Diodes全新SBR整流器可缩小充电器

Diodes公司推出15A电流额定值的SBR15U50SP5超级势垒整流器(Super Barrier Rectifier,SBR),以满足新一代智能手机及平板电脑充电器的需求。这个微型SBR整流器通过低正向电压和低反向漏电流的特性测试,能够承受超薄断续模式反激式充电器在设计上更高的电流脉冲和工作温度。     

用于太阳能电池旁路保护的势垒肖特基整流器

该系列势垒肖特基整流器共有12款型号,具有10～60A的宽电流等级。这些整流器在10A时具有0．33V的极低典型正向压降,针对在太阳能电地接线盒中用作提供保护功能的旁路二极管进行了优化。     

4H-SiC TSOB结势垒肖特基二极管静态特性

为增强器件的反向耐压能力,降低器件的漏电功耗,采用Silvaco TCAD对沟槽底部具有SiO₂间隔的结势垒肖特基二极管(TSOB)的器件特性进行了仿真研究。通过优化参数来改善导通压降(V_F)-反向漏电流(I_R)和击穿电压的折衷关系。室温下,沟槽深度为2.2 μm时,器件的击穿电压达到1 610 V。正向导通压降为2.1 V,在V_F=3 V时正向电流密度为199 A/cm²。为进一步改善器件的反向阻断特性,在P型多晶硅掺杂的有源区生成一层SiO₂来优化漂移区电场分布,此时改善的器件结构在维持正向导通压降2.1 V的前提下,击穿电压达到1 821 V,增加了13%。在1 000 V反向偏置电压下,反向漏电流密度比普通结构降低了87%,有效降低了器件的漏电功耗。普通器件结构的开/关电流比为2.6×10³(1 V/-500 V),而改善的结构为1.3×10⁴(1 V/-500 V)。     

SiC肖特基势垒二极管的反向特性

在n型4H-SiC衬底上的n型同质外延层的Si面制备了纵向肖特基势垒二极管(SBD),研究了场板、场限环及其复合结构等不同终端截止结构对于反向阻断电压与反向泄漏电流的影响。场板(FP)结构有利于提高反向阻断电压,减小反向泄漏电流。当场板长度从5μm变化到25μm,反向阻断电压随着场板长度的增加而增加。SiO2厚度对于反向阻断电压有重要的影响,当厚度为0.5μm,即大约为外延层厚度的1/20时,可以得到较大的反向阻断电压。当场限环的离子注入区域宽度从10μm变化到70μm,反向阻断电压也随之增加。FLR和FP复合结构对于改善反向阻断电压以及反向泄漏电流都有作用,同时反向阻断电压对于场板长度不再敏感。采用复合结构,在10μA反向泄漏电流下最高阻断电压达到1 300V。讨论了离子注入剂量对于反向阻断电压的影响,注入离子剂量和反向电压的关系表明SBD结构不同于传统PIN结构的要求。当采用大约为150%理想剂量的注入剂量时才可达到最高的反向阻断电压而不是其他报道的75%理想剂量,此时的注入剂量远高于PIN结构器件所需的注入剂量。     

一种积累型槽栅超势垒二极管

提出了一种积累型槽栅超势垒二极管,该二极管采用N型积累型MOSFET,通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时,在N+区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层,形成电子电流,进一步降低二极管正向压降;随着外加电压增大,P+区、N-外延区和N+衬底构成的PIN二极管开启,提供大电流。反向阻断时,MOSFET截止,PN结快速耗尽,利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N+区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明,在相同外延层厚度和浓度下,该结构器件的开启电压约为0.23 V,远低于普通PIN二极管的开启电压,较肖特基二极管的开启电压降低约30%,泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。     

4H-SiC结势垒肖特基二极管VRSM特性研究

通过器件模拟仿真软件Sentauras和高分辨率透射电子显微镜（High-Resolution Transmission Electron Microscopy ,简称HRTEM）研究了4H-SiC结势垒肖特基二极管（Junction Barrier Schottky ,简称JBS）在反向浪涌电压应力作用下的失效机理;进而重点研究了结终端扩展区（Junction Termination Extension ,简称JTE）的长度、深度和掺杂浓度对该器件反向浪涌峰值电压（Maximum Surge Peak Reverse Voltage ,简称VRSM）的影响,并结合JBS的基本结构对其进行优化设计;最后,流片测试显示优化设计的4H-SiC结势垒肖特基二极管的VRSM值约为1450V,比原器件提升了20%左右。     

浮结型碳化硅肖特基势垒功率二极管的优化设计

SiC floating junction Schottky barrier diodes were simulated with software MEDICI 4.0 and their device structures were optimized based on forward and reverse electrical characteristics. Compared with the conventional power Schottky barrier diode, the device structure is featured by a highly doped drift region and embedded floating junction region, which can ensure high breakdown voltage while keeping lower specific on-state resistance, solved the contradiction between forward voltage drop and breakdown voltage. The simulation results show that with opti- mized structure parameter, the breakdown voltage can reach 4 kV and the specific on-resistance is 8.3 mΩ·cm2.     

