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介绍了在准二维磁光阱(2D+MOT)中获得超冷原子的实验装置及结果。利用四个矩形线圈、四束椭圆形光斑光束加两束圆形光斑激光束,得到准二维磁光阱,它的特点是势阱为长条形,轴向束缚较小,势阱整体体积比较大,因而可以俘获到数目较多的超冷原子。实验中心附近的磁场梯度为13×10-3Tcm,椭圆型光斑的长短轴为24mm7mm,圆形光斑直径为7mm,光斑功率分别为18mW,6mW。在该势阱中俘获长条形冷原子团的长度为12mm,直径为15mm,原子数为11×107,温度为400μK。 相似文献
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本文根据自由电子激光的基本理论分析了各种可能获得短波长自由电子激光的利与弊,在此基础上,提出了新型波动器,分析了该波动器获得短波长自由电子激光的可能性。最后,文章指出了短波长自由电子激光尚待解决的一些困难。 相似文献
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为了解决现有硅刻蚀工艺中存在的刻蚀质量等问题,采用激光加工技术和电化学加工技术相结合的工艺对硅进行了刻蚀,研究了该复合工艺的工艺特性。实验中采用248nm-KrF准分子激光作光源聚焦照射浸在KOH溶液中的阳极n-Si上,实现激光诱导电化学刻蚀。在实验的基础上,研究了激光电化学刻蚀Si的刻蚀孔的基本形貌,并对横向刻蚀和背面冲击等质量问题进行了分析。结果表明,该工艺刻蚀的孔表面质量好、垂直度高;解决了碱液中Si各向异性刻蚀的自停止问题,具有加工大深宽比微结构的能力;也具有不需光刻显影就能进行图形加工的优越性。 相似文献
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我们以Hg蒸气为非线性光学介质,用毛细列阵做输出窗口,成功地得到了波长小于100nm的可调谐XUV相干辐射。本文深入研究了毛细列阵作为输出窗产生XUV相干辐射的可行性,以Hg的6^1D、6^3D为共振能级的双光子共振三次谐波过程产生XUV可调谐相干辐射的机制;以及影响XUV光产生效率的因素,诸如光学斯塔克效应,介质对泵光及产生光的吸收,不同非线性过程的相互竞争等,燕在此基础上提出改进方案。 相似文献
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部分相干激光匀束器的设计及应用 总被引:2,自引:0,他引:2
传统激光匀柬器的设计是假设输人场为完全相干的,但对于准分子激光器等输出为部分相干场的光束匀滑并不适用。利用部分相干场的传输及衍射理论.开展了这一类激光器匀滑的方法研究。推导出部分相干场与完全相干场下激光匀束器的目标像面的关系式,总结出这一类器件的设计方法。仿真结果表明,上述方法设计的匀束器在全相干场下像面出现激烈的振荡,但在部分相干场下得到了理想的平滑输出强度分布。介绍了部分相干激光匀束器在新一代光刻机照明系统、材料加工、激光医疗中的应用前景。 相似文献
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本文对近年来非线性光学效应产生VUV/XUV相干辐射的理论和实验进展进行了概括和总结,作者首先对该方面工作的理论和实验背景进行了回顾,然后重点阐述了各种产生VUV/XUV相干辐射的方法,如金属蒸汽中的双光子共振四波混频,惰性气体中的非共振和共振四波混频以及强激光场下的高次谐波过程等,最后本文简要地讨论了非线性光学效应产生VUV/XUV应用,并对本工作的发展前景进行了展望。 相似文献
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研究了高气压短脉宽 Xe Cl准分子激光器的设计、制作和激光参数测试。在大体积高气压下 ,采用同步紫外预电离产生辉光放电方法 ,结合激光器物理设计、电路、光学系统设计 ,调整气体配比、气压、放电电压 ,在气体配比为 HCl:Xe:He=0 .1 %:1 %:98.9%下 ,实现了纳秒放电激励的紫外 30 8nm准分子激光激射 ,脉冲能量 5 30 m J,最小脉冲宽度 1 3ns,矩形光斑 2 cm× 1 cm,束散角 3mrad,最高重复频率 5 Hz,并总结了实验规律。 相似文献
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通过氢-惰性气体体系中惰性气体分子对氢拉曼能级的碰撞加宽所引起的对拉曼增益系数的控制,抑制了由一阶向二阶斯托克斯的受激拉曼转换,提高了低价反斯托克斯拉曼转换的效率。 相似文献