固态微波器件与电路的新进展

描述了固态微波器件与电路五个发展阶段,并重点就当前发展的InP HEMT、窄禁带材料HEMT和HBT、宽禁带材料MESFET和HEMT、RF CMOS、InP HBT、SiGe HBT、RF MEMS等七个领域的发展特点、2006年最新进展,以及未来发展趋势进行了介绍.并就我国发展固态微波器件与电路提出发展建议.     

固态微波毫米波、太赫兹器件与电路的新进展

固态微波毫米波、太赫兹器件与电路是微电子、纳电子领域的战略制高点之一,SiCMOS技术进入纳米加工时代,GaAs,InP材料的"能带工程"(超晶格、异质结),GaN材料的宽禁带和界面特性以及石墨烯纳米级新材料的创新发展都深刻影响着固态微波毫米波、太赫兹器件与电路的进展。描述了固态微波、毫米波和太赫兹器件与电路当前发展的新亮点,包括纳米加工技术、石墨烯新材料、GaN MMIC功率合成突破3 mm频段百瓦级、三端器件进入太赫兹和两端器件倍频链突破2.7 THz微瓦功率。并重点就当前发展的RF CMOS,SiGe HBT,LDMOS,GaAsPHEMT,GaAs MHEMT,InP HEMT,InP HBT,GaN HEMT,GFET和THz倍频链等10个领域的发展特点、2011年最新发展以及未来发展趋势进行介绍。     

碳纳米管器件的新进展

众所周知,纳米是一种长度计量单位,它是米的10亿分之一,即1nm=10-9m。关于纳米科技的定义众说 纷纭。目前科技界比较普遍公认的说法 是:在纳米尺度(0.1-100nm)上研究 物质(包括原子、分子的加工和操作)的 特性和相互作用以及如何利用这些特性 和相互作用的具有多学科交叉性质的科 学和技术。也就是说,纳米科技是以原 子、分子为起点,去设计、制造具有特殊 功能的产品。若以研究对象来划分,纳米     

光控微波器件

近年来光纤传输在微波系统中的应用业已取得相当大的进展,与此同时光控微波器件亦已引起广泛的关注,并在国外开始得到应用.关于这方面的研究与进展虽已陆续见到一些论文发表,但90年前尚未见到专著出版.1990年美国Artech House公司出版的这本题为“光控微波器件”(Optical Control of Microwave Devices,作者:Rainee N.Simons)对于当前光控微波器件方面有关的理论与技术作了较全面的介绍.作者试图沟通光学与微波这两门学科,     

微波器件的进展

电调谐磁控管一九七五年九月美国维利安公司承包(签订)了一项提高同轴磁控管电调谐技术的合同(N0039-74-1-0911),所选的方法是利用PIN二极管对同轴磁控管的外腔作电抗性的控制,研制的指标是: 峰值功率为 604瓦频率为 16.5千兆赫工作比为 0.001     

SOI功率器件的新进展

回顾了应用于 SOI功率集成电路的 SOI功率器件的发展背景 ,论述了 SOI功率器件的开发现状 ,以及作为 SOI功率器件基础的 SOI材料制备技术和耐压结构研究的最新进展。同时指出了在 SOI功率器件研究中需要解决的问题 ,以及今后的研究发展重点     

波导光电器件的微波有效折射率——器件微波折射率

以波导电光调制器芯片结构为例 ,利用点匹配法计算调制器芯片的电场分布 ,从而计算调制器电极的微波有效折射率 ,由此提出了器件折射率的概念。进一步证明了当光电信号互相匹配时调制带宽可达 10 0GHz。     

固体微波器件简介

近年来,固体微波器件的发展十分迅速,已经在各类电子设备中广泛地应用。固体微波器件的发展必然会对微波电子管发生影响,一些小功率的微波管已被固体器件所取代。我们根据一些国外资料,整理出一个固体微波器件简介,供同志们参考。 1.体效应二极管: 1963年美帝IBM公司的J.B.Gunn在研究砷化镓激光器的时候,发现了微波振荡,发明了体效应二极管(又叫耿氏二极管)。这种二极管不是利用P-N结来工作的,它有一个本征半导体的有源区域。当体效应二极管加上直流偏置电压后。就在负端产生电荷层并传播通过二     

微波与RF器件

MaxStream的低价位900MHz无线模块MaxStream公司发布了9Xcite 900MHz无线OEM模块。该模块的功率输出达到1mW,与MaxStream的100mW 9Xstream 900 MHz收发机实现了引脚和软件兼容。这一兼容性的实现,使得OEM们在把不同功率要求的无线连接能力集成到其应用中时,能够为之设计一个接口。收发机的接收灵敏度达到了 -108 dBm,扩展了传送距离。它的室内/城区环境通信长度达300ft(90m),采用偶极子天线时,视线通信距离为1000ft(300m)。 该模块的直流输入范围是2.85C~5.50VDC,非常适合于低功耗应用。发送和接收电流是50mA,省电模式下的工作…     

微波与RF器件

Skyworks新款GSM/GPRS功率放大器Skyworks日前推出最新的GSM/GPRS有综合功率控制(iPAC)的功率放大器模块SKY77324。基于50GHzGaAs异质结双极晶体管(HBT)生产技术,SKY77324包括了GSM850/900和DCS1800/PCS1900PA电路以及50W全匹配输入/输出口。器件也支持12类GPRS多时隙运作。6×6mm的PA模块集成了基于电流传感方法的功率控制,不需要有方向的耦合器,检测二极管,功率控制ASIC和其它功率控制电路。此外,它能由手机的基带IC的DAC输出直接驱动。SKY77324模块能和该公司的CX74063或CX74017直接变换收发器组合,形成完整…     

微波与RF器件

赛普拉斯提供单片远距离2.4GHz射频系统赛普拉斯半导体公司推出低成本的2.4 GHz 片上射频系统解决方案WirelessUSB LR (CYWUSB6935),可为商业和工业应用提供50米或50米以上的无线连通性能。它提供了替代Zigbee 和 Bluetooth等复杂且昂贵的无线网络方案的解决方案,拓宽了无线系统的应用市场。WirelessUSB LR使用了“直接顺序扩展频谱”(DSSS)技术,以避免来自如2.4GHz频段中802.11b、Bluetooth等其它技术的信号干扰,以及来自无绳电话和微波炉的无线辐射,并具有-95 dBm接收灵敏度,确保在50米和50米以外获得较强的全方向信号。Wir…