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为了研究ZnO压敏电阻组成中非化学配比氧化物对ZnO压敏电阻导电性能的影响,采用在不同氧分压条件下烧结样品以研究其烧结行为。结果表明:ZnO晶粒的电导率对数与氧分压对数成线性关系;斜率为-1/4;间隙Zn原子以一价电离Zni形式存在。由于CoO,MnO和NiO阳离子空位氧化物多偏析于晶界,晶界处氧的增加有利于降低压敏电阻漏电流,烧结时间从2h延长到8h,漏电流从5μA/cm^2降到3.6μA/cm^2。波谱分析表明:掺杂氧化物在晶界处都有偏析,ZnO晶粒中掺杂原子混溶比例不完全与掺杂阳离子半径相关。 相似文献
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以纤锌矿型氧化锌为原料,用后合成法制备了铝掺杂氧化锌导电粉末并在抗静电环氧树脂漆中应用,采用x-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、化学分析等方法表征导电氧化锌的晶体结构、形貌和化学组成。结果表明,后合成法保持了氧化锌的纤锌矿结构,氧化锌的表面形貌发生了明显的变化。电阻测试结果表明白色氧化锌的电阻率从10Ω·cm降到了10^2Ω·cm,Al掺杂量和理论计算结果相符。抗静电应用结果表明,在氧化锌添加量为20%时,薄涂漆膜的表面电阻为10^6Ω。 相似文献
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用锌渣制备高纯氧化锌 总被引:7,自引:0,他引:7
介绍了利用锌渣为原料生产高纯氧化锌的方法。采用黄铁矾法除去大部分铁,通过控制pH值进一步除铁,用锌粉或锌屑还原除去重金属,用氨水为沉淀剂,最终可使氧化锌的含量达99.86%以上。 相似文献
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《陶瓷研究与职业教育》1986,(2)
本文所要探讨的是关于氧化锌压敏电阻的特点、历史性、技术现状和未来问题。因为,氧化锌压敏电阻具有极好的非欧姆特性(又叫非线性)和耐变电涌的能力。这些特征是由于晶界现象引起的,这是电子陶瓷内在的一种性质。其基础研究和应用技术的研究已经得到了很高的重视,从而,对非欧姆性的传导机理、瓷体的微观结构及形成机理的研究都取得了显著的进展。在电子线路和电力系统的涌流抑制拽术中,氧化锌压敏电阻起了重要的作用。它的发展表明在电子陶瓷中利用晶界现象可能找到新元件。自1968年以来,非欧姆特性的氧化锌陶 相似文献
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郝怀远 《陶瓷研究与职业教育》1986,(3)
然而仍有未解决的问题存在,典型的例子就是晶界层的作用问题,尚搞不清为什么Bi_2O_3晶相可强烈的影响到由于负荷引起的下降。 2.微观结构和形成机理: 关于烧结体的晶相分析、微观结构与形成机理也是改进ZnO压敏电阻电性能的重要问题,并有许多关于这些问题的分析文章。 1969年发表了第一篇报告,指出了关于含有Bi_2O_3和其它添加物而呈现高非线性的ZnO陶瓷,这是因为微观结构的特殊性是由添加物在晶界层的偏析形成了具有第二晶相的缘故。但是,对这些添加物在晶界层的微观结构、晶相和存在状态的详细情况还未搞清楚。在1973年采用先进的刻蚀技术,直接得 相似文献
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《无机盐工业》2001,33(1):5
工艺特点 :分 3步从含锌硅酸盐原料析出锌。首先 ,将原料粉碎到粒度小于 0 .0 74mm ,用氢氧化钠溶液高压浸出 ,分离不溶物。然后 ,将不容物与CaO混合 ,其CaO/SiO2 =(1~ 1.5 )∶1,游离碱含量为5 %~ 10 % (质量分数 )。 详细说明 :将混合物在 85 0~ 10 0 0℃压饼 ,磨碎至粒度小于0 .0 44mm ,用浓度为 2 70~ 3 5 0g/L的氢氧化钠循环溶液浸取 ,固液比1∶(3~ 6)。分离沉淀物 ,洗涤 ,用pH =1~ 1.5的硫酸处理 ,将溶液的pH值调到 4.3~ 4.5。滤掉酸性溶液 ,同NaOH浓度为 80~ 170g/L的无硅碱液混合 ,沉淀ZnO。… 相似文献
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报道了从氧化锌矿制备的米级氧化锌的优惠工艺条件,并对所制得的氧化锌产物进行了X射线衍射分析,证明所得产品为高纯钠米级氧化锌粉。 相似文献
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报道了从氧化锌矿制备纳米级氧化锌的优惠工艺条件,并对所制得的氧化锌产物进行了X射线衍射分析,证明所得产品为高纯钠米级氧化锌粉。 相似文献
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CeO2掺杂Pr6O11系氧化锌压敏电阻的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
探讨了添加不同CeO2含量对Pr6O11系ZnO压敏电阻显微结构及电性能的影响,以期能满足特高压用高电位样度的应用需求.结果表明:随着CeO2掺杂量的增加,ZnO-Pr6O11系压敏电阻电位梯度和非线性系数有明显的提高,在掺杂量为1.0mol%时达到峰值,分别为548V/mm和42.XRD、SEM检测分析表明,CeO2并不与ZnO及其他氧化物生成新相,而是以CeO2的形式独立存在,抑制了ZnO的生成,致使填隙锌离子的传质能力下降,从而减小ZnO晶粒尺寸,并改善了压敏电阻的晶界结构和成分. 相似文献
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