大功率IGBT驱动电路的设计

大功率IGBT（绝缘栅双极晶体管）在现代雷达发射机,特别是全固态调制器、高压开关电源中得到广泛应用。其驱动电路要求驱动能力强、保护迅速有效。介绍了互感器触发方式的大功率IGBT驱动电路的设计。该电路具有输出电阻低、电流增益高等优点,并具备快速过流检测和保护功能,解决了IGBT高低电位隔离以及多个IGBT同步驱动问题。实验表明,该驱动电路不仅满足设计要求,而且工作稳定可靠,通用性强,可广泛应用于全固态调制器和高压开关电源。     

一种光纤传导的大功率IGBT驱动电路的设计

为设计用于大功率有源电力滤波器（APF）装置的驱动电路,文中提供了一种使用光纤传导驱动信号的电路设计方案,给出了相关参数的选择方法,在此基础上介绍了光纤传导信号的原理,设计实现了1200V/200AIGBT驱动测试电路。实验结果表明了该驱动电路用于大功率驱动电路时在延时特性和保护方面具有一定的优越性。     

IGBT驱动电路

本文在分析了IGBT驱动条件的基础上介绍了几种常见的IGBT驱动电路,设计了一种基于光耦HCPL-316J的IGBT驱动电路.实验证明该电路具有良好的驱动及保护能力.     

一种实用的IGBT驱动电路

一种实用的ＩＧＢＴ驱动电路张开如，程斌（山东矿业学院济南分院，济南，２５００３１）功率绝缘栅双极晶体管（简称ＩＧＢＴ）因具有开关频率高、通断电流大等优点而得到越来越广泛地应用。随之而来的各种驱动电路也应运而生，其中有分立元件构成的驱动电路，也有专用的...     

影响IGBT驱动电路性能参数的因素分析

分析了桥式电路中IGBT的动态开关过程以及IGBT的栅极、发射极和集电极的分布电感与其他分布参数的综合作用对IGBT驱动电路的影响,并且通过实验验证了理论分析的正确性,最后指出了IGBT驱动电路设计时的注意事项。     

IGBT驱动电路模块化设计

IGBT功率开关器件应刚广泛，本文针对可驱动不同等级1GBT模块的驱动电路进行了模块化设计。该驱动模块包括接口选择模块、功能选择模块、电源模块、驱动与保护模块以及功率补充模块。分析了各部分模块的内部电路原理及功能，并通过试验实现了各项功能，证明该模块设计的合理性。     

大功率IGBT驱动电路设计与应用

绝缘栅型双极性晶体管Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT)作为电力变换装置的核心器件,它的可靠稳定工作直接影响着系统的性能,这对IGBT的驱动电路提出了很高的要求。针对500kW光伏逆变器,基于该逆变器的结构拓扑和IGBT型号,给出了一种IGBT驱动电路的设计方案,研究了驱动电路和保护电路的主要设计原理和注意问题。最后,结合实际应用,给出了该驱动电路的驱动波形和逆变交流侧电流波形,分析和讨论了该驱动电路设计的可靠性与合理性。     

IGBT驱动电路简介与分析

简述了IGBT管的发展和基本结构与特点，详细阐述了IGBT管的驱动电路和驱动性能。     

一种IGBT全桥逆变驱动电路的设计

简单阐述了2SC0435T模块的特点和IGBT的H桥互锁电路的特点。以2SC0435T为核心,给出了直接模式下的外围电路,以驱动IGBT全桥逆变电路。设计了栅极电阻的接法及其阻值的大小以及IGBT的栅极过压保护电路,给出了驱动信号波形,同时验证了此驱动器具有良好的保护功能和驱动功能。     

一种27kV／7AIGBT串联刚性调制器的设计与实现

介绍了一种采用IGBT串联技术实现某行波管27kV／7A大功率刚性调制器的设计方法,给出了主电路的拓扑结构,阐述了调制器工作原理,详细分析了实现该调制器的关键技术,并给出了采用该方案实现调制器的试验结果。     

一款新型电荷泵功率管驱动电路

提出了一款新型功率管驱动电路。P沟道功率管驱动电路加入了防死锁模块防止了死锁的出现,提高了瞬态响应;N沟道功率管驱动电路加入了附加的充电支路,提高了驱动能力和瞬态响应。整个电路基于0.6μm BCD工艺,在Cadence Spectre下仿真。和传统的功率管驱动电路相比,新的P沟道功率管驱动电路的上升时间由60ns减少到14ns,下降时间由240ns减少到30ns,并且功耗从2mW减少到1mW;新的N沟道功率管驱动电路的上升时间由360ns减少到27ns,功耗从1.1mW减少到0.8mW。     

A novel charge pump drive circuit for power MOSFETs

Novel improved power metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) drive circuits are introduced. An anti-deadlock block is used in the P-channel power MOSFET drive circuit to avoid deadlocks and improve the transient response. An additional charging path is added to the N-channel power MOSFET drive circuit to enhance its drive capability and improve the transient response. The entire circuit is designed in a 0.6 μm BCD process and simulated with Cadence Spectre. Compared with traditional power MOSFET drive circuits, the simulation results show that improved P-channel power MOSFET drive circuit makes the rise time reduced from 60 to 14 ns, the fall time reduced from 240 to 30 ns, and its power dissipation reduced from 2 to 1 mW, while the improved N-channel power MOSFET drive circuit makes the rise time reduced from 360 to 27 ns and its power dissipation reduced from 1.1 to 0.8 mW.     

A new inverter-based charge pump circuit with high conversion ratio and high power efficiency

The current paper presents a new inverter-based charge pump circuit with high conversion ratio and high power efficiency. The proposed charge pump, which consists of a PMOS pass transistor, inverter-based switching transistors, and capacitors, can improve output voltage and conversion ratio of the circuit. The proposed charge pump was fabricated with TSMC 0.35 μm 2P4M CMOS technology. The chip area without pads is only 0.87 mm×0.65 mm. The measured results show that the output voltage of the four-stage charge pump circuit with 1.8 V power supply voltage (V_DD=1.8 V) can be pumped up to 8.2 V. The proposed charge pump circuit achieves efficiency of 60% at 80 μA.     

一种新型的用于开关电源的高压启动电路

文章提出了一种给集成开关电源提供初始电压的高压启动电路。一个增强型的VDMOS晶体管被用来提供启动电流和承受高压。VDMOS的栅被一个浮空P岛偏置。启动电路用了一个具有高的源对地击穿电压的NMOS来获得大的偏置电压范围。仿真结果表明高压启动电路能够按照设计正常的启动和重启动。本文提出的结构比起其它方案来更节能,成本更低。     

A novel high voltage start up circuit for an integrated switched mode power supply

A novel high voltage start up circuit for providing an initial bias voltage to an integrated switched mode power supply(SMPS) is presented.An enhanced mode VDMOS transistor,the gate of which is biased by a floating pisland, is used to provide start up current and sustain high voltage.An NMOS transistor having a high source to ground breakdown voltage is included to extend the bias voltage range to the SMPS.Simulation results indicate that the high voltage start up circuit can start and restart as designe...