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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
MD悄悄走来     
MD悄悄走来MD(minidisc)是小型激光唱盘,它是封闭式可录数字光盘,直径64cm,可容纳74分钟音乐节目,并可以重复录制10万次的小型数字光盘,它的工作原理是根据居里夫人发现的一种现象演伸而来的,就是当温度达到一定高度时,磁体的磁性会产生变...  相似文献   

2.
增长曲线模型中回归系数的根方估计   总被引:5,自引:0,他引:5  
本文采用根方估计B(m)(0<m<1)来估计增长曲线模型中回归系数B,通过根方参数m值的选取,可使β(m)=Vec(B(m)的均方程误差(MSE)小于β=Vec(B)的LSEβ的MSE,本文还给出了选取m值的三种方法及应用实例。  相似文献   

3.
二价离子替代的Nasicon及其应用研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
含二价阳离子的Nasicon,M ̄(2+)Nasicon(M=Mg、Ca、Sr、Zn)可由母体Na_3Zr_2Si_2PO_(12)(Nasicon)为起始原料与相应的二价离子的盐浓液或熔盐进行离子交换而制得。X射线衍射分析结果表明离子交换后的产物M ̄(2+)-Nasicon大多保持原母体的C_(2/c)结构。交流阻抗技术测定的电导率数据显示含不同的二价替代离子的Nasicon的电导率相差甚大。其中最好的是Mg ̄(2+)-Nasicon,其电导率在400℃时可达到1.48×10 ̄(-2)S/cm。Mg ̄(2+)-Nasicon用作微功率固态电池Mg/CuCl的电解质,该电池的开路电压为2.07V,短路电流为1mA。平均放电电压为1.6V,电池的放电容量是3.4mAH。  相似文献   

4.
孙福成  宋健  江以萍  朱峰 《声学技术》1994,13(4):162-164
B4矩形超声换能器方阵的研究孙福成,宋健,江以萍,朱峰(上海交通大学上海·200030)在我们研制的超声加热治癌系统中为了增大加热面积和增大加热深度,我们选用9片方形压电晶片组成一个方阵(3×3),每片大小为3.0cm×3.0cm,这样可以方便地对不...  相似文献   

5.
国外文摘     
国外文摘责任编辑占小玲喷涂9504001等离子喷涂氧化铝涂层的激光重溶──LoPezV.MaterSciEng,1993,172(1~2):189(英文)分析了激光重熔等离子喷涂氧化铝涂层的厚度(100、200和380μm)对低合金钢性能的影响。激光...  相似文献   

6.
氮化硼纤维的研制   总被引:5,自引:0,他引:5  
研究了用先驱体法制备氮化硼(BN)纤维的全过程。以PBC13和(Me3Si)2NH为原料直接合成具有纺丝性能的聚硼氮烷,经纺丝、不熔化处理离温烧结等一系列工艺处理,制得了BN纤维。纤维的平均直径36μm,连续长度60cm,拉抻强度110MPa。探讨了制备工艺过程中的一些基本规律.  相似文献   

7.
GaInAsSb是红外探测器中重要的半导体材料之一。我们用水平常压金属氧化物化学气相淀积(MOCVD)技术在n型GaSb衬底上成功地生长了GaInAsSb外延层,用PL谱、红外吸收谱、X射线衍射和扫描电子超声显微镜(ScanningElectronAcousticMicroscopy,SEAM)等实验手段对GaInAsSb外延层进行了表征。用GaInAsSb材料制作的红外探测器的光谱响应的截止波长达2.4μm,室温探测率D*达1×109cmHz(1/2)/W,2.25μm波长时的量子效率为30%。本文首次给出了GaInAsSb外延层的扫描电子超声显微镜像(SEAM像),为扫描电子超声显微镜在半导体材料方面的应用开辟了一个新的领域。  相似文献   

8.
本文涉及玻璃钢猎扫雷艇艇体材料的优选、铺层设计和工艺等内容。试验确定了以1629间苯聚酯树脂为基体、以900g/m2无碱无捻粗纱短切毡(M)和810g/m2无碱无捻粗纱方格布(R)为增强体以及(M+R)为基本铺层设计单元的方案。试验表明,按上述材料和铺层制作的层板,性能达到Lerici和MHC-51艇壳层板的指标要求。  相似文献   

9.
本文报导了非故意掺杂InGaAsSb本底浓度的降低和掺Ten型GaSb和InGaAsSb的MBE生长与特性的研究结果。结果表明,通过生长工艺的优化,GaSb和InGaAsSb的背景空穴浓度可分别降至1.1×10~(16)cm~(-3)和4×10~(16)cm~(-3),室温空穴迁移率分别为940cm2/v.s和260cm~2/v.s。用Te作n型掺杂剂,可获得载流子浓度在10~(16)~10~(18)cm~(-3)的优质GaSb和InGaAsSb外延层,所研制的材料已成功地制备出D_λ~*=4×10~(10)cmHz~(1/2)/W的室温InGaAsSb红外探测器和室温脉冲AlGaAsSb/InGaAsSb双异质结激光器。  相似文献   