具有极低正向压降（0．375V）的肖特基势垒整流器 用于开关模式电源、电源适配器等产品

这五款基于Trench MOS技术的肖特基势垒整流器可在开关模式电源中作为整流电路或OR—ing二极管，或可替代同步整流解决方案。     

低VF SiC肖特基势垒二极管

罗姆公司面向太阳能发电功率调节器、工业设备、服务器和空调等的电源电路,开发出实现业超小正向电压（VF=1．35V）的第二代SiC肖特基势垒二极管“SCS210AG／AM”（600V／10A）。与传统产品相比,     

无凹槽AlGaN/GaN肖特基势垒二极管正向电流输运机制

研究了无凹槽AlGaN/GaN肖特基势垒二极管(SBD)的正向电流输运机制。分别采用Ni/Au和TiN作为阳极金属材料制备了无凹槽AlGaN/GaN SBD,对比了两种SBD的直流特性。并通过测量器件的变温I-V特性,研究了器件的正向电流输运机制。结果表明,TiN-SBD(0.95 V@1 mA·mm^-1)与Ni/Au-SBD(1.15 V@1 mA·mm^-1)相比实现了更低的开启电压,从而改善了正向导通特性。研究发现两种SBD的势垒高度和理想因子都强烈依赖于环境温度,通过引入势垒高度的高斯分布模型解释了这种温度依赖性,验证了正向电流输运机制为与势垒高度不均匀分布相关的热电子发射机制。     

4H-SiC结型势垒肖特基二极管的制作与特性研究

本文设计制作了两种具有不同结构参数的4H-SiC结型势垒肖特基二极管,在制作过程中采用了两种制作方法：一种是对正电极上的P型欧姆接触进行单独制作,然后制作肖特基接触的工艺过程;另一种是通用的通过一次肖特基接触制作就完成正电极制作的工艺过程。器件制作完成后,通过测试结果比较了采用场限环作为边界终端与未采用边界终端的器件的反向特性,结果显示采用场限环有效地提高了该器件的击穿电压,减小了其反向电流。另外,测试结果还显示采用独立制作P型欧姆接触的工艺过程有效提高了4H-SiC结型势垒肖特基二极管的反向特性,其中P型欧姆接触的制作过程和结果也在本文中做出了详细叙述。     

V10PN50／V15PN50：肖特基整流器

Vishay推出新款高电流密度的50V TMBS TrenchMOS势垒肖特基整流器V10PN50和V15PN50。这两款器件在10A和15A下的典型正向压降低至0．40V和0．41V,兼具优化的漏电流的器件,采用薄形TO－277A（SMPC）封装,可用于智能手机和平板电脑的充电器。     

天水天光半导体推出DSN-2封装系列肖特基势垒二极管

天水天光半导体最新推出目前世界上尺寸最小的0.4mm ~*0.2mm0.27mm超小型双硅片无引脚(DualSilicon No-Lead,DSN-2)封装的TSBA8F40型肖特基势垒二极管,产品采用了标准的01005芯片级封装技术,并推出系列产品:TSB02F30(0201)型、TSB05F20(0402)型、TSB10F40(0502)型、TSB20F40(0603)型DSN-2封装肖特基势垒二极管,产品具有:1、将二极管产品的正、负两极做在芯片的同一平面上;2、具有较低的正向开启电压;3、较低的反     

Vishay推出高功率密度、高系统效率的新款FRED Pt整流器

正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出27个采用小尺寸、低高度SMPC(TO-277A)eSMP系列封装的新型4 A~10 A FRED Pt Hyperfast和Ultrafast快恢复整流器。这些通过AEC-Q101认证的整流器具有极快和软恢复特性,以及低泄漏电流和低正向压降,可减少汽车和电信应用里的开关损耗和过耗散。这款Vishay Semiconductors FRED Pt整流器的反向电压为100V、200V