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本文引用了附加有浮动电位保护环和场板的VDMOS结构击穿电压的解析表达式,描述了浮动电位保护环和场板效应和穿通击穿电压的改进,经比较理论结果与测量数据有效好的一致性。 相似文献
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垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Vertical Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,VDMOS)终端设计中,场限环结构被广泛应用,但随着器件耐压的增加,场限环终端在效率、占用面积方面的劣势也越发明显。结合横向变掺杂的原理,在成熟的场限环工艺基础上,只更改深阱杂质注入窗口大小与距离,设计了一种800 V VDMOS终端结构,击穿电压仿真值达到938.5 V,为平行平面结击穿电压的93.29%,有效终端长度仅为137.4 μm。 相似文献
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本文介绍基于VDMOS结构的浮栅MOS管存储机理核辐射探测器的基本概念,简要介绍了浮栅MOS管的结构设计、制作和测试。 相似文献
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本文基于VDMOS技术提出了一种浅沟槽平面栅MOSFET(TPMOS)新结构,其中浅沟槽位于VDMOS多晶硅平面栅下方n-漂移区的两元胞中央。与传统的VDMOS结构相比,新结构不仅可以显著改善器件的导通电阻(RON)和击穿电压(VBR),减小它们对栅极长度的依赖,而且除浅沟槽外,制作工艺与VDMOS完全兼容。采用TPMOS结构可为器件设计和制造提供更大的自由度。 相似文献
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本文分析了VDMOS器件在空间辐照环境中的单粒子栅穿机理,并基于这种机理提出了一种可以有效改善VDMOS器件单粒子栅穿的新结构。从理论上分析了该结构在改善VDMOS单粒子栅穿效应中的作用,仿真验证该结构可以提高SEGR阈值约120%,该结构在保证VDMOS器件击穿电压保持不变的前提下,可以降低VDMOS的比导通电阻约15.5%,同时该新结构仅需要在原VDMOS器件版图的基础上使用有源区的反版来代替有源区版,应用LOCOS技术实现厚氧化层来提高SEGR阈值,工艺可加工性较强。该新结构特别适用于对辐照环境中高压VDMOS器件的研制。 相似文献
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分析影响VDMOS开关特性的各部分电容结构及参数,为了减少寄生电容,提高开关速度,在此提出一种减少VDMOS寄生电容的新型结构.该方法是部分去除传统VDMOS的neck区多晶硅条,并利用多晶硅作掩模注入P型区,改变VDMOS栅下耗尽区形状,减小寄生电容.在此增加了neck区宽度,并增加了P阱注入.利用TCAD工具模拟,结果表明:这种新型结构与传统VDMOS相比,能有效减小器件的寄生电容,减少橱电荷量,提高开关时间,提高器件的动态性能. 相似文献
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从结构上对一种N沟道VDMOS器件的寄生电容进行研究,确定了栅氧化层厚度和多晶线宽是影响VDMOS器件寄生电容的主要因素;使用TCAD工具,对栅氧化层厚度和多晶线宽的变化对各个寄生电容的影响进行半定量分析,得到栅氧化层厚度每变化1 nm,关断时间变化4.9 ns和多晶线宽每变化0.2 μm,关断时间变化2.7 ns的结论,与实际测试结果吻合较好.将该结论用于100 V/N沟道VDMOS器件关断时间的精确控制,关断时间控制精度达到±10 ns,满足VDMOS芯片制造要求. 相似文献
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响应曲面法(Response Surface Methodology)是数学方法和统计方法相结合的产物,是用来对所感兴趣的问题进行建模和分析的一种方法。其利用合理的实验设计方法并通过实验得到一定数据,采用复合中心来拟合因素与响应值之间的预测模型,通过对模型的分析来寻求最优设计参数和流程的最佳操作设置,从而解决多变量的实验问题。该方法可应用在VDMOS功率器件设计中,可以使VDMOS设计人员更加直观地从多个复杂的设计参数匹配中寻找到最有价值的匹配,大大方便了VDMOS设计人员。同时,该方法也可以大大降低器件设计及生产过程中的时间和成本。 相似文献
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本文主要介绍VDMOS管的制造工艺与结构,并将VDMOS管的特性与双极晶体管作比较,突出了VDMOS管在电子镇流器中作为开关管的优势,对VD-MOS管在电子镇流器中的具体使用条件作了说明。 相似文献