10.
在450℃,0.5MPa的N2中,固态聚四氟乙烯与石墨(粒度〈40μm,含碳〉99.7%)合成反应制得灰白色氟化石墨,其真密度为2.50Mg.m^-3,电阻率为2.85kΩ.cm,在波数1219cm^-1和1530cm^-1处有F-C供价键红外光谱吸收峰,这些特征与“气相法”合成的氟化石墨一致,“固相法”新工艺方法简单,安全,成本低,无需剧毒单质氟气作为主要原料。  相似文献   

11.
SMPTE1995年进展报告(4)切换器和路由系统Dynatech视频集团的Utah-300具有“漂亮的结构(SmartArchitecture)”特性,可提供一个小型和有效的切换矩阵。它包括所有模拟和串行数字格式的信号管理,并同所有Utah和Alp...  相似文献   

12.
P(VAc—MMA—DM)阳离子聚合物乳液的合成及其在造纸?…   总被引:4,自引:0,他引:4  
以醋酸乙烯酯(VAc)、甲基丙烯酸甲酯(MMA)和甲基丙烯酸二甲胺乙酯(OM)的原料,采用无乳剂化剂乳液聚合法合成了一系列VAc-MMA-DM阳离子共聚物乳液,测定了此乳液的转化率和稳定性,找到了合成最稳定且转化率最高的VAc-MMA-DM阳离子共聚物乳液的配方和条件;由电镜测得此乳液为球形粒子,粒径约为0.1μm。将VAc-MMA-DM阳离子共聚物乳液加到竹浆或纸浆中,通过对纸张的环压强度、耐破  相似文献   

13.
提出了一种新的生长过渡层的方法,并利用低压金属有机气相外延技术在InP衬底上生长出高质量GaAs外延材料,用X射线双晶衍射测得5μm厚GaAs外延层的(004)晶面衍射半峰高宽(FWHM)低至140arcsec。并制出GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET),其单位跨导为100ms/mm,可满足与长波长光学器件进行单片集成的需要。  相似文献   

14.
根据球铁中石墨/基体(G/m)界面微观力学行为以及球铁裂纹扩展微观过程研究的结果,设计了以球墨外包的马氏体球壳(Mgh)和铁素体+块状马氏体(F+Mm)的双相基体,即G+Mgh+F+Mm的优化球铁组织(Mop);从球铁中F+M形成的相变相理、热力学分析,提出实现Mop的热处理,性能测试结果证实MoP球铁具有优越的宏观机械性能。  相似文献   

15.
刘爽 《照相机》1995,(6):27-29
我看神龙DF68型120单反座机(上)刘爽当今世界上的120单反相机已如数家珍。特别是其中适合放制巨幅照片的6×8cm2的大底片相机更是凤毛麟角,唯日本的富士GX680一款。虽然日本玛米亚RB系列中的个别机种和RZ系列也可加用6×8cm2画幅的后背,...  相似文献   

16.
文中介绍新研制的紫外激光能量计,采用接收口径为50mm的热释电探测器,配有可承受1MW/cm2高功率密度的吸收层。该能量计可测各种准分子激光能量,测量上限可达焦耳量级。文中有仪器框图、探测器构成、仪器性能实验及其误差分析结果。  相似文献   

17.
合成了离聚体聚P-(MMA-BA-MM-Na^+)胶乳与聚苯胺的导电复合物,并考究了胶乳用量,苯胺,氧化剂体系酸度等因素对导电复合物的导电率,力学性能的影响,得到了导电率12S.cm^-1,拉伸强度4.0MPa,易加工成型的新型导电复合物。  相似文献   

18.
郑远开  李春富 《功能材料》1995,26(5):389-392
研究了射频磁控溅射膜(Ni81Fe19)100-Nbx的各向异性磁阻效应AMR、矫顽力Hc、饱和磁化强度4xms和饱和磁化场H。研究其作为磁阻磁头材料和低磁场高灵敏度材料的可能性。我们发现Nb的含量对(Ni81Fe19)100-xNbx的各向异性磁阻效应AMR=2%、矫顽力Hc=119A/m和饱和磁化场Hx=445A/m,适宜于低磁场高灵敏度检测材料。  相似文献   

19.
HQ130钢不完全淬火区组织性能的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用显微图象分析仪,显微硬度计和扫描电镜(SEM)对HQ130远见 不完全淬火区(Ac、~Ac3)的组织性能进行了分析,针对峰值温度tp=800℃附近区域冲击韧性下降的问题,着重分析了M-A组元及碳化物对脆化的影响,结果表明:控制焊接线能量E≤16KJ/cm,可避免或减小碳化物聚集,减少M-A组元的含量及尺寸大小,保证该区域冲击韧性满足使用要求。  相似文献   

20.
非晶态Ni-Mo-Fe合金作电解水析氢反应电极   总被引:5,自引:0,他引:5  
用电沉积法制备非晶态Ni_(41.5)Mo_(35.5)Fe_(23.0)合金电极。该合金电极在30wt%KOH溶液,70℃作析氢反应阴极,实验研究结果表明,合金电极对氢的析出反应具有优良的电催化性能。在200mA/cm ̄2电流密度下析氢反应过电位约90mV,在连续电解和间歇电解条件下有良好的电化学稳定性。  相似文献   

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