离子束溅射原位沉积高温超导薄膜的机理与实验研究

理论计算了氩离子束溅射Ｙ－Ｂａ－Ｃｕ－Ｏ靶的组分原子溅射率，得出了溅射过程中存在Ｃｕ原子溅射率偏低的“择优溅射”效应。通过分析原位形成高温超导薄膜的实现条件，表示出了离子束溅射原位成膜的基本过程。实验上采用分子氧辅助沉积技术，用离子束溅射法原位外延出ＹＢａ２Ｃｕ３－Ｏ超导薄膜。讨论了试验条件对薄膜特性的影响。提得到的实验结果与理论分析相一致。     

离子束溅射原位淀积高温超导薄膜的机理与实验研究

理论计算了氩离子束溅射Y－Ba－CU－O靶的组分原子溅射率，得出了溅射过程中存在Cu原子溅射率偏低的“择优溅射”效应。通过分析原位形成高温超导薄膜的实现条件，表示出了离子束溅射原位成膜的基本过程。实验上采用分子氧辅助淀积技术，用离子束溅射法原位外延出YBa2Cu3O(7-δ)超导薄膜。讨论了实验条件对薄膜特性的影响。所得到的实验结果与理论分析相一致。     

氧化物超导材料的进展

从超导合成粉、超导线材、超导熔融体、超导厚膜材料、弱磁场屏蔽体及超导薄膜材料等方面介绍了氧化物超导材料及其应用的进展。     

高灵敏度太赫兹探测模块氮化铌超导SIS混频器空间环境适应性研究（英文）

高灵敏度太赫兹探测模块（High Sensitivity Terahertz Detection Module, HSTDM）是中国巡天望远镜的科学载荷之一。HSTDM是一台工作频段为410～510 GHz的高灵敏度高频率分辨率的外差混频接收机，其核心是工作在10 K温区的氮化铌（NbN）基超导隧道结（Superconductor-Insulator–Superconductor, SIS）混频器。HSTDM将首次实现氮化铌（NbN）基超导SIS混频器的空间应用。NbN基超导SIS混频器应适应空间环境的特殊要求，如高可靠性，对振动、宇宙辐照和热变化的适应性。对NbN基超导SIS混频器进行的鉴定试验测试，包括正弦振动试验、随机振动试验、单粒子辐照试验、总剂量辐照试验和热循环试验。研究结果表明氮化铌（NbN）基超导SIS混频器能够满足HSTDM的空间应用需求。     

高温超导薄膜的研制

本文介绍了用普通镀膜机制备YBaCuO超导膜的过程。增加一台计数式频率计,可提高控制Y、Ba、Cu三种元系重量比精度,使工艺能重复,膜的性能稳定。热处理后得到了以c轴织构为主的和零电阻温度大于80K的YBaCuO超导膜。分析了超导膜的结晶态与退火条件的关系。     

高速集成电路中高温超导连线技术研究

本文研究了ＹＢＣＯ高温超导薄膜中原位溅射法生长优质膜的成膜技术，ＹＢＣＯ薄膜的Ｔｃｏ为９０Ｋ，Ｊｃｏ（７７Ｋ）为１０＾６Ａ／ｃｍ＾２；并建立了直流磁控溅射淀积速率的模型，还研究了微细加工形成超导薄膜导线的薄膜成形技术，在ＥＤＴＡ腐蚀法中，Ｔｃｏ仅下降１Ｋ，对超导特性影响下，本文着重研究了超导导线与高速集成电路的连续工艺，研制成功用高温超导连线的ＨＣＭＯＳ集成电路。     

高Q超导谐振腔的实验研究

针对频率标准用超导腔的设计,通过理论分析及CST仿真优化得到了一种高Q纯铌超导谐振腔的设计。所设计超导腔工作模式为TM010模,谐振频率为4.452GHz,Q值在液氦温度4.2K时达到3.4×107,在减压降温到2K左右时达到1.9×109,实验结果与设计结果一致,验证了设计的正确性和实验装置的可行性。     

电子束刻蚀超导膜的实验研究

本文论述了扫描电子束对ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导膜进行干法刻蚀的实验研究；试验了电子束工艺参数对刻蚀效果的影响；初步讨论了超导膜改性的机制。扫描电子呸能使被刻蚀的超导膜局部改性为非超导膜，将为干法制备超导器件提供一个有效的方法。     

100GHz第二代超导集成电路

当今世界上最快的集成电路采用的是超导金属铌,而非半导体化合物制造。该技术基于约瑟夫森结器件和超导连接间单个磁通量子的传送。 这些工作在10K温度下的超导IC,与1980年早期研究的超导IC大有不同。正是在那些项目快结束的时候,一些新发现导致第二代超导材料和电路制造工艺的出现,发展出一种基于单个磁通量子的存储和传输,称为快     

电子束刻蚀超导膜的实验研究

本文论述了扫描电子束对YBa2Cu3O7-超导膜进行干法刻蚀的实验研究;试验了电子束工艺参数对刻蚀效果的影响;初步讨论了超导膜改性的机制。扫描电子束能使被刻蚀的超导膜局部改性为非超导膜,将为干法制备超导器件提供一个有效的方法。