纳米Bi_2O_3掺杂对ZnO压敏电阻片电学性能的影响

为获得电学性能优异、生产成本低的ZnO压敏电阻片,本文采用传统陶瓷烧结技术制备ZnO压敏电阻片,研究不同含量纳米Bi_2O_3掺杂对ZnO压敏电阻片的电位梯度、漏电流、非线性系数等电性能的影响。采用压敏电阻直流参数仪对ZnO压敏电阻片的电学性能进行表征。实验结果表明,随着纳米Bi_2O_3含量的增加,ZnO压敏电阻片的电位梯度先升高后降低,漏电流变化不显著,非线性系数先增大后减小。当掺杂纳米Bi_2O_3摩尔分数为0.80%时,ZnO压敏电阻片的电学性能最佳。     

Y_2O_3掺杂对ZnO压敏陶瓷电性能的影响

采用传统的陶瓷工艺,对比研究了不同Y2O3含量对ZnO压敏电阻器的性能的影响。结果表明:掺杂Y2O3能够细化晶粒、提高ZnO压敏电阻器的电压梯度,当掺杂量为0.8%时,电位梯度达270V/mm,但样品致密度较低,电性能下降。当Y2O3含量为0.1%时,电位梯度与未掺杂Y2O3的样品相当,其致密度较高,晶粒尺寸一致,电性能最佳。     

添加纳米Y_2O_3或纳米ZnO对熔融石英陶瓷脱玻性能的影响

为提高熔融石英陶瓷材料抗析晶性能,以d_(50)=20μm、w(SiO_2) 99%的高纯熔融石英粉为主要原料,分别外加质量分数为1%、2%和3%的纳米Y_2O_3或纳米ZnO(粒度均100 nm),采用半干法压制成型,经1 300、1 350和1 400℃埋碳保温1 h烧成制备熔融石英陶瓷。通过XRD分析和热膨胀性能测试,研究了纳米Y_2O_3或纳米ZnO对熔融石英陶瓷脱玻性能的影响。结果表明:引入纳米Y_2O_3或纳米ZnO可以明显改善熔融石英陶瓷的脱玻性能,显著降低熔融石英陶瓷材料的线膨胀率;纳米Y_2O_3及纳米ZnO作为熔融石英陶瓷脱玻抑制剂的最佳添加量分别为2%及1%(w)。     

Al_2O_3掺杂对Zn-Bi系压敏陶瓷性能的影响

采用Al_2O_3掺杂,通过固相法制备Zn-Bi系压敏陶瓷,研究了不同比例Al_2O_3对ZnO陶瓷的晶粒大小、显微结构以及电性能的影响。研究表明ZBSCCMY配方中掺杂少量Al_2O_3制备得到ZnO压敏陶瓷样品的晶粒大小愈加均匀,显微结构更加致密;陶瓷物相主要由Zn O相、少量的Bi_2O_3相和微量的Zn_7Sb_2O_7尖晶石物相构成;少量Al_2O_3的掺杂改进了晶粒和晶界结构和成分,活化了晶界,降低烧制压敏陶瓷的烧结温度,优化了压敏陶瓷的非线性特性。当掺杂浓度为0.05 wt%、烧结温度为1100℃、保温2 h得到性能良好的压敏陶瓷,其压敏电位梯度可达810 V/mm,非线性系数为68,漏电流为2.4μΑ。     

Co2O3的理化性能对ZnO压敏陶瓷电性能的影响

本文详细研究了氧化钴的理化性能对ＺｎＯ压敏陶瓷性能的影响。论述了Ｃｏ２Ｏ３的热特性对压敏陶瓷烧成工艺产生的影响及控制措施,从理论上探讨了氧化 中所含杂质Ｆｅ、Ｃｕ,Ｎａ等对ＺｎＯ压敏陶瓷电性能的不利作用。提出了控制的上限,并试制出一种用于氧化锌压敏陶瓷的性能优良的Ｃｏ２Ｏ３粉体。     

氧化物添加对Bi_2O_3–B_2O_3–ZnO低熔点玻璃结构与性能的影响

采用常规的熔体冷却法制备了以Bi2O3–B2O3–ZnO为基体,外加氧化物（SiO2、GeO2、TeO2和Sb2O5）的玻璃试样,对比研究了氧化物对玻璃结构、转变温度、软化温度、析晶温度、热膨胀系数、抗弯强度和化学稳定性的影响规律。结果表明：在基体中加入SiO2,对降低玻璃的热膨胀系数最有效;加入TeO2,对降低玻璃的转变温度和软化温度最有效;加入Sb2O5,不仅能降低玻璃的转变温度和软化温度,使ΔT最大,而且能改善铋酸盐玻璃在封接过程中易析晶的问题,热膨胀系数较低,抗弯强度最大,化学稳定性最好。通过利用Fourier红外光谱、X射线衍射和热分析研究了玻璃结构的变化。     

