高能ZnO压敏电阻在能量脉冲下的动态老化

研究了用于水轮发电机灭磁与过电压保护的高能ＺｎＯ压敏电阻在贮能电感释放的能量脉冲作用下的老化现象，能量脉冲可以分解为直流电场和能量两个分量。能量脉冲后，压敏电阻的特征电压，非线性系数和预击穿区Ｖ－Ａ特性都发生跌落，而且这种跌落随脉冲次数增加而增加，能量脉冲使压敏电阻发老化机理是发生在晶粒耗尽层中和富铋晶界层中的离子迁移使双Ｓｃｈｏｔｔｋｙ势垒降低。     

浅论自动灭磁开关及灭磁技术

本文首先介绍了灭磁开关及灭磁技术在发电机励磁系统中的作用,灭磁开关的选型,然后较为详细地论述了灭磁技术原理,灭磁电阻的选择和晶闸管跨接器的设计,最后讲了在安装现场的试验项目和试验方法。     

ZnO低压压敏电阻陶瓷材料研究进展

本文详细介绍了不同体系的ZnO低压压敏电阻材料特点及各自的局限性,并且对ZnO压敏电阻向低压化发展趋势下出现的材料低温烧结技术进行了评述.最后在总结以往研究的基础上提出了若干ZnO低压压敏电阻材料组份设计上的原则,可为压敏电阻及其它电子陶瓷材料的研究提供一定的指导意义.     

化学共沉淀制备ZnO压敏电阻粉体研究

做 对压敏电阻主原料ZnO粉的特性、添加剂粉料的掺杂方法和化学共沉淀制备ZnO压敏电阻粉体进行了研究。 利用SEM、TEM、红外吸收谱、比表面积和粒度分布测定表征了所制备的球状、棒状和不同颗粒大小的ZnO粉。压敏电阻研究表明,颗粒细的球状ZnO粉有利于获得微结构均匀的压敏电阻。 对添加剂采用溶液形式进行了有选择的定量掺杂研究,结果表明,对晶粒固溶添加剂采用溶液形式掺杂,可以使它们更有效地固溶入ZnO晶粒中,获得的压敏电阻小电流区的电气性能优异,且电压温度系数表现为正值。所有添加剂采用溶液形式掺杂,压敏电阻通流能力得到了提高。 针对压敏电阻体系进行了单体元素沉淀的pH值与沉淀量的变化关系研究。采用共沉淀制得了颗粒细、活性好的添加剂复合粉料。用这种添加剂复合粉料与利用溶液掺杂Al的ZnO粉制作的压敏电阻,通流能力比用传统的球磨混合氧化物粉体制得的提高了1倍。首次通过实验找到了解决提高通流能力这一难题的途径。 实验研究获得了焙烧温度和pH值对粉体特性的影响规律。用SEM、TEM、粒度分布、比表面积、等离子体发射光谱和X射线衍射测定表征了粉体的特性。结果表明,pH为6.6、焙烧温度为800℃时获得的粉体颗粒细,平均粒径为0.87μm,活性好,比表面积为7.93m~2/g。化学共沉淀粉体制得的     

稀土氧化物Pr2O3掺杂对高压ZnO压敏电阻性能的影响

采用低温固相化学反应法制备了Pr2O3掺杂的ZnO纳米复合粉体,并用此粉体在不同烧结温度下制备了高压ZnO压敏电阻.采用X射线衍射、比表面测试、透射电镜、扫描电镜等手段对制备的ZnO纳米复合粉体及高压ZnO压敏电阻进行了表征,并与未掺杂ZnO压敏电阻进行了对比研究,探讨了稀土氧化物Pr2O3掺杂对高压ZnO压敏电阻电性能的影响机制.结果表明:较低的烧结温度(1030～1130℃)时,掺杂的稀土氧化物Pr2O3偏析于ZnO晶界中,有活化晶界、促使晶粒生长的作用;同时,Pr2O3掺杂导致1080℃烧结的ZnO压敏陶瓷体中晶体相互交织形成晶界织构,比未掺杂的更均匀和致密,这有助于高压ZnO压敏电阻晶界性能的改善,从而提高其综合电性能.当烧结温度为1080℃时,Pr2O3掺杂的高压ZnO压敏电阻的综合电性能最佳:电位梯度为864.39 V/mm,非线性系数为28.75,漏电流为35 μA.     

基于柱状ZnO薄膜的超低阈值电压压敏电阻

利用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了基于柱状ZnO薄膜的Al-ZnO-Al三明治结构的超低阈值电压的压敏电阻。XRD和SEM测试结果表明,该压敏电阻中的ZnO薄膜层为结晶性能良好,并且沿ZnO的(002)晶面择优取向生长的柱状薄膜。I-V测试结果表明,这种由柱状ZnO薄膜构成的压敏电阻阈值电压仅3.2 V,为现有压敏电阻中阈值电压最低的压敏电阻。     

纳米ZnO压敏电阻的制备及性能研究

研究了ZnO纳米粉制备压敏电阻的工艺条件,得出其最佳烧结温度为1200℃,与普通ZnO粉体制备的压敏陶瓷相比,纳米ZnO压敏电阻非线性性能好、结构均匀.     

高电位梯度ZnO压敏电阻片的研究进展

从材料组成、显微结构控制和制备工艺等方面综述了国内外高电位梯度ZnO压敏电阻片的研究进展,并展望了提高ZnO压敏电阻片电位梯度和通流容量的途径.采用三价过渡金属离子掺杂、减小添加剂粉料颗粒粒度以及控制合理的烧成制度,能明显减小晶粒尺寸,降低气孔率,增加晶界数目,提高晶界势垒,从而有效提高ZnO压敏电阻片的电位梯度.     

低温烧结多层片式ZnO压敏电阻内电极Ag扩散对电性能的影响

研究了低温烧结多层片式ZnO压敏电阻的Pd-Ag内电极中Ag扩散对电性能的影响.发现当含Ag量不超过90%时,仍具有较好的电性能;但含Ag量再继续增加,电性能逐渐变差,内电极为纯Ag时,电性能严重恶化.反映晶界势垒电容的电容量随含Ag量的增加而减小.伏安特性和复数阻抗分析表明,随着内电极中含Ag量增加,Ag扩散进入ZnO晶格加剧,降低了施主浓度,导致ZnO晶粒电阻过分增大,而使多层片式ZnO压敏电阻的电性能劣化.     

微波烧结氧化锌压敏电阻的致密化和晶粒生长

研究了微波烧结的ZnO压敏电阻的致密化和生长动力学, 微波烧结温度从900～1200℃, 保温时间从20min～2h. 研究表明, 微波烧结ZnO压敏电阻的物相组成和传统烧结的样品没有区别; 微波烧结有助于样品的致密化, 并降低致密化温度. 随着烧结温度的升高, 致密化和反致密化作用共同影响样品的密度, 其中Bi的挥发是主要影响因素. 微波烧结ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为2.9～3.4, 生长激活能为225kJ/mol, 传统烧结的ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为3.6～4.2, 生长激活能为363kJ/mol. 液相Bi₂O₃、尖晶石相和微波的“非热效应”是影响微波烧结ZnO压敏电阻陶瓷晶粒生长的主要因素.