Zn_(1/3)Nb_(2/3)含量对xPMnS-(1-x)PZN性能的影响

以xPMnS-(1-x)PZN四元系压电陶瓷为研究对象,通过研究Zn1/3Nb2/3含量的变化对0.5PMnS-0.5aPZN材料结构与性能的影响,获得具有高压电活性的0.5PMnS-0.5aPZN陶瓷材料。结果表明,四方相结构的0.5PMnS-0.5aPZN材料压电活性优于三方相结构,性能最好的组成位于MPB(四方相边界)附近靠近四方相含量较高的区域,组成Zn1/3Nb2/3含量的变化影响了MPB的位置。     

Y3+取代Bi3+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷烧结温度的影响

采用固相反应制备Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7微波陶瓷,并借助X射线、扫描电镜、LCR4284测试仪,研究Y3 取代Bi3 对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷烧结特性及介电性能的影响。研究结果表明:随着Y3 替代量的增加,晶粒尺寸减小,介电常数先减小后增大,烧结温度升高;适量的Y3 替代可以获得性能很好的BZN介质材料。     

Li-Ti共掺对Bi2（Zn1／3Nb2／3）2O7陶瓷

采用固相反应法制备（Bi1.975Li0.025）（Zn1/3Nb2/3-x/2Tix/2）2O7陶瓷,研究了当Li^＋的替代量一定时,不同量的Ti^4＋替代Nb^5＋对BLZNT系介质材料介电性能的影响。研究结果表明：在取代的范围内仍然保持单斜焦绿石相;1MHz介电常数的温度系数由225．35×10^-6／℃逐渐增加到416．48×10^-6／℃;在-30℃≤T≤130℃,观察到BLZNT样品出现介电损耗弛豫现象,随着掺杂含量的增加,介电损耗弛豫峰向高温移动。     

烧结制度对Ba(Mg1/3Nb2/3)O3陶瓷品质因子的影响

研究了烧结温度、保温时间、退火时间等工艺参数对Ba(Mg1／3Nb2／3)O3微波介质陶瓷品质因子的影响。结果表明，随着烧结温度的提高，Qf值逐渐增加，这是由于陶瓷的相对密度和有序参数S也随烧结温度增加的结果。在1550℃时，Qf达到最大值49500GHz。Qf值随保温时间的增加而增加，这和B位1：2有序度提高和晶粒尺寸增大有关。保温时间为16h时，Qf值达到58000GHz。退火时间对Qf值有很大影响。随退火时间的增加，Qf值增加很快，这主要是因为退火大大促进了B位离子的1：2有序。当退火时间为48h时，Qf值达到71500GHz。     

Li-Ti共掺对Bi2(Zn1/3 Nb2/3)2O7陶瓷介电性能的影响

采用固相反应法制备(Bi1.975Li0.025)(Zn1/3Nh2/3-x/2Tix/2)2O7,陶瓷,研究了当Li 的替代量一定时,不同量的Ti4 替代Nb5 对BLXNT系介质材料介电性能的影响.研究结果表明:在取代的范围内仍然保持单斜焦绿石相;1MHz介电常数的温度系数由225.35×10-6/℃逐渐增加到416.48×10-6/℃;在-30℃≤T≤130℃,观察到BLZNT样品出现介电损耗弛豫现象,随着掺杂含量的增加,介电损耗弛豫峰向高温移动.     

(1-x)Pb(Sc1/2Ta1/2)O3-xPbTiO3陶瓷的结晶性能和介电特性

在钽钪酸铅中加入钛酸铅，形成具有复合钙钛矿结构的钽钪酸铅－钛酸铅固溶体，可以提高钽钪酸铅材料体系的居里点，降低其制备温度，从而扩大该体系的应用范围。用一步法合成了钽钪酸铅－钛酸铅陶瓷，测试了介电常数和温度的关系。实验结果表明，这种陶瓷的钙钛矿相含量均在90％以上，最高相含量达1005；该种陶瓷的工艺简单，合成温度低，钙钛矿含量高，有望在工业化生产中得到推广。     

Microstructure and Thermal Properties Analysis of （1-x）As2S3-x CdBr2 Glass System

The homogeneous glass sample for the ( 1 - x ) As2S3-xCdBr2, where x=0. 015,0. 035,0.05, was prepared by the conventional melt-quenched method. Amorphoas ( 1 - x ) As2S3-xCdBr2 alloys were determined by X-ray diffraction, thermal compreheasive analysis and Raman scattering. The glass transittion temperature (TR) deereases a bit with the addition of CdBr2 . Based on the experimental data, the microstrtucture is considered to be the discrete molecule species of AsBr3 and Cd - S atomic bonds or clusters are honigeneously dispersed in a disordered polymer network formed by AsS3 pyramids interlinked by sulfur bridges.     