Bi_2O_3–ZnO–B_2O_3三元系统玻璃结构与性能

采用X射线吸收精细结构和红外吸收光谱分别对铋锌硼玻璃中铋离子邻近结构和硼氧网络结构进行研究,分析其结构变化对玻璃转变温度Tg和热膨胀系数α的影响。结果表明:1)铋离子以三配位([BiO3])和六配位([BiO6])两种配位状态存在;随Bi2O3含量增加,三配位铋离子的配位数上升,六配位铋离子配位数下降,同时铋离子总配位数上升。2)随Bi2O3含量增加,硼氧网络中硼氧四面体含量下降,硼氧三角体含量上升,硼氧四面体网络解聚形成硼氧三角体网络。3)上述结构因素是造成玻璃转变温度Tg下降和热膨胀系数α上升的主要原因。     

Bi_2O_3-B_2O_3掺杂对BaAl_2Si_2O_8陶瓷结构及微波介电性能的影响

采用固相反应法制备BaAl_2Si_2O_8-x wt%Bi_2O_3-B_2O_3(x=0,1,2,3,4)陶瓷。探究了添加不同量的Bi_2O_3-B_2O_3(BiB)烧结助剂对BaAl_2Si_2O_8(BAS)陶瓷的烧结温度、结构及微波介电性能的影响。结果表明:添加1 wt%的BiB烧结助剂可促进BAS晶体结构由六方相全部转变为单斜相,并且BiB烧结助剂添加量在1～4 wt%范围内,均为单一单斜相。添加3 wt%的Bi B烧结助剂可使BAS陶瓷烧结密度增加到最大值,并能将烧结温度由1400℃降低至1250℃。在x=3,烧结温度为1250℃时,BAS陶瓷的介电常数和品质因数均达到最大值,并且谐振频率温度系数的绝对值也显著减小,其介电性能为:ε_r=6.2,Q·f=21 972 GHz,τ_f=-17.06×10~(-6)℃~(-1)。     

添加表面活性剂对Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5系陶瓷温度系数的影响

研究了原料混合球磨研磨时 ,加入表面活性剂对Bi2 O3-ZnO -Nb2 O5(BZN )系复相区陶瓷的相组成及性能的影响 .依据最佳的(Bi3xZn2 - 3x) (ZnxNb2 -x)O7陶瓷配方 ,采用固相反应法制备BZN陶瓷试样 .在原料混合球磨研磨时 ,加入具有醇和胺双重性质的两性表面活性剂 ,借助XRD ,DTA ,SEM和HP42 74A阻抗分析仪等研究手段 ,研究实验制备的BZN陶瓷试样的相结构与介电性能 .结果表明 :试样的相结构仍为焦绿石立方结构α相和单斜结构β相的 (α +β)复相焦绿石结构 ;在制备过程中加入表面活性剂 ,可降低Bi2 O3,ZnO ,Nb2 O5原料固液界面表面张力 ,破坏原料的团聚状态 ,达到各种原料的充分混合 ,从而促进了在较低温度下形成相对较多的立方焦绿石α相 ,提高了相组成的稳定性 .大大扩大了符合零温度系数 [( 0± 30 )× 10 - 6 /℃ ]要求的烧成范围 ,且此BZN陶瓷介电常数高 (ε≥ 10 5 )、介电损耗小 (tgδ <10 - 4 )     

纳米PbO和Bi_2O_3粉的制备及对推进剂燃烧性能的影响

用 Pb(NO3 ) 2 、Bi(NO3 ) 3 和 Na OH为原料 ,通过室温固相反应 ,制备出纳米 Pb O和纳米 Bi2 O3 粉末 ,用 X-射线衍射仪和透射电镜对产物的组成、大小和形貌进行了表征。用纳米 Pb O和 Bi2 O3 作燃速催化剂 ,在 RDX- CMDB推进剂中进行了配方试验研究。实验结果表明 ,纳米 Bi2 O3 能够提高推进剂的燃速 ,同时降低压强指数。     

