快速烧结了ＴＺＰ陶瓷的各种因素，并与常规结作对比，着重从样品的力学性能、四方相含量和微观结构几方面探讨几烧结的种种特性     

Si3N4陶瓷气氛压力烧结（GPS）技术

本文论述了气氛压力烧结技术产生的技术前景，ＧＰＳ烧结的原理和优越性，介绍了ＧＰＳ烧结工艺的技术关键以及在材料制备中的实际应用。     

高导热AlN陶瓷烧结助剂的研究现状

在分析了陶瓷的导热机理的基础上，着重评述介绍了几种复合烧结助剂在制备高导热AIN陶瓷过程中的作用机理，对比了AIN陶瓷样品的热导率值。分析了晶界相的形成和AIN晶格的净化，从而减少了氧缺陷，提高了陶瓷材料的致密度和热导率。     

氮化铝陶瓷的研究与应用

氮化铝（ＡｌＮ）因具有高热导率,低介电常数、与硅相匹配的热膨胀率系数及其他优良的物理选场生在新领域越来越引起人们的关注,本文主要介绍分析了ＡｌＮ粉体合成、烧结技术、应用基础理论研究的最新动态和进展,以及ＡｌＮ陶瓷的应用领域与前景。     

AIN陶瓷的烧结致密化与导热性能

氮化铝陶瓷具有高热导率，低介电常数，与硅相匹配的热膨胀系数等优良特性，应用领域非常广泛，对AIN粉体的合成，烧结工艺，助烧结剂及其应用等方面进行了介绍，并对AIN未来的发展趋势进行了展望。     

微波烧结在陶瓷中的应用

微波烧结法作为一种全新的烧结技术与传统的烧结方法有着很大的不同。介绍了微波烧结的原理及特点,全面综述了微波烧结工艺的研究现状,介绍了微波烧结技术在陶瓷材料的应用,最后展望了微波烧结技术的前景。     

陶瓷微波烧结技术及其进展

本文介绍了陶恣微波烧结的基本原理、材料与微波之间的相互作用机制及陶瓷微波烧结技术研究的最新进展。对陶瓷微波烧结工艺与传统的常规烧结方法作了系统比较，同时对微波烧结技术在陶瓷工业的应用前景作了评述。