Sn~(4+)掺杂对正极材料Li_(1/3)Ni_(1/3)Co_(1/3)Mn_(1/3)O_2性能的影响

采用共沉淀法合成掺杂的Li_(1/3)Ni_(1/3)Co_(1/3)Mn_(1/3-x)Sn_xO_2的正极材料,通过X射线光谱、扫描电镜、充放电测试等技术对Li_(1/3)Ni_(1/3)Co_(1/3)Mn_(1/3-x)SnxO_2材料的结构、形貌、电化学性能进行表征。结果表明,采用共沉淀法Sn4+能有效掺杂进正极材料Li_(1/3)Ni_(1/3)Co_(1/3)Mn_(1/3)O_2的体相结构。掺杂量x=0.04时,在2.8~4.2V、0.2C倍率下掺杂的正极材料首次充放电比容量为138.5mA·h/g,30次循环后的容量保持率为96.96%。掺杂Sn4+对Li_(1/3)Ni_(1/3)Co_(1/3) Mn_(1/3)O_2正极材料改性后,材料仍保持典型的α-NaFeO_2层状结构,且晶型良好,表明Sn4+掺杂能够有效改善材料的电化学性能。     

La2O3掺杂对(Bi1/2Na1/2)0.94Ba0.06TiO3陶瓷性能与微结构的影响

采用传统陶瓷工艺方法制备了La2O3掺杂(Bi1/2Na1/2)0.94Ba0.06TiOa(BNBT6)无铅压电陶瓷,系统地研究了La2O3掺杂对该体系陶瓷介电、压电性能与微观结构的影响.结果表明:该体系具有很高的压电常数,是单一的钙钛矿结构,La2O3的添加对晶粒生长具有一定的抑制作用,线收缩率和相对密度增大.室温介电常数随着La2O3掺杂量的增加而增大.与不添加La2O3的陶瓷样品相比,添加少量La2O3可以使体系的弛豫特征更为明显.当掺杂量为0.1 wt%时,该体系陶瓷具有较好的综合性能:d3a=160 pC/N,kp=0.322.当掺杂量达到0.5 wt%以后,陶瓷的压电性能严重降低.     

锌对Li（Ni_（1/3）Co_（1/3）Mn_（1/3））O_2电极首次脱锂过程电化学性能的影响

共沉积法制备不同含锌量的锂离子电池正极材料Li（Ni1/3Co1/3Mn1/3）O2.采用交流阻抗谱分析该正极材料在首次脱锂过程中的电化学特性以及锌对电极阻抗和锂离子扩散系数的影响.电极阻抗图谱分析结果表明：3.7～4.4V为电极发生电化学反应的电位区间;锌减小了电极材料的SEI膜阻抗和电荷转移阻抗;少量固溶锌提高了锂离子在材料固相中的扩散能力.     

(Bi_(1/2)Na_(1/2))_(1-x)Ba_xTiO_3系无铅压电陶瓷的现状

综述了(Bi1/2Na1/2)1-xBaxTiO3系无铅压电陶瓷的最新研究进展。简述了A位非化学计量改性及几种较成功的掺杂改性方法。将A位掺杂(如La3+)、B位掺杂(如Co3+、Nb5+)以及综合掺杂(如Ce3+、Ce4+)的优缺点和掺杂机理进行了归类比较。解释了各系统中相应掺杂引起性能变化的原因,为进一步开展无铅压电陶瓷的研究提供参考。     

Pb(Li_(1/4)Nb_(3/4))O_3-Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-Pb(ZrTi)O_3四元系压电变压器陶瓷材料研究