Fe2O3在ZnO压敏陶瓷中的作用

研究了Fe_2O_3对ZnO压敏陶瓷电性能的影响。试验表明,Fe_2O_3添加的摩尔含量小于0.1％能提高ZnO压敏陶瓷的非线性和压敏电压;但当其添加量大于0.1℃时,非线性急剧下降;Fe_2O_3添加量大于1％时,压敏电压下降。通过X射线衍射等微观分析,认为过量Fe_2O_3使ZnO压敏陶瓷非线性下降的原因主要是由于Fe_2O_3与ZnO在晶界处形成了具有低电阻率(ρ=10~2Ω·cm)的尖晶石相ZnFe_2O_4     

石英砂对TiO2压敏陶瓷性能的影响

本文主要研究SiO2对TiO2压敏陶瓷电性能的影响，并对其原因进行了分析.结果表明：通过掺入SiO2可以有效调控TiO2陶瓷的压敏特性，使TiO2压敏陶瓷具有良好的电性能。     

Bi_2O_3对堇青石陶瓷的烧结行为、相变和热膨胀性能的影响

采用X射线衍射仪、差热分析仪和热膨胀仪等手段研究了由氧化物粉末 (MgO、Al2 O3 和SiO2 )制备堇青石陶瓷时 ,添加Bi2 O3 对堇青石陶瓷相变和性能的影响 ,分析了Bi2 O3 在烧结过程中的作用机理是低温产生液相促进烧结。试验表明 ,Bi2 O3 能明显降低烧结温度 ,在 12 5 0℃烧成 3h后的陶瓷是由α堇青石和少量的 μ堇青石组成。随着Bi2 O3 含量增加 ,陶瓷的致密度和热膨胀系数逐渐升高。Bi2 O3 的添加量 (质量分数 )为 0 .0 4 ,原料相石英消失。Bi-O膨胀系数较Si-O的大和Bi3 + 离子进入堇青石晶格中是引起堇青石陶瓷热膨胀系数升高的主要原因。     

Sb2O3对ZnO基陶瓷性能的影响

本文主要报道Ｓｂ２Ｏ３杂质对ＺｎＯ基陶瓷性能的影响。在ＺｎＯ基陶瓷中添加Ｓｂ２Ｏ３杂质可以改善此种瓷的压敏性和介电性。     

Cr_2O_3对PbO－Bi_2O_3－B_2O_3玻璃颜色及析晶性能的影响

Ｃｒ_２Ｏ_３对ＰｂＯ－Ｂｉ_２Ｏ_３－Ｂ_２Ｏ_３玻璃颜色及析晶性能的影响郝德生（齐齐哈尔轻工学院１６１００６）ＥｆｆｅｃｔｓｏｆＴｒａｃｅＣｒ２Ｏ３ｏｎＣｏｌｏｒａｔｉｏｎａｎｄＮｕｃｌｅａｔｉｏｎｏｆＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３ＧｌａｓｓＳｙｓｔｅｍ...     

Sb2O3掺杂对ZnO压敏陶瓷晶界特性和电性能的影响

制备了掺有Sb2O3不同掺杂量ZnO压敏陶瓷样品,采用扫描电镜对样品进行显微结构分析,研究了Sb2O3掺杂浓度对ZnO压缩电阻显微结构和性能的影响,测量了样品的电性能,由样品C－V特性的测量计算出晶界参数,并由此讨论了陶瓷性能与晶界特性的相关性。研究发现,在ZnO压敏陶瓷样品中掺杂适量的Sb2O3可以提高ZnO压敏陶瓷样品的非线性性能,但当Sb2O3的摩尔分数超过0．088％时,电性能反而优化,这是因为Sb2O3掺杂浓度不同会引起晶界势垒高度、施主浓度与陷阱密度的变化,因此Sb2O3掺杂量要控制在适当的范围内。     

氧化铟对ZnO压敏陶瓷压敏特性及微观结构的影响

用粒度为０．１－０．３ｍｍ的氧化锌偻末为原料，制得了氧化锌压敏陶瓷片，研究了Ｉｎ２Ｏ３掺杂对其压敏特性和微观结构的影响。结果表明；这种氧化锌粉末具有很高的烧结活性，适合作低压压敏电阻器。     

氧化铟对ZnO压敏陶瓷压敏特性及微观结构的影响

用粘度为0．1～0．3mm的氧化锌粉末为原料，制得了氧化锌压敏陶瓷片，研究了In_2O_3掺杂对其压敏特性和微观结构的影响、结果表明：这种氧化锌粉末具有很高的烧结活性，适合作低压压敏电阻器。当烧结温度一定（1240℃）时。阀值电压Vc随着In_2O_3含量的增高而增加，其原自是由于In_2O_3含量的增加，在高温时烧结体内In_2O_3的分解量增加，从而使烧结体中的孔隙率增加。导电性降低。