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双施主掺杂对BaTiO_3基半导瓷结构和性能的影响 总被引:5,自引:1,他引:4
系统地研究了Sb~(3+)、Nb~(5+)掺杂对多晶(Ba、Pb、Ca)TiO_3微观结构和电性能的影响。结果表明:双施主掺杂比单一Sb~(3+)“或Nb~(5+)更能降低试样的室温电阻率。比较了Li~+的存在与否对瓷料烧结性能、电性能及热稳定性的影响。 相似文献
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<正> 一、前言 近年来,在改性BaTiO_3陶瓷的研究方面,已取得明显效果。这些研究,有的已达实用阶段,有的则为我们进一步研究改性BaTiO_3陶瓷指明了方向。本文介绍了三种 相似文献
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BaTiO_3系PTC热敏电阻施主加入物的研究 总被引:5,自引:3,他引:5
常用的施主加入物是Y3+和Nb5+,施主掺入量一般控制在x=0.2%~0.3%为宜。影响施主掺入量的因素有原料纯度、烧结助剂、掺入施主的工艺等。研究了常用施主加入物的理化特性对PTC热敏电阻性能的影响,提出了施主加入物的技术标准。 相似文献
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采用低温固相反应法(800℃)合成了一系列纳米掺杂BaTiO3基PTC瓷粉。经XRD分析,产品为立方晶系的完全互溶取代固溶体。分别研究了La和Y双施主掺杂以及烧结条件对材料PTC性能的影响,实验表明,以La和Y进行双施主掺杂可使材料的室温电阻进一步降低,升阻比提高。通过合理地调整双施主的相对含量,优化烧结制度,制备出了室温电阻为14.25?,升阻比达3.7×104的PTCR材料。 相似文献
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研究了在BaTiO3陶瓷中添加不同浓度的施主杂质在H2气氛中烧结后的实验结果,对所得的结果进行了分析,结果表明:它们具有相近的平均晶粒直径,在大气中氧化后,仍然具有典型的U形电阻率-施主掺杂浓度曲线,这与传统理论不完全一致,文章就晶粒尺寸随氧分压的变化提出了新的见解。 相似文献
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施主浓度与 PTCR效应的关系 ,一方面受各种杂质乃至助烧剂影响而变得复杂化 ;另一方面也被很多作者所忽视。然而 ,这一关系可以在一定程度上映射出 PTCR效应的本质。海望曾指出 ,在 Ba Ti O3材料中 ,晶界上过剩施主的堆集 ,能够形成晶界层中高浓度的表面受主态 ,从而使材料 PTCR效应迅速提高。尽管海望的表面受主态模型被广为接受 ,然而 ,我们研究了 Sm2 O3掺杂的 Ba Ti O3陶瓷中掺杂浓度与 PTCR效应的关系 ,结果表明 :随着稀土掺杂量的提高 ,材料的升阻比降低。采用其他稀土元素 ,也得到相同的结果。因此 ,PTCR效应应当来源于在铁电相变点 ,晶界层中电子陷阱中性钡缺位被激活俘获自由电子 ;过剩施主的增加只能增加材料的室温电阻率 ,而不能提高 PTCR效应 相似文献
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在80—320K温度范围内,研究了两种组份BaTiO_3半导体陶瓷的介电特性,发现其介电常数温度曲线不再明显有反映不同铁电相变的两个介电峰,但介电常数实部和虚部的极大值位置分别与mm2—3m和4mm—mm2铁电相变的温度有关。这可能是由于其铁电相变高度弥散、mm2—3m铁电相变温度与Sr~(2-)的取代量基本无关以及4mm相出现PTCR效应的结果。 相似文献
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本工作研究了用微粉制备的BaTiO_3陶瓷低温时的热电性,发现它具有异常的热电响应。 相似文献
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纳米钛酸钡陶瓷之尺寸效应及相关机理 总被引:2,自引:0,他引:2
对铁电陶瓷纳米粉粒的获得,铁电陶瓷纳米粉粒的粒度效应及其相关机理作了比较系统的叙述,进而对铁电陶瓷中微粒结构形成、微粒结构与铁电性能的关系进行分析,认为现在是将纳米技术用于电子材料的时机,应该找出常用的电子陶瓷材料的介电性能最佳的微粒尺寸分布区段,以利于工业应用及以后研究工作的发展。 相似文献
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研究Mg在BaTiO3瓷中的抗还原作用。采用CO、CO2还原气氛中烧结制作不同含Mg量(摩尔分数为0.05%~0.25 %)BaTiO3瓷试样。实验结果表明含Mg的BaTiO3瓷比不含Mg的BaTiO3瓷体积电阻率高8~9数量级。试样XRD谱线计算,晶胞参数a,c随Mg含量的增加而增大,电子探针显示Mg均匀分布。显微结构分析推断,Mg既固溶于A位(MgBa)又固溶于B位(MgTi),杂质缺陷结构(MgTI)的受主电离复合还原气氛产生的氧缺位(VO)的施主电离,从而大大降低了施主电离的电子浓度。因此,MgTi的存在是BaTiO3瓷抗还原的本质。 相似文献
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硬脂酸凝胶法制备的BaTiO3超微粉和陶瓷 总被引:1,自引:1,他引:0
用硬脂酸凝胶法制备了BaTiO_3超微粉.并通过XRD、介电和热释电等方法研究了这种超微粉以及由其制备的陶瓷的结构和其它物性.发现它们的性质与常规的BaTiO_3陶瓷极为不同.只有一个铁电一顺电相变、而且铁电相的结构为准立方结构.它可能是由于这种超微粉表面包裹一层偏离BaTiO_3化学配比的非铁电材料,使BaTiO_3微晶机械受夹,不能自由产生铁电畸变所致. 相似文献
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采用脉冲激光淀积法在硅基氧化铝纳米有序孔膜版介质上(膜版孔径平均尺寸20nm,内生长Pt纳米线作为底电极一部分)制备了BaTiO3铁电纳米膜,并对其物性(铁电和介电性能)和微结构进行了表征。结果表明厚度170nm BaTiO3铁电膜的介电常数,随着测量频率的增加(103Hz至106Hz),从400缓慢下降到350;介电损耗在低频区域(103~105Hz)从0.029缓慢增加到0.036,而在高频率区域(〉105Hz)后,则迅速增加到0.07。这是由于BaTiO3铁电薄膜的介电驰豫极化引起的。电滞回线测量结果表明,该薄膜的剩余极化强度为17μC/cm2,矫顽场强为175kV/cm。剖面扫描透射电子显微镜(STEM)图像表明,BaTiO3纳米铁电薄膜与底电极Pt纳米线直接相连接,它们之间的界面呈现一定程度的弯曲。选区电子衍射图和高分辨电子显微像均表明BaTiO3铁电薄膜具有钙钛矿型结构。在BaTiO3纳米铁电薄膜退火晶化处理后,部分Pt纳米线的再生长导致顶端出现分枝展宽现象。为了兼顾氧化铝纳米有序孔膜版内的金属纳米线有序分布和BaTiO3纳米薄膜结晶度,合适的退火温度是制备工艺过程的关键因素。 相似文献