通过Ｐｂ（Ｌｉ１／４Ｎｂ３／４）０．０６（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）０．０６（Ｚｒ０．８８－ＸＴｉＸ）Ｏ３四元系压电陶瓷材料的改性研究，发现此系列压电材料具有高的Ｋｐ（０．５８）、Ｑｍ（２８００）、ε（１０５０）值，且ｔａｎδＢＮＤ０．００８之内，且具有较好的老化特性，适合作为变压器陶瓷材料使用．用该系统材料制作的压电变压器，具有较高的升压比和机电转换效率．在负载为８８０ＭΩ时，升压比高达１１７０；而当负载为５０ＭΩ时，其机电转换效率最高，为９２％．     

空位掺杂La（1—x）2／3Zn1／3MnO3化合物的结构及微观机制

利用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对La(1-x)2/3Zn1/3MnO3结构及表面形貌进行了研究。X射线衍射测量分析表明空位掺杂后,样品的主相仍然是钙钛矿结构(Pnma),其晶体对称性不会随空位浓度的增加而改变。随着空位掺杂浓度的增加,样品的晶格常数增大,体积膨胀。当空位掺杂浓度x≤0.04时,该材料致密度较大;随着空位掺杂浓度继续增加,该材料致密度又逐渐变小。     

(Ba_(1-x)La_x)(Ti_(1-x/2)Mg_(x/2))O_3陶瓷的结构相变

采用冷压陶瓷技术在1350℃12 h条件下制备了镧镁双掺杂的钛酸钡基陶瓷(Ba1-xLax)(Ti1-x/2Mgx/2)O3,并进行了密度、XRD、Raman测试,结果发现镧镁双掺杂能引起钛酸钡基陶瓷由四方相到立方相的结构相变.     

(Bi1/2Na1/2)1-xBaxTiO3系无铅压电陶瓷的现状

综述了(Bi1／2Na1/2)1-xBaxTiO3系无铅压电陶瓷的最新研究进展。简述了A位非化学计量改性及几种较成功的掺杂改性方法。将A位掺杂(如La^3 )、B位掺杂(如Co^3 、Nb^5 )以及综合掺杂(如Ce^3 、Ce^4 )的优缺点和掺杂机理进行了归类比较。解释了各系统中相应掺杂引起性能变化的原因，为进一步开展无铅压电陶瓷的研究提供参考。     

A位掺杂Bi2(Zn1/3 Nb2/3)O7陶瓷结构与介电性能

采用固相反应制备Bi2(Zn1/3Nb2/3)O7基陶瓷,并借助X射线、扫描电镜和Agilent4284测试仪研究A位Y3 、Er3 、Sb3 替代对Bi2 (Zn1/3Nb2/3)O7陶瓷结构、烧结温度和性能的影响.研究结果表明:当替代量x≤0.4时,样品均保持单一的单斜焦绿石相结构;Y3 离子替代的样品在960℃致密成瓷,Sb3 离子替代的样品在1000℃致密成瓷,Er33 离子替代的样品在1050℃可以致密成瓷;Y3 、Er3 替代样品的介电常数温度系数先增大后减小;Sb3 替代样品的介电常数温度系数由286.8421×10-6急剧减小到-171×10-6.因此,选择合适的离子替代可以获得性能很好的NPO介质材料.     

(1-x)Ba(Mg1/3Ta2/3)O3-xBaTiO3复合微波介质陶瓷的合成

以传统电子陶瓷制备工艺合成了(1-x)Ba(Mg1/3Ta2/3)O3-xBaTiO3(0＜x＜11/12,简称BMTT)二元复合钙钛矿微波介质陶瓷.研究了不同BaTiO3(BT)掺入量对BMTT介电性能和结构的影响.实验结果表明Ti4+与Mg2+、Ta5+离子对构成类质同相代换,形成BMTT系列固溶体,与Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(BMT)具有相同的晶体结构.当体系组成为0.5Ba(Mg1/3Ta2/3)O3-0.5BaTiO3时,在1 480℃下烧结且保温3 h所制备的陶瓷材料微波介电性能为εr=89,Q*f=12 700 GHZ,τf=190×10-6/℃ .