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1.
文中设计了一种应用于LDO线性稳压器的使能和过温保护电路,使芯片在工作温度过高时自动关闭,有效地防止芯片被损坏,待其恢复正常工作状态时自动重新开启各模块。采用Hynix 0.5um CMOS工艺和Hspiee软件进行仿真后表明,设计的电路满足设计指标要求,具有优良的性能。 相似文献
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设计了一种基于28 nm CMOS工艺的低噪声高电源抑制LDO电路。采用折叠共源共栅结构设计了高输出阻抗、高增益误差的放大器,降低了电源噪声对输出端的影响。采用共源共栅密勒补偿结构,保证电路在负载处于轻载/重载下保持较高的相位裕度,增强了环路稳定性。误差放大器输入端采用降噪模块电路,降低了噪声对整体LDO电路的影响。基于Cadence Spectre进行仿真分析的结果表明,在1.9 V电源电压下,负载由轻载10 mA突变为重载60 mA时,环路增益为77.6~91 dB,相位裕度达到76°~79°。在中间负载电流30 mA下,对电源抑制(PSR)和噪声进行了仿真。结果表明,电源抑制为-81.9 dB,低频噪声(1 kHz)为258 nV·Hz-1/2。对LDO整体电路进行了版图设计和后仿比对。结果表明,环路增益为83.2 dB,相位裕度为78°,PSR为-78.3 dB,低频噪声(1 kHz)为283 nV·Hz-1/2。 相似文献
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基于smic40工艺提出了一种低噪声、高PSRR的LDO,将在该LDO中,采用预放大结构,在传统误差放大器(EA)之前加入BJT预放大级,降低EA的1/f噪声,以提高LDO噪声性能。为了克服PSRR与其他诸如环路稳定性和负载能力等重要设计参数之间的权衡,提出的LDO使用带有二极管连接型的PMOS充当缓冲器,电源纹波通过晶体管的栅极,并通过NMOS缓冲器增强LDO的纹波抑制能力,PSRR改进超过40 dB。实验结果表明,该LDO实现了从10 Hz到100 kHz的RMS噪声在室温下小于2μV,液氮温度77 K下小于1μV;仿真在1 kHz时PSRR为-80 dB,100 kHz时PSRR为-44~-62 dB。 相似文献
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LPC1100是市场上定价最低的32位微控制器解决方案,但其价值和易用性比现有的8/16位微控制器更胜一筹。恩智浦半导体中国事业总部多重市场半导体产品市场总监金宇杰在介绍该公司最新推出的一款MCU时这样表述,该控制器性能卓越、简单易用、功耗低,更重要的是,它能显著降低所有8/16位应用的代码长度,能满足所有那些寻求用可扩展ARM架构来进行整个产品开发过程的8/16位用户,满足其产品开发无缝整合需求。 相似文献
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为了实现LDO的恒定限流、低功率消耗以及高驱动能力,本文提出了一种分段电压折返式限流保护的微功耗LDO。通过限流阈值动态调整,不仅最大限度的增强了LDO驱动能力,而且使限流电路的静态电流仅为300nA。微功耗的高阻抗变换电路拉开了环路的主极点与功率管栅极极点,加上零极点抵消技术综合保证了系统的稳定性。该LDO采用BiCMOS工艺完成流片。测试结果表明,LDO的短路保护电流为190mA,高输入输出压差时的恒定限流440mA,低输入输出压差时的最大驱动电流可达800mA。LDO的静态电流仅为7μA。满量程负载调整率约为0.56%,线性调整率约为0.012%/V,120Hz下的PSRR为58dB,在250mA的负载电流条件下,漏失电压仅为70mV。 相似文献
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Steve Knoth 《今日电子》2011,(10):48-50
低电压降压型稳压和转换可运用多种方法来实现。开关稳压器能够在宽电压范围内实现高效运作,但其正常操作需要使用磁性元件及电容器。另外,也可以采用充电泵(或开关电容器电压转换器)来实现较低电压转换,但这种方案的输出电流能力有限,而且需要外部电容器以实现运作及稳定性。如今, 相似文献
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为了能更适合于片上集成,在提供稳定电压的同时降低输入电压的噪声,设计了一种新型片上CMOS低压差线性稳压器(LDO),其显著特点是静态电流很小,在3.3V供电电压下,只有10μA的静态电流,功耗很小,适合于片上低功耗集成使用.同时,对LDO的电源电压抑制(PSR)进行了改进,提出了一种有效地使PSR提高的方法,使PSR低频下达到了大约-45dB,最差的情况也能达到-20dB左右,对输入电源的纹波噪声有比较好的抑制作用,更加适合于对噪声敏感的电路集成. 相似文献
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