特许半导体透露40nm、32nm和28nm制程进展

为了在代工市场上获得更领先的地位,新加坡特许（Chartered）半导体透露了公司的全新发展路图,其中包括可能于明年开发出28nm制程。特许已公开发布了45nm制程,目前已推向市场,现正在悄悄开发40hm半节点制程。据特许副总裁WalterNg介绍,特许目标在2008年内投产40nm制程产品。他同时透露了32nm制程将于2009年推出,但Ng拒绝对28nm技术进行详细介绍。     

明、后年跨入新制程时代，45nm制程设备销售增温

为迎接45nm制程时代，英特尔（Intel）计划于2007年投产，劲敌超微（AMD）也规划与IBM最快在2008年中投严45nm制程芯片，加上台积电、联电、新加坡特许半导体（Chartered Semiconductor）皆将于2007年下半年启动量产，使得45nm制程设备近期市场热度升温，知名设备商应用材料（Applied Materials）、荷商ASML趁热打铁推出45nm制程所需浸润式显影、化学气相沉积、干式微显影机等新设备产品。     

22nm技术节点的成品率目标

半导体行业正在开发必要的缺陷量测和薄膜量测解决方案,但22nm技术节点的监测还需开发新的成像套刻目标结构。     

三星2011年下半推出20nm级制程DRAM

<正>三星电子(Samsung Electronics)2011年将致力于提升DRAM存储器半导体制程技术水平,再拉大与其它竞争业者间差距。三星半导体事业部专务赵南成表示,2010年采用30 nm级制程制造     

ATMI和IBM合作开发下一代半导体材料和制程技术

据Semiconductor International报道：ATMI与IBM签订了一项技术发展协议，将针对45nm及以下节点先进半导体材料和制程技术进行合作开发。该项合作将在ATMI在Connecticut州的总部和实验室以及IBM的Watson研究中心进行。     

半导体制程微细化技术再突破从65nm到45nm的微观神话

半导体微细化制程从65纳米迈向45纳米、甚至芯片结构尺寸将朝向32或22纳米之际,我们将会面临什么未知的物理性质变化?为了追寻更微小体积、切割更多芯片的商业成本效益,我们的制程技术如何再进一步地去突破,会有什么样的材料正等待着我们去发掘?     

安智电子材料携手IBM创新半导体制程

安智（AZ）电子材料将与IBM—Almaden研究中心的材料研发团队共同开发一种以块状聚合物为基础的材料,可以应用在与传统的微影及半导体制程设备相容的定向白组装（DirectedSelf-Assembly,DSA）制程。市场预估应用奈米技术的产品到2015年将达到2．41兆美元的规模,因此降低半导体制造成本,改善元件性能是必要的。     

展望22nm技术节点

为了实现22nm技术节点，工程师必须在许多方面做出重大决定，例如：是否要从平面化的CMOS器件结构转变为多栅结构；是否要使用不同的沟道材料；以及是否要用铜插入来代替钨插入。     

台积电计划于2012年Q3开始试产22nm Hp制程芯片

据台积电公司负责开发的高级副总裁蒋尚义透露,他们计划于2012年第三季度开始试产22nmHP(高性能)制程的芯片产品,并将于2013年第一季度开始试产22nm LP(低功耗)制程的芯片产品。蒋尚义是在日前于日本横滨召开的一次半导体产业论坛会议上透露这些信息的。     

20nm制程技术：新纳米制程技术

英特尔公司和美光科技公司针对NAND闪存的制造环节推出了一项更为精密的全新20nm制程技术。该技术将用于生产8GB容量的多层单元（MLC）NAND闪存设备,这种设备可为在智能手机、平板电脑和固态硬盘（SSD）等计算解决方案中保存音乐、视频、书籍和其他数据提供兼具大容量和小尺寸特点的存储产品选择。     

HyniX发布首款54nm制程的2GB移动DRAM

日前,韩国半导体制造商Hynix（海力士）发布了目前世界第一款采用54nm工艺的2GB移动DRAM。Hynix突破了目前采用MCP封装以及PoP封装的移动DRAM只有最高1GB容量密度的限制,成功实现了2GB的容量密度。     

台积公司领先量产40nm制程促进客户创新

台积公司17日表示,40nm泛用犁（40G）及40nm低耗电（40LP）制程正式进入量产,成为专业集成电路制造服务领域第一个量产40nm逻辑制程的公司。纳米是度量半导体组件金属导线宽度的单位,40nm比人类头发直径的千分之一还要小。     

32/22nm CMOS技术节点取得突破性成果

日前，欧盟委员会第6框架计划（FP6）下PULLNANO项目组公布了多项与32nm和22nmCMOS技术平台相关的重大研究成果，其中包括实现了一个采用32nm设计规则的功能CMOSSRAM（静态随机存取存储器）演示单元。     

台积电率先量产40纳米制程

台积电近日表示,40纳米泛用型（40G）及40纳米低耗电（40LP）制程正式进入量产,成为专业集成电路制造服务领域第一个量产40纳米逻辑制程的公司。40纳米制程是目前半导体产业最先进的量产制程,在全球消费性电子、行动通讯以及计算机市场下一世代产品的开发上将扮演关键角色。台积电40纳米泛用型及40纳米低耗电制程都已经通过制程验证,也按原订计划产出首批芯片,     

FSI 90nm技术节点ANTARES市场需求强劲

FSI国际有限公司不久前宣布，在2005财年第三季度中，来自欧洲、亚太地区、日本以及美国的领先集成电路制造商对于ANTARES超凝态过冷动力学清洗系统的需求十分强劲。传统上用于后段缺陷去除的ANTARES系统，随着客户将90nm器件技术应用于批量生产而得到了更广泛的应用。     

IBM宣布22nm半导体光刻制造工艺

正IBM日前宣布了能够支持22 nm制程的全套半导体光刻制造工艺解决方案,能够在继续使用当前光刻技术的前提下,满足今起直至2012年前后半导体工业对制程进化的工艺需求。IBM的新技术为"运算微缩"(Computation Scaling,CS)技术,能够在不提升光刻激光波长的前提下提升制程。IBM半导体研发中心副总裁Gary Patton认为,传统的微缩投影技术过于依赖设备的光学分辨率,而"运算微缩"技术则     

富士通与台积电将合作延伸至28nm高效能制程

日本富士通微电子与台积电宣布，双方将以台积电技术平台为基础，针对富士通微电子的28纳米逻辑IC产品进行生产、共同开发并强化28纳米高效能制程。     

陶氏电子材料新推出可稀释硅溶胶研磨液，降低制程缺陷程度

陶氏电子材料近日推出新一代KLEBOSOL II 1630研磨液,这是一种进阶的可稀释的研磨液,它综合了硅溶胶研磨液和气相二氧化硅研磨液的优点。KLEBOSOL研磨液是为先进半导体制造技术而研发的,它为CMP提供了一种性能卓越,低耗材成本的产品。