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从场致发射实验中发现一种较适合于场电子发射的金刚石薄膜表面微结构。胜表面为这种微结构的金刚石薄膜作阴极制做的简单平板显示器件具有起始发射场强低,发光强度大的特点,且重复性较好。 相似文献
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利用脉冲激光沉积技术(Pulsed Laser Deposition)首次制备出非晶碳-聚酰亚胺复合薄膜,用其做为冷阴极,观察到其场致电子发射的预击穿现象,预击穿后阈值场强为7V/μm,最大发射电流密度为1.2mA/cm^2。利用透明导电薄膜阳技术可观察到电子在薄膜阴极表明的发射区域。用扫描电子显微镜(SEM)观察了预击穿后发射区域的表面形貌的变化,并对复合薄膜的预击穿现象的场电子发射机理进行了探 相似文献
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SED(Surface-ConductonElectron-EmitterDisplay),是表面传导型电子发射器件的简称。作为场致发射型显示器件(FieldEmissionDisplay,FED)技术之一,SED的发展历史可以追朔到1986年,当时,法国的R.Meyer利用半导体及薄膜生长的精细加工电子源技术,在试制的Si基板上加工了尖形的微小发射极阵列,生成场致发光。1996年10月,Canon发表使用MOS结构场致发光部件\超微间距薄膜平面阴极FED的论文,并于1997年5月,试作出3.1英寸样品,实现了薄膜平面阴极的FED,这就是SED的雏型。 相似文献
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金刚石镶嵌非晶碳膜表面微尖对场致发射的增强作用 总被引:1,自引:0,他引:1
用微波等离子体化学气相沉积设备,在金属钼衬底上沉积出了表面存在大量微尖的金刚石镶嵌非晶碳膜,分别用扫描电子显微镜(SEM)、金相显微镜和X射线衍射谱(XRD)及Ram an谱对样品进行了分析测试,并研究了各样品的场致电子发射特性。结果发现:在笔者的实验范围内,金刚石薄膜表面微尖对场致电子发射具有增强作用,且薄膜表面微尖数目越多,场发射电流密度和发射点密度越高,场发射的发射阈值越低。最后建立了一个二次场增强模型对实验结果进行了解释 相似文献
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金刚石薄膜衬底表面不同预处理对薄膜表面形貌的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
用微波等离子体化学气相沉积(CVD)设备,在经过不同粒度的SiC研磨粉进行粗化预处理过的金属钼衬底上沉积出了表面形貌有较大差异的金刚石薄膜,分别用扫描电子显微镜(SEM)、光学显微镜和X射线衍射谱(XRD)以及Raman光谱对样品进行了分析测试,并研究了各样品的场致电子发射特性。结果发现:在我们的实验范围内,对钼衬底研磨预处理所用的SiC研磨粉的粒度越大,其上沉积出的金刚石薄膜样品的表面越粗糙;而金刚石薄膜的表面越粗糙,其场致发射的效果也越好。 相似文献
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以高温气相氧化法制备的四针状纳米ZnO作为场致发射材料,采用浆料印刷和烧结的方法将其制备成场致发射阴极基板.将阴极板和荧光屏封装成5×25.4 mm二极结构的场致发射显示器,进行了场致发射特性实验,实现了稳定的场致电子发射及简单字符显示.该二极结构ZnO-FED的开启场强为1.5 V/μm,当场强为5.3 V/μm时,发射电流密度可达5.11 μA/cm2.通过实验测定场增强因子约为6 772,表现出了好的场致电子发射性能.实验结果表明了四针状纳米ZnO纳米材料是一种很好的场致发射阴极材料. 相似文献
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本文利用广泛使用的PIC粒子模拟软件MAGIC模拟了楔型场致发射真空微电子三极管的一个单元的特性,该单元由一个楔型场致发射体,栅极和阳极组成。研究了栅极电压,阳极电压和发射体顶点半径等对发射电流的影响。给出了一个典型的楔型场致发射真空微电子三极管,当其阳极电压为500V,阳极与阴极相距4μm时的电子轨迹图。模拟结果表明场致发射的栅极开启电压为250V。并得到了三极管高频工作时动力学特性。 相似文献
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场致发射显示器研究与进展 总被引:12,自引:1,他引:12
介绍了受人们普遍关注的新一代平板显示器场致发射显示器研制开发的新进展情况,其中包括Spindt结构、碳纳米管、表面传导、金刚石薄膜、MIM和MISM结构、大面积可印刷低逸出功型等场致发射显示器.分析了每种类型场致发射显示器的优点及存在的问题,并对它们各自发展前景做了介绍. 相似文献
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1引言场致发射器件平板显承器在结构和设计方面人们已经作过大量的探讨。在最早的研究工作中,微细平板印刷术通常用于制造微米量级的有规则的尖推阵列。由于电力线集中在这些尖锥的尖端处,足以在较低的电压下产生电子隧道效应。近来发现,淀积在平面基片上的平面型金刚石或其它碳的同素异形体薄膜可形成具有稳定发射体的随机阵列,甚至这种膜相当光滑,但仍然如此。这项工作是研究从几何结构上增强场(锐化的尖锥)与碳膜相结合的效果。具体地说:即是用锐化的硅晶须阵列,覆以金刚石薄膜,来进行切致发射的试验。用由Wagner和Ellis发明… 相似文献
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第四十届国际场致发射会概况王保平东南大学电子工程系第四十届国际场致发射会议于1993年8月2~6日在日本名古屋市召开,大会由名古屋工业大学电子与材料科学系奥山文雄教授主持,与会代表来自17个国家共250多人。本次会议显著的特点就是把真空微电子学纳入了... 相似文献
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本文利用广泛使用的PIC(particle-in-cell)粒子模拟软件MAGIC模拟了楔型场致发射真空微电子三极管的一个单元的特性。该单元由一个模型场致发射体、栅极和阳极组成。研究了栅极电压、阳极电压和发射体顶点半径等对发射电流的影响。给出了一个典型的楔型场致发射真空微电子三极管,当其阳极电压为500V,阳极与阴极相距4μm时的电子轨迹图。模拟结果表明场致发射的阳极开启电压为250V。并得到了三极管高频工作时动力学特性。 相